【技术实现步骤摘要】
偏置差分对晶体管的方法以及对应的集成电路相关申请的交叉引用本申请要求于2019年6月11日提交的法国申请号1906167的优先权，该申请以引用的方式并入本文。
实施例和实现涉及集成电路，特别地涉及包括差分对MOS晶体管的集成电路。
技术介绍
集成比较器和放大器设备通常包括差分对MOS晶体管，该差分对MOS晶体管被偏置电流偏置。相应输入信号所控制的晶体管的相应导通允许比较或放大输入电压中的差异。在比较器中，晶体管必须以相同的方式响应，以确保比较是准确的。因此，差分对中的晶体管的阈值电压必须相等。实际上，由于制造偶然性，晶体管的实际阈值电压会系统性地呈现它们之间的变化。附加地，迟滞被添加到差分对的控制中，以便避免由噪声引起的不需要的比较。在放大器中，阈值电压之间的偏移可能会导致输入与输出之间的显著差异(例如，在跟随器中或可编程增益模式下的运算放大器中)；因此，阈值电压之间的差异必须尽可能小。用于补偿阈值电压之间的偏移的常规技术涉及改变耦合在该对中的每个晶体管的源极与偏置节点...
【技术保护点】
1.一种用于对集成电路中的至少一个差分对晶体管进行偏置的方法，所述方法包括：/n在偏置节点上生成偏置电流，所述偏置节点通过相应电阻元件耦合到所述至少一个差分对中的每个晶体管的源极端子；以及/n在两个电阻元件中的第一电阻元件中生成补偿电流，以便补偿所述至少一个差分对中的所述晶体管的阈值电压的实际值之间的差异。/n
【技术特征摘要】
20190611 FR 19061671.一种用于对集成电路中的至少一个差分对晶体管进行偏置的方法，所述方法包括：
在偏置节点上生成偏置电流，所述偏置节点通过相应电阻元件耦合到所述至少一个差分对中的每个晶体管的源极端子；以及
在两个电阻元件中的第一电阻元件中生成补偿电流，以便补偿所述至少一个差分对中的所述晶体管的阈值电压的实际值之间的差异。
2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
使用迟滞控制信号在所述两个电阻元件中的第二电阻元件中生成迟滞电流，以便在所述至少一个差分对晶体管中的所述晶体管的所述阈值电压的所述实际值之间引入迟滞偏移。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一电阻元件和所述第二电阻元件是相同的电阻元件。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，生成所述迟滞电流包括：响应于所述迟滞控制信号：
将迟滞电流注入支路和迟滞电流提取支路分别电耦合到所述第二电阻元件的每个端子；
将所述迟滞电流注入到所述迟滞电流注入支路中；以及
从所述迟滞电流提取支路提取所述迟滞电流。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，生成所述迟滞电流包括：使用相应电流镜电路，通过所述迟滞电流注入支路和所述迟滞电流提取支路来传输所述迟滞电流。
6.根据权利要求5所述的方法，进一步包括：
基于在所述相应电流镜电路的上游所生成的基准电流，使用所述相应电流镜电路传输所述迟滞电流；以及
调整所述基准电流的强度以便调整所述迟滞电流的强度。
7.根据权利要求2所述的方法，其中，生成所述迟滞电流包括：以所述迟滞控制信号所控制的强度来生成所述迟滞电流。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，生成所述补偿电流包括：
将所述补偿电流注入到补偿电流注入支路中；以及
从补偿电流提取支路提取所述补偿电流，所述补偿电流注入支路和所述补偿电流提取支路分别耦合到所述两个电阻元件中的所述第一电阻元件的端子。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，生成所述补偿电流包括：使用相应电流镜电路，通过所述补偿电流注入支路和所述补偿电流提取支路来传输所述补偿电流。
10.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：
基于在所述相应电流镜电路的上游所生成的基准电流，使用所述相应电流镜电路传输所述补偿电流；以及
调整所述基准电流的强度以便调整所述补偿电流的强度。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，在根据所述两个电阻元件的电阻值并根据所述至少一个差分对的所述晶体管的所述阈值电压的所述实际值之间的所述差异来制造所述至少一个差分对晶体管期间，选择所述补偿电流的强度以及所述两个电阻元件中的所述第一电阻元件，所述补偿电流注入支路和所述补偿电流提取支路耦合到所述两个电阻元件中的所述第一电阻元件的所述端子。
12.一种集成电路，其包括：
至少一个差分对晶体管；
偏置电流生成器，被配置为在偏置节点上生成偏置电流，所述偏置节点通过相应电阻元件耦合到所述至少一个差分对中的每个晶体管的源极端子...
【专利技术属性】
技术研发人员：Y·若利，V·比内，M·屈埃卡，
申请(专利权)人：意法半导体鲁塞公司，
类型：发明
国别省市：法国;FR
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