负离子照射装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够容易进行退火处理的负离子照射装置。控制部(50)控制电压施加部(90)在等离子体(P)生成期间开始向基板(11)施加偏置电压，并在等离子体(P)停止之后也持续向基板(11)施加偏置电压。如此，若在等离子体(P)生成期间开始向基板(11)施加偏置电压，则存在于真空腔室(10)中的电子因施加的电压的影响而照射于基板(11)。由此，电子照射于基板(11)的表面，由此基板(11)的表面通过电子冲击而被加热。在等离子体(P)停止之后也持续向基板(11)施加电压，因此生成的负离子照射于基板(11)的表面，并注入于该基板(11)。

【技术实现步骤摘要】
负离子照射装置
本申请主张基于2019年06月26日申请的日本专利申请第2019-118676号的优先权。该日本申请的全部内容通过参考而援用于本说明书中。本专利技术涉及一种负离子照射装置。
技术介绍
以往，作为负离子照射装置，已知专利文献1中记载的装置。该负离子照射装置具备向腔室内供给成为负离子的原料的气体的气体供给部和在腔室内生成等离子体的等离子体生成部。等离子体生成部通过在腔室内间歇地生成等离子体来生成负离子，并照射于对象物。专利文献1：日本特开2017-025407号公报在此，在如上所述的负离子照射装置中，有时会在向对象物注入离子之后加热该对象物来进行退火处理。然而，退火处理在不同于负离子照射装置的另一装置中进行。因此，存在退火处理需要花费劳力、成本及时间这一问题。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于，提供一种能够容易进行退火处理的负离子照射装置。为了解决上述问题，本专利技术所涉及的负离子照射装置向对象物照射负离子，其具备：腔室，在内部生成负离子；气体供给部，供给成为负离子的原料的气体；等离子体生成部，在腔室内生成等离子体；电压施加部，向对象物施加电压；及控制部，进行气体供给部、等离子体生成部及电压施加部的控制，控制部控制气体供给部向腔室内供给气体，控制部控制等离子体生成部在腔室内生成等离子体，且通过停止生成等离子体来生成所述负离子，控制部控制电压施加部在等离子体生成期间开始向对象物施加电压，在等离子体停止之后也持续向对象物施加电压。在本专利技术所涉及的负离子照射装置中，控制部控制气体供给部向腔室内供给气体。并且，控制部控制等离子体生成部在腔室内生成等离子体，且通过停止生成等离子体而由电子和气体生成负离子，并向对象物照射该负离子。在此，控制部控制电压施加部在等离子体生成期间开始向对象物施加电压，在等离子体停止之后也持续向对象物施加电压。如此，若在等离子体生成期间开始向对象物施加电压，则存在于腔室中的电子因施加的电压的影响而照射于对象物。由此，电子照射于对象物的表面，由此对象物的表面通过电子冲击而被加热。在等离子体停止之后也持续向对象物施加电压，因此生成的负离子照射于对象物的表面，并注入于该对象物。此时，对象物的表面被预先加热，因此注入的负离子通过热扩散而以浓度梯度的方式进入对象物内部。如此，通过使用电子进行对象物的加热，能够省去照射负离子之后的由另一装置进行的退火处理。综上所述，能够容易进行退火处理。控制部也可以控制电压施加部在从开始生成等离子体起经过规定时间之后开始向对象物施加电压。由此，能够避免不少在刚生成等离子体之后产生的电涌的影响。专利技术效果根据本专利技术，能够提供一种能够容易进行退火处理的负离子照射装置。附图说明图1是表示本专利技术的实施方式所涉及的负离子照射装置的结构的概略剖视图，是表示等离子体生成时的动作状态的图。图2是表示图1的负离子照射装置的结构的概略剖视图，是表示等离子体停止时的动作状态的图。图3是表示本实施方式所涉及的负离子照射装置的控制方法的流程图。图4(a)是表示等离子体的ON/OFF的定时和正离子及负离子向对象物的飞行状况的图表，图4(b)表示偏置电压的ON/OFF的状态。图5(a)是表示等离子体的ON/OFF的定时和正离子及负离子向对象物的飞行状况的图表，图5(b)表示偏置电压的ON/OFF的状态，图5(c)表示偏置电压与电流之间的关系。图6(a)是表示等离子体的ON/OFF的定时和正离子及负离子向对象物的飞行状况的图表，图6(b)表示偏置电压的ON/OFF的状态，图6(c)表示偏置电压与电流之间的关系。图中：1-负离子照射装置，3-输送机构(配置部)，7-等离子体枪，10-真空腔室(腔室)，11-基板(对象物)，14-等离子体生成部，40-气体供给部，50-控制部，90-电压施加部，P-等离子体。具体实施方式以下，参考附图并对本专利技术的一实施方式所涉及的负离子照射装置进行说明。应予说明，在附图说明中，对相同要件标注相同符号，并省略重复说明。首先，参考图1及图2对本专利技术的实施方式所涉及的负离子照射装置的结构进行说明。图1及图2是表示本实施方式所涉及的负离子照射装置的结构的概略剖视图。图1中示出了等离子体生成时的动作状态，图2中示出了等离子体停止时的动作状态。如图1及图2所示，本实施方式的负离子照射装置1为将用于所谓的离子镀法的成膜技术应用于负离子照射中的装置。除负离子照射模式以外，负离子照射装置1还能够通过切换模式而在对基板11进行成膜的成膜模式下动作。应予说明，为了便于说明，图1及图2中示出XYZ坐标系。Y轴方向为输送后述的基板的方向。X轴方向为基板的厚度方向。Z轴方向为与Y轴方向及X轴方向正交的方向。负离子照射装置1可以为如下所谓的卧式负离子照射装置：以基板11(对象物)的板厚方向成为大致铅垂方向的方式将基板11配置于真空腔室10(腔室)内并输送。在该情况下，Z轴及Y轴方向为水平方向，X轴方向成为铅垂方向且成为板厚方向。应予说明，负离子照射装置1也可以为如下所谓的立式负离子照射装置：以基板11的板厚方向成为水平方向(在图1及图2中为X轴方向)的方式使基板11直立或使其从直立的状态倾斜的状态下，将基板11配置于真空腔室10内并输送。在该情况下，X轴方向为水平方向且为基板11的板厚方向，Y轴方向为水平方向，Z轴方向成为铅垂方向。关于本专利技术的一实施方式所涉及的负离子照射装置，以下，以卧式负离子照射装置为例进行说明。负离子照射装置1具备：真空腔室10、输送机构3(配置部)、等离子体生成部14、气体供给部40、电路部34、电压施加部90及控制部50。真空腔室10为用以容纳基板11并进行成膜处理的部件。真空腔室10具有：用以输送基板11的输送室10a、用以生成负离子的生成室10b及接收从等离子体枪7以束状照射的等离子体P至真空腔室10的等离子体口10c。输送室10a、生成室10b及等离子体口10c彼此连通。输送室10a沿规定的输送方向(图中的箭头A)(沿Y轴)设定。并且，真空腔室10由导电性材料制成且与接地电位连接。输送室10a中设置有用以加热基板11的加热部30。加热部30设置于输送室10a中比与生成室10b的连通部更靠输送方向上的上游侧。因此，来自生成室10b的负离子照射于被加热的状态的基板11。作为壁部10W，生成室10b具有：沿着输送方向(箭头A)的一对侧壁、沿着与输送方向(箭头A)交叉的方向(Z轴方向)的一对侧壁10h、10i及与X轴方向交叉配置的底面壁10j。输送机构3向输送方向(箭头A)输送在与生成室10b对置的状态下保持基板11的基板保持部件16。输送机构3发挥配置基板11的配置部的功能。例如，基板保持部件16为保持基板11的外周缘的框体。输送机构3由设置于输送室10a内的多个输送辊15构成。输送辊15沿输送方向(箭头A)等间隔配置，在支承基板保持部件16的同时沿输送方向(箭头A)输送该基板保持部件16本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种负离子照射装置，其向对象物照射负离子，具备：/n腔室，在内部生成所述负离子；/n气体供给部，供给成为所述负离子的原料的气体；/n等离子体生成部，在所述腔室内生成等离子体；/n电压施加部，向所述对象物施加电压；及/n控制部，进行所述气体供给部、所述等离子体生成部及所述电压施加部的控制，/n所述控制部控制所述气体供给部向所述腔室内供给所述气体，/n所述控制部控制所述等离子体生成部在所述腔室内生成所述等离子体，且通过停止生成所述等离子体来生成所述负离子，/n所述控制部控制所述电压施加部在所述等离子体生成期间开始向所述对象物施加电压，并在所述等离子体停止之后也持续向所述对象物施加所述电压。/n

【技术特征摘要】
20190626 JP 2019-1186761.一种负离子照射装置，其向对象物照射负离子，具备：
腔室，在内部生成所述负离子；
气体供给部，供给成为所述负离子的原料的气体；
等离子体生成部，在所述腔室内生成等离子体；
电压施加部，向所述对象物施加电压；及
控制部，进行所述气体供给部、所述等离子体生成部及所述电压施加部的控制，
所述控制部控制所述气体供给部向所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：北见尚久，酒见俊之，山本哲也，
申请(专利权)人：住友重机械工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP