电子器件和用于制造电子器件的方法技术

本申请公开了电子器件和用于制造电子器件的方法。该电子器件可以包括半导体存储器。所述半导体存储器可以包括：行线；与行线交叉的列线；存储单元，其位于行线与列线的交叉区域中，所述存储单元包括上电极和下电极；以及界面层，其位于存储单元的下电极与行线之间，所述界面层的宽度比行线的宽度窄。

【技术实现步骤摘要】
电子器件和用于制造电子器件的方法相关申请的交叉引用本申请要求2019年5月17日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2019-0057764的韩国专利申请的优先权，其公开内容通过引用整体合并于此。
本公开总体上涉及一种存储电路或存储器件、以及其在电子器件中的应用。
技术介绍
近来，随着电子器件或电器趋向于小型化、低功耗、高性能、多功能等等，已经开发了能够将信息储存在诸如计算机和便携式通信设备的各种电子器件或电器中的电子器件。因此，已经对能够利用根据施加到其上的电压或电流而在不同电阻状态之间的切换特性来储存数据的半导体器件进行了研究。半导体器件的示例是电阻式随机存取存储器(RRAM)、相变随机存取存储器(PRAM)、铁电随机存取存储器(FRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)以及电子熔丝等。
技术实现思路
实施例涉及一种能够改善存储单元的操作特性和可靠性的电子器件，以及一种用于制造该电子器件的方法。根据本公开的一方面，提供了一种包括半导体存储器的电子器件，其中所述半导体器件包括：行线；与行线交本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种包括半导体存储器的电子器件，其中，所述半导体存储器包括：/n多个行线；/n与所述行线交叉的多个列线；/n多个存储单元，其相应地位于所述行线与所述列线的多个交叉区域中，每个所述存储单元都包括上电极和下电极；以及/n多个界面层，其位于所述存储单元的下电极与所述行线之间，每个所述界面层的第一宽度窄于所述行线中的对应的一个行线的第二宽度。/n

【技术特征摘要】
20190517 KR 10-2019-00577641.一种包括半导体存储器的电子器件，其中，所述半导体存储器包括：
多个行线；
与所述行线交叉的多个列线；
多个存储单元，其相应地位于所述行线与所述列线的多个交叉区域中，每个所述存储单元都包括上电极和下电极；以及
多个界面层，其位于所述存储单元的下电极与所述行线之间，每个所述界面层的第一宽度窄于所述行线中的对应的一个行线的第二宽度。


2.根据权利要求1所述的电子器件，其中，每个所述界面层的第一宽度窄于所述下电极的第三宽度。


3.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述下电极的下表面的第三宽度宽于所述下电极的上表面的第四宽度，并且每个所述界面层的第一宽度窄于所述下电极的下表面的所述第三宽度。


4.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述下电极的下表面的第三宽度宽于所述下电极的上表面的第四宽度，并且每个所述界面层的第一宽度窄于所述下电极的上表面的第四宽度。


5.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述第二宽度窄于所述下电极的第三宽度。


6.根据权利要求1所述的电子器件，其中，每个所述存储单元还包括位于所述上电极与所述下电极之间的可变电阻层，并且每个所述界面层的第一宽度窄于所述可变电阻层的第三宽度。


7.根据权利要求1所述的电子器件，其中，每个所述存储单元还包括可变电阻层、中间电极和开关层，所述可变电阻层、所述中间电极和所述开关层被层叠在所述下电极与所述上电极之间，并且每个所述界面层的第一宽度窄于所述开关层的第三宽度。


8.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述界面层包括钨硅氮化物(WSiNx)，并且所述行线包括钨(W)。


9.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述行线各自在第一方向上延伸，所述列线各自在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸，每个所述界面层在所述第二方向上的第一宽度窄于每个所述行线在所述第二方向上的第二宽度，并且所述第一宽度窄于所述下电极在所述第二方向上的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李贤真，高永锡，李政勋，李贤敏，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR