包括具有体极连接的开关晶体管的RF电路制造技术

本公开的实施例涉及包括具有体极连接的开关晶体管的RF电路。在一些方法实施例和装置实施例中，RF电路包括具有源极、漏极、栅极以及体极的开关晶体管。栅极控制电压被施加到开关晶体管的栅极。体极控制电压被施加到开关晶体管的体极。当开关晶体管处于导通状态时，体极控制电压为正偏置电压。在一些实施例中，RF电路包括通过第一电阻施加到开关晶体管的栅极、并通过第二电阻施加到开关晶体管的体极的控制电压。第一电阻不同于第二电阻。

【技术实现步骤摘要】
包括具有体极连接的开关晶体管的RF电路本申请是申请日为2016年3月4日、申请号为201680012669.X、专利技术名称为“包括具有体极连接的开关晶体管的RF电路”的中国专利技术专利申请的分案申请。
技术介绍
射频(RF)电路通常具有在其中生成的不需要的谐波信号。谐波信号通常由RF电路中组件的非线性物理相互作用(即，电容、电阻和电感)引起。谐波信号通常降低RF电路的性能，并因此降低包含RF电路的整体器件的性能。因此，已经开发了各种技术来减轻RC电路内的谐波信号和/或它们的影响，例如，增加器件布局的对称性、通过引入介电衬底来减少半导体电容、在器件附近使用富陷阱层来减少自由载体的寿命等。
技术实现思路
在一些实施例中，一种RF电路包括具有源极、漏极、栅极和体极的开关晶体管。栅极控制电压被施加到开关晶体管的栅极。体极控制电压被施加到开关晶体管的体极。当开关晶体管处于导通状态时，体极控制电压为正偏置电压。在一些实施例中，一种方法包括：将栅极控制电压施加到RF电路中的开关晶体管的栅极；以及将体极控制电压施加到开关晶体管的体极。当开关晶体管处于导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种方法，包括：/n将栅极控制电压施加到RF电路中的开关晶体管的栅极；以及/n将体极控制电压施加到所述开关晶体管的体极，其中当所述开关晶体管处于导通状态时，所述体极控制电压为正偏置电压，/n其中所述栅极控制电压是从第一电压控制源施加到所述栅极的；以及/n其中所述体极控制电压是从第二电压控制源施加到所述体极的，并且其中所述第二电压控制源独立于所述第一电压控制源。/n

【技术特征摘要】
20150306 US 14/640,377;20150423 US 14/694,7071.一种方法，包括：
将栅极控制电压施加到RF电路中的开关晶体管的栅极；以及
将体极控制电压施加到所述开关晶体管的体极，其中当所述开关晶体管处于导通状态时，所述体极控制电压为正偏置电压，
其中所述栅极控制电压是从第一电压控制源施加到所述栅极的；以及
其中所述体极控制电压是从第二电压控制源施加到所述体极的，并且其中所述第二电压控制源独立于所述第一电压控制源。


2.根据权利要求1所述的方法，其中：
所述正偏置电压大于0.7伏特。


3.根据权利要求1所述的方法，还包括：
当所述开关晶体管处于导通状态时，通过将所述正偏置电压施加到所述开关晶体管的所述体极来改善所述RF电路的器件线性度。


4.根据权利要求3所述的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·S·奥贝恩，C·科梅林格，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US