集成电路制造技术

本公开的实施例涉及一种集成电路。该集成电路包括至少一个差分对晶体管、偏置电流生成器，所述偏置电流生成器被配置为在偏置节点上生成偏置电流，所述偏置节点通过相应电阻元件耦合到所述差分对中的每个晶体管的源极端子。补偿电流生成器被配置为在两个电阻元件中的一个电阻元件中生成补偿电流，以便补偿所述差分对中的晶体管的阈值电压的实际值之间的差异。

【技术实现步骤摘要】
集成电路
实施例和实现涉及集成电路，特别地涉及包括差分对MOS晶体管的集成电路。
技术介绍
集成比较器和放大器设备通常包括差分对MOS晶体管，该差分对MOS晶体管被偏置电流偏置。相应输入信号所控制的晶体管的相应导通允许比较或放大输入电压中的差异。在比较器中，晶体管必须以相同的方式响应，以确保比较是准确的。因此，差分对中的晶体管的阈值电压必须相等。实际上，由于制造偶然性，晶体管的实际阈值电压会系统性地呈现它们之间的变化。附加地，迟滞被添加到差分对的控制中，以便避免由噪声引起的不需要的比较。在放大器中，阈值电压之间的偏移可能会导致输入与输出之间的显著差异(例如，在跟随器中或可编程增益模式下的运算放大器中)；因此，阈值电压之间的差异必须尽可能小。用于补偿阈值电压之间的偏移的常规技术涉及改变耦合在该对中的每个晶体管的源极与偏置节点之间的电阻元件的电阻值，偏置电流在该偏置节点上被吸取。附加地，用于引入迟滞偏移的常规技术涉及通过将多个相同晶体管并联连接来调整晶体管的导通，这些多个相同晶体管的耦合由相同数目的开关控制。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电路，其特征在于，包括：/n至少一个差分对晶体管；/n偏置电流生成器，被配置为在偏置节点上生成偏置电流，所述偏置节点通过相应电阻元件耦合到所述至少一个差分对中的每个晶体管的源极端子；以及/n补偿电流生成器，被配置为在两个电阻元件中的第一电阻元件中生成补偿电流，以便补偿所述至少一个差分对中的所述晶体管的阈值电压的实际值之间的差异。/n

【技术特征摘要】
20190611 FR 19061671.一种集成电路，其特征在于，包括：
至少一个差分对晶体管；
偏置电流生成器，被配置为在偏置节点上生成偏置电流，所述偏置节点通过相应电阻元件耦合到所述至少一个差分对中的每个晶体管的源极端子；以及
补偿电流生成器，被配置为在两个电阻元件中的第一电阻元件中生成补偿电流，以便补偿所述至少一个差分对中的所述晶体管的阈值电压的实际值之间的差异。


2.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，进一步包括：迟滞电流生成器，所述迟滞电流生成器被配置为响应于迟滞控制信号在所述两个电阻元件中的第二电阻元件中生成迟滞电流，以便将迟滞偏移引入所述至少一个差分对晶体管中的所述晶体管的所述阈值电压的所述实际值中。


3.根据权利要求2所述的集成电路，其特征在于，所述第一电阻元件和所述第二电阻元件是相同的电阻元件。


4.根据权利要求2所述的集成电路，其特征在于，所述迟滞电流生成器被配置为响应于所述迟滞控制信号，将迟滞电流注入支路和迟滞电流提取支路分别电耦合到所述第二电阻元件的每个端子，并将所述迟滞电流注入到所述迟滞电流注入支路中，且从所述迟滞电流提取支路提取所述迟滞电流。


5.根据权利要求4所述的集成电路，其特征在于，所述迟滞电流生成器包括相应电流镜电路，所述相应电流镜电路被配置为通过所述迟滞电流注入支路和所述迟滞电流提取支路来传输所述迟滞电流。


6.根据权利要求5所述的集成电路，其特征在于，所述相应电流镜电路被配置为基于基准电流生成器所生成的基准电流来传输所述迟滞电流，所述基准电流生成器耦合在所述相应电流镜电路的上游，其中，所述基准电流生成器被配置为以所选择来调整...

【专利技术属性】
技术研发人员：Y·若利，V·比内，M·屈埃卡，
申请(专利权)人：意法半导体鲁塞公司，
类型：新型
国别省市：法国;FR