一种中子屏蔽装置用聚烯烃复合改性屏蔽材料制造方法及图纸

一种中子屏蔽装置用聚烯烃复合改性屏蔽材料，本发明专利技术涉及屏蔽材料技术领域；它由如下质量分数成分组成：聚烯烃基体材料65‑94.5wt％、屏蔽功能剂5‑30wt％、加工助剂0.5‑5wt％；上述加工助剂包含抗氧剂、偶联剂和脱模剂，上述抗氧剂、偶联剂和脱模剂的质量比为2∶5∶3；按照上述组分配比将各个原料进行混料、热压成型、脱模定型，即可。其具有中子屏蔽性能优良、致密度高、耐热温度高、力学性能优良、服务周期长等特点，完全满足中子屏蔽装置对材料的设计及应用要求。

【技术实现步骤摘要】
一种中子屏蔽装置用聚烯烃复合改性屏蔽材料
本专利技术涉及屏蔽材料
，具体涉及一种中子屏蔽装置用聚烯烃复合改性屏蔽材料。
技术介绍
核技术的应用已经深入到军事、医学、工业等各个领域，人类接触到的各种核辐射线的几率大大增加，因此为保证工作人员的健康以及核能的安全有效利用，需要对核辐射线进行有效的屏蔽防护。近来年，针对中子射线的屏蔽防护研究制备出以聚乙烯为基体的屏蔽材料，包括含硼聚乙烯、铅硼聚乙烯屏蔽材料。但是由于单独以聚乙烯为基体的屏蔽材料，耐热温度范围(80-100℃)较低；同时铅硼聚乙烯中由于含铅使得材料的环境友好性差，在使用过程中会对环境和人员产生不利影响，亟待改进。
技术实现思路
本专利技术的目的在于针对现有技术的缺陷和不足，提供一种结构简单，设计合理、使用方便的中子屏蔽装置用聚烯烃复合改性屏蔽材料，其具有中子屏蔽性能优良、致密度高、耐热温度高、力学性能优良、服务周期长等特点，完全满足中子屏蔽装置对材料的设计及应用要求。为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是：它由如下质量分数成分组成：聚烯烃基体材料65-94.5wt％、屏蔽功能剂5-30wt％、加工助剂0.5-5wt％；上述加工助剂包含抗氧剂、偶联剂和脱模剂，上述抗氧剂、偶联剂和脱模剂的质量比为2∶5∶3；按照上述组分配比将各个原料进行混料、热压成型、脱模定型，即可。进一步地，所述的聚烯烃基体材料为聚丙烯、聚乙烯、超高分子量聚乙烯、环烯烃共聚物中的两者及两者以上复合改性物。进一步地，所述的屏蔽功能剂为三氧化二硼、氮化硼、碳化硼、碳硼烷中的一种或多种组合。进一步地，所述的抗氧剂为Irganox1010、FB1520、2002、PS802FL、Irgafos168中的一种或多种组合。进一步地，所述的偶联剂为KH602、KH792、KH902、KH580、KH560中的一种或多种组合。进一步地，所述的脱模剂为硅氧烷化合物、甲基硅油、含氢甲基硅油、硅树脂中的一种或多种组合。采用上述结构后，本专利技术有益效果为：本专利技术所述的一种中子屏蔽装置用聚烯烃复合改性屏蔽材料，其具有中子屏蔽性能优良、致密度高、耐热温度高、力学性能优良、服务周期长等特点，完全满足中子屏蔽装置对材料的设计及应用要求。具体实施方式本具体实施方式(实施例一)采用的技术方案是：它由如下质量分数成分组成：聚丙烯20wt％、超高分子量聚乙烯39wt％、环烯烃共聚物20wt％、碳化硼20wt％、抗氧剂0.2wt％、偶联剂0.5wt％、脱模剂0.3wt％；按照上述组分配比将各个原料进行混料、热压成型、脱模定型，即可。进一步地，所述的抗氧剂为Irganox1010。进一步地，所述的偶联剂为KH580、KH560的组合。进一步地，所述的脱模剂为甲基硅油、含氢甲基硅油、硅树脂的组合。采用上述结构后，本具体实施方式有益效果为：本具体实施方式所述的一种中子屏蔽装置用聚烯烃复合改性屏蔽材料，其具有中子屏蔽性能优良、致密度高、耐热温度高、力学性能优良、服务周期长等特点，完全满足中子屏蔽装置对材料的设计及应用要求。实施例二：本实施例采用的技术方案是：它由如下质量分数成分组成：聚丙烯20wt％、聚乙烯39wt％、环烯烃共聚物20wt％、碳化硼20wt％、抗氧剂0.2wt％、偶联剂0.5wt％、脱模剂0.3wt％；按照上述组分配比将各个原料进行混料、热压成型、脱模定型，即可。进一步地，所述的抗氧剂为FB1520、2002、PS802FL的组合。进一步地，所述的偶联剂为KH902、KH580、KH560的组合。进一步地，所述的脱模剂为硅氧烷化合物、甲基硅油、含氢甲基硅油、硅树脂的组合。实施例三：本实施例采用的技术方案是：它由如下质量分数成分组成：聚丙烯30wt％、环烯烃共聚物15wt％、碳硼烷24wt％、抗氧剂0.2wt％、偶联剂0.5wt％、脱模剂0.3wt％；按照上述组分配比将各个原料进行混料、热压成型、脱模定型，即可。进一步地，所述的抗氧剂为Irganox1010、FB1520、2002、PS802FL、Irgafos168的组合。进一步地，所述的偶联剂为KH560。进一步地，所述的脱模剂为硅氧烷化合物、含氢甲基硅油的组合。实施例四：本实施例采用的技术方案是：它由如下质量分数成分组成：聚丙烯50wt％、环烯烃共聚物24wt％、碳硼烷25wt％、抗氧剂0.2wt％、偶联剂0.5wt％、脱模剂0.3wt％；按照上述组分配比将各个原料进行混料、热压成型、脱模定型，即可。进一步地，所述的抗氧剂为Irgafos168。进一步地，所述的偶联剂为KH602。进一步地，所述的脱模剂为硅氧烷化合物。以上所述，仅用以说明本专利技术的技术方案而非限制，本领域普通技术人员对本专利技术的技术方案所做的其它修改或者等同替换，只要不脱离本专利技术技术方案的精神和范围，均应涵盖在本专利技术的权利要求范围当中。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种中子屏蔽装置用聚烯烃复合改性屏蔽材料，其特征在于：它由如下质量分数成分组成：聚烯烃基体材料65-94.5wt％、屏蔽功能剂5-30wt％、加工助剂0.5-5wt％；上述加工助剂包含抗氧剂、偶联剂和脱模剂，上述抗氧剂、偶联剂和脱模剂的质量比为2∶5∶3；按照上述组分配比将各个原料进行混料、热压成型、脱模定型，即可。/n

【技术特征摘要】
1.一种中子屏蔽装置用聚烯烃复合改性屏蔽材料，其特征在于：它由如下质量分数成分组成：聚烯烃基体材料65-94.5wt％、屏蔽功能剂5-30wt％、加工助剂0.5-5wt％；上述加工助剂包含抗氧剂、偶联剂和脱模剂，上述抗氧剂、偶联剂和脱模剂的质量比为2∶5∶3；按照上述组分配比将各个原料进行混料、热压成型、脱模定型，即可。


2.根据权利要求1所述的一种中子屏蔽装置用聚烯烃复合改性屏蔽材料，其特征在于：所述的聚烯烃基体材料为聚丙烯、聚乙烯、超高分子量聚乙烯、环烯烃共聚物中的两者及两者以上复合改性物。


3.根据权利要求1所述的一种中子屏蔽装置用聚烯烃复合改性屏蔽材料，其特征在于：所述的屏蔽功能剂为三...

【专利技术属性】
技术研发人员：李玉磊，戚进祥，匡少宝，沈厚平，刘小祥，
申请(专利权)人：安徽应流久源核能新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34