【技术实现步骤摘要】
电子设备以及制造电子设备的方法相关申请的交叉引用本申请要求于2019年6月26日提交的申请号为10-2019-0076632的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本公开涉及一种电子设备，并且更具体地，涉及一种电子设备以及制造电子设备的方法。
技术介绍
近年来，根据电子设备的小型化、低功耗、高性能和多样化，已经开发了能够在诸如计算机和便携式通信设备之类的各种电子设备中储存信息的半导体器件。因此，对能够通过使用根据所施加的电压或电流而在不同的电阻状态之间切换的特性来储存数据的半导体器件进行了研究。这种半导体器件的示例包括电阻式随机存取存储器(RRAM)、相变随机存取存储器(PRAM)、铁电随机存取存储器(FRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)、电熔丝、等等。
技术实现思路
本公开的实施例涉及一种能够改善存储单元的操作特性和可靠性的电子设备和制造该电子设备的方法。根据本公开的一个实施例的电子设备可以包括半导体存储器。该半导体存储器可以包括多个行线、与行线交叉的多个列线以及设置...
【技术保护点】
1.一种包括半导体存储器的电子设备，其中，所述半导体存储器包括：/n多个行线；/n多个列线，其与所述行线交叉；以及/n多个存储单元，其被设置在所述行线与所述列线的各个交叉点处，每个存储单元包括具有被倒圆的上表面的可变电阻图案。/n
【技术特征摘要】
20190626 KR 10-2019-00766321.一种包括半导体存储器的电子设备，其中，所述半导体存储器包括：
多个行线；
多个列线，其与所述行线交叉；以及
多个存储单元，其被设置在所述行线与所述列线的各个交叉点处，每个存储单元包括具有被倒圆的上表面的可变电阻图案。
2.根据权利要求1所述的电子设备，还包括：
第一绝缘间隔物，其被设置在所述多个存储单元的每个存储单元的所述可变电阻图案之上并且具有被倒圆的上表面。
3.根据权利要求2所述的电子设备，其中，所述第一绝缘间隔物包括与所述可变电阻图案接触的第一侧壁和面对所述第一侧壁的第二侧壁，所述可变电阻图案包括第一部分和从所述第一部分突出的第二部分，并且所述第二侧壁与所述第一部分的侧壁基本对齐。
4.根据权利要求2所述的电子设备，还包括：
第二绝缘间隔物，其被设置在所述第一绝缘间隔物上并且具有被倒圆的上表面。
5.根据权利要求4所述的电子设备，其中，所述第二绝缘间隔物的下表面被定位于比所述第一绝缘间隔物的下表面的水平低的水平处。
6.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述多个存储单元中的每个存储单元包括：
第一电极，其介于所述多个行线的每个行线与所述可变电阻图案之间；以及
第二电极，其介于所述多个列线的每个列线与所述可变电阻图案之间。
7.根据权利要求6所述的电子设备，其中，所述可变电阻图案包括：
第一部分，其被设置在所述第一电极上；以及
第二部分，其从所述第一部分突出并耦接至所述第二电极。
8.根据权利要求7所述的电子设备，其中，所述第一部分的宽度比所述第二部分的宽度宽。
9.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述可变电阻图案包括硫族化物并且保持其相。
10.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述多个存储单元中的每个存储单元储存与各个阈值电压相对应的多个逻辑状态。
11.根据权利要求6所述的电子设备，其中，所述可变电阻图案包括：
第一部分，其被设置在所述第一电极上；以及
第二部分，其包括弯曲上部和竖直下部，所述竖直下部被设置在所述第一部...
【专利技术属性】
技术研发人员：张峰训，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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