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本申请公开了电子器件和用于制造电子器件的方法。该电子器件可以包括半导体存储器。所述半导体存储器可以包括：行线；与行线交叉的列线；存储单元，其位于行线与列线的交叉区域中，所述存储单元包括上电极和下电极；以及界面层，其位于存储单元的下电极与行线...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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