【技术实现步骤摘要】
一种气体团簇离子束处理工艺中进行表面轮廓调整的方法
本专利技术涉及一种利用气体团簇离子束(GCIB)处理对工件进行校正处理的方法，尤其涉及一种调整工件的表面轮廓的方法。
技术介绍
气体团簇离子束(GCIB's)用于许多应用，包括蚀刻，清洁，平滑和形成薄膜。为了便于讨论，气体团簇是在标准温度和压力条件下呈气态的纳米级材料聚集体。这样的气体团簇可以由聚集体组成，聚集体包括松散结合在一起的几至数千个分子或更多。可以通过电子轰击将气体团簇电离，这允许将气体团簇形成为可控能量的定向束。这些簇离子通常各自携带由电子电荷的大小和大于或等于表示簇离子的电荷状态的整数的乘积给出的正电荷。较大尺寸的簇离子通常是最有用的，因为它们能够携带每个簇离子大量的能量，而每个分子只具有适度的能量。离子簇在与工件碰撞时会崩解。特定的分解离子簇中的每个分子仅携带总簇能量的一小部分。因此，大的离子簇的影响很大，但仅限于非常浅的表面区域。这使气体簇离子对多种表面改性过程均有效，但不会产生传统的10n束处理所特有的更深的次表面损伤。常规的簇离子源产生...
【技术保护点】
1.利用气体团簇离子束处理中进行调节工件的表面轮廓的方法，其特征是，获取与工件表面的表面轮廓有关的计量数据；/n使用所述计量数据计算所述工件的校正数据；所述校正数据从与所述工件上的表面的表面轮廓有关的计量数据计算出的数据；/n使用气体将校正数据应用于工件簇离子束GCIB以在所述工件的表面的一个或多个区域上选择性地形成或生长牺牲材料；/n在一个或多个选择性地使用气体团簇在所述工件上的表面区域离子束(GCIB)生长或形成牺牲材料，根据所述校正数据确定通过所述GCIB在所述表面的所述一个或多个区域上形成的所述牺牲材料的量；再执行蚀刻工艺以去除所述牺牲层材料和所述工件上的所述表面的...
【技术特征摘要】
1.利用气体团簇离子束处理中进行调节工件的表面轮廓的方法，其特征是，获取与工件表面的表面轮廓有关的计量数据；
使用所述计量数据计算所述工件的校正数据；所述校正数据从与所述工件上的表面的表面轮廓有关的计量数据计算出的数据；
使用气体将校正数据应用于工件簇离子束GCIB以在所述工件的表面的一个或多个区域上选择性地形成或生长牺牲材料；
在一个或多个选择性地使用气体团簇在所述工件上的表面区域离子束(GCIB)生长或形成牺牲材料，根据所述校正数据确定通过所述GCIB在所述表面的所述一个或多个区域上形成的所述牺牲材料的量；再执行蚀刻工艺以去除所述牺牲层材料和所述工件上的所述表面的至少一部分：
在所述工件上调节所述表面的表面轮廓，通过执行蚀刻工艺来制造工件，其中，所述蚀刻工艺包括以第一蚀刻速率蚀刻所述牺牲材料，以及以第二蚀刻速率蚀刻所述工件；
所述为所述工件施加所述校正数据包括使用所述GCIB并改变束剂量、束面积、束轮廓、束强度、束扫描速率或曝光时间，或其中两个或多个的任意组合。
其中，所述蚀刻工艺以第一蚀刻速率蚀刻所述牺牲材料，所述第二蚀刻速率大于所述第一蚀刻速率，并且其中，所述执行所述蚀刻工艺使所述工件上的所述表面平坦化。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征是，所述牺牲材料具有与所述工件的材料组成不同的组成。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征是，所述第一蚀刻速率不同于所述第二蚀刻速率。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征是，所述工件的所述表面在所述选择性形成之前具有初始表面轮廓，所述初始表面轮廓具有最大表面高度和最小表面高度；
将所述牺牲材料沉积至介于所述初始表面轮廓的所述最大表面高度和所述初始表面轮廓的所述最小表面高度之间的高度。
其中，所述第二蚀刻速率大于所述第一蚀刻速率，并且其中，所述调节将所述工件材料蚀刻至所述初始表面轮廓的至少所述最小表面高度。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征是，在所述调整之后，所述工件的所述表面包括最终表面轮廓，并且其中，所述最终表面轮廓...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹路，刘翊，张同庆，
申请(专利权)人：江苏集创原子团簇科技研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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