一种无水抛光KDP晶体的方法技术

本发明专利技术提供了一种无水抛光KDP晶体的方法，实现了KDP晶体材料的高精高效抛光。无水抛光过程分为粗抛光和细抛光，无水抛光液成分包括油酸甲酯、碳化硅/氧化铝混合磨粒和无水碳酸钠，分为无水粗抛光液和无水细抛光液，无水粗抛光液和无水细抛光液之间的区别体现在油酸甲酯粘度、碳化硅/氧化铝混合磨粒的配比、粒径及浓度、无水碳酸钠粒径及浓度。与其他KDP晶体抛光方法相比，无水抛光KDP晶体的方法所用的抛光液化学试剂无毒低害，绿色环保，抛光过程中有效地避免了KDP晶体接触水发生潮解使晶体破坏的现象产生，并有效提高了KDP晶体表面的加工质量。

A method of polishing KDP crystal without water

【技术实现步骤摘要】
一种无水抛光KDP晶体的方法
本专利技术涉及一种无水抛光KDP晶体的方法，属于机械制造

技术介绍
磷酸二氢钾(PotassiumDihydrogenPhosphate,KDP)晶体具有十分优良的非线性光学性能，同时具有较高的激光损伤阈值，是目前大型惯性约束核聚变激光系统中唯一可用的大型窗口类频率转换器件。但KDP晶体材料由于其质软而脆、对温度变化敏感、易潮解、易开裂等材料特性，使其成为最难加工的光学材料之一。目前KDP晶体的加工方法主要有单点金刚石飞切、超精密磨削、磁流变抛光等。单点金刚石飞切技术可有效避免磨粒嵌入的问题，但由于机床振动和几何精度等因素，面形精度难以提升，同时在加工中容易引入小尺度波纹，严重降低激光损伤阈值；传统精密磨削会不可避免造成磨粒嵌入，降低表面质量；磁流变抛光只适合用于抛光小尺寸晶体，且磁流变液中的磨料颗粒也会嵌入到晶体元件表面，构成新的激光损伤源，从而影响高功率激光系统性能。此外，在使用这些方法对KDP晶体进行加工时，加工过程中无法避免添加水或空气中水分的干扰，在KDP晶体表面容易产生潮解现象，使得加本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种无水抛光KDP晶体的方法，其特征在于，具体步骤如下：/n1)配制无水抛光液，无水抛光液分无水粗抛光液和无水细抛光液；/n2)抛光盘上放置10000～12000目超细抛光垫，固定；/n3)根据加载要求，选择质量为0.1～2.0kg的加载块，将KDP晶体固定在加载块下，待KDP晶体的抛光面和抛光垫相接触；/n4)开启超声振动装置，调节频率至10～15kHz，通过超声振动均匀分散无水粗抛光液中各成分，向KDP晶体滴注无水粗抛光液；/n5)控制抛光盘开始旋转，旋转速度为200～250rpm，抛光时间40～70min；/n6)将无水粗抛光液换为无水细抛光液，开启超声振动装置，均匀分散无水细抛光液...

【技术特征摘要】
1.一种无水抛光KDP晶体的方法，其特征在于，具体步骤如下：
1)配制无水抛光液，无水抛光液分无水粗抛光液和无水细抛光液；
2)抛光盘上放置10000～12000目超细抛光垫，固定；
3)根据加载要求，选择质量为0.1～2.0kg的加载块，将KDP晶体固定在加载块下，待KDP晶体的抛光面和抛光垫相接触；
4)开启超声振动装置，调节频率至10～15kHz，通过超声振动均匀分散无水粗抛光液中各成分，向KDP晶体滴注无水粗抛光液；
5)控制抛光盘开始旋转，旋转速度为200～250rpm，抛光时间40～70min；
6)将无水粗抛光液换为无水细抛光液，开启超声振动装置，均匀分散无水细抛光液中各成分，向KDP晶体滴注无水细抛光液；
7)调整抛光盘旋转速度，旋转速度为250～300rpm，抛光时间60～90min。


2.根据权利要求1所述的一种无水抛光KDP晶体的方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：张振宇，崔祥祥，刘杰，廖龙兴，李玉彪，
申请(专利权)人：大连理工大学，
类型：发明
国别省市：辽宁;21