一种低导热银材料及其制备方法、银器技术

本发明专利技术提供了一种低导热银材料及其制备方法、银器。该低导热银材料包括单质Ag、M和单质As，其中M包括单质Si和/或单质Sn，且单质Ag的重量含量≥99.99％。上述低导热银材料中单质Ag的重量含量≥99.99％，促使材料银纯度较高。同时，银材料中M和单质As作为银材料的合金微组分，在更微小的量添加下促使材料具有更好的低导热性能，材料的机械性能比如硬度更佳，使用效果更好。

【技术实现步骤摘要】
一种低导热银材料及其制备方法、银器
本专利技术涉及贵金属加工领域，具体而言，涉及一种低导热银材料及其制备方法、银器。
技术介绍
贵金属银制品因其具有防腐保鲜的特性而被用作餐具和茶具等生活化器具。随着国人生活水平的提高，消费理念的转变促使贵金属银制品生活化应用的市场逐步拓展，进入新的需求阶段。然而纯金属银的导热性非常优异，其制品在盛放一些热食热饮后导热过快，导致器具外壁温度过高，难以手持或端握，使用效果差。为了解决这一问题，现有技术通过合金化方式降低银材料的导热性，但因为多量其他金属的掺杂导致材料的银纯度也显著降低，无法满足含银纯度高的使用要求。基于以上原因，有必要提供一种低导热银材料，同时满足含银纯度高和热导率较低的使用需求。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种低导热银材料及其制备方法、银器，以解决现有技术中高纯度银材料热导率高的问题。为了实现上述目的，根据本专利技术的一个方面，提供了一种低导热银材料，包括单质Ag、M和单质As，其中M包括单质Si和/或单质Sn，且单质Ag的重量含量≥99.99％。...

【技术保护点】
1.一种低导热银材料，其特征在于，所述低导热银材料包括单质Ag、M和单质As，其中所述M包括单质Si和/或单质Sn，且所述单质Ag的重量含量≥99.99％。/n

【技术特征摘要】
1.一种低导热银材料，其特征在于，所述低导热银材料包括单质Ag、M和单质As，其中所述M包括单质Si和/或单质Sn，且所述单质Ag的重量含量≥99.99％。


2.根据权利要求1所述的低导热银材料，其特征在于，按重量含量计，所述低导热银材料包括99.99％的所述单质Ag，10～50ppm的所述M和余量的所述单质As。


3.根据权利要求2所述的低导热银材料，其特征在于，所述M和所述单质As的重量比为(0.8:9.2)～(4.5:5.5)。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的低导热银材料，其特征在于，
所述M包括所述单质Si和所述单质Sn，且所述单质Si和所述单质Sn的重量比为(1:1.5)～1，所述M和所述单质As的重量比为(0.8:9.2)～(2:8)；或者，
所述M包括所述单质Si，所述M和所述单质As的重量比为(0.8:9.2)～(1.3:8.7)；或者，
所述M包括所述单质Sn，所述M和所述单质As的重量比为(0.8:9.2)～(1.5:8.5)。


5.根据权利要求4所述的低导热银材料，其特征在于，按重量含量计，
所述低导热银材料包括99.99％的所述单质Ag...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖斐鸣，
申请(专利权)人：国金黄金股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11