深N阱电压动态控制电路制造技术

本发明专利技术公开了深N阱电压动态控制电路，包括PW电压选择电路和NMOS采样开关，还设置有电荷泵电路及DNW电压选择电路，所述NMOS采样开关的PW连接PW电压选择电路的输出、NMOS采样开关的DNW连接DNW电压选择电路的输出，PW电压选择电路的两个输入分别连接输入信号VIN和偏置电压VBULK，电荷泵电路的三个输入分别连接偏置电压VTOP、偏置电压VBOT和输入信号VIN，电荷泵电路的输出连接DNW电压选择电路的一个输入；DNW电压选择电路的另一个输入连接偏置电压VNS；根据NMOS采样开关工作状态，通过分时动态控制其DNW电压，有效降低了PW与DNW间寄生二极管的最大反偏电压，从而达到了提高输入信号电压范围的目的。

Dynamic control circuit of deep n-well voltage

【技术实现步骤摘要】
深N阱电压动态控制电路
本专利技术涉及半导体工艺应用技术等领域，具体的说，是深N阱电压动态控制电路。
技术介绍
在信号采样电路中，通常采用DNW(深N阱)隔离NMOS管(N型金属氧化物半导体场效应晶体管)做采样开关。图1为DNW隔离NMOS管剖面图，图2为DNW隔离NMOS管对应的符号图，包含6个端口：D(漏极)、G(栅极)、S(源极)、PW(P阱)、DNW(深N阱)以及PSUB(P型衬底)。另外，还包含4个寄生二极管和4个PN结电容：PW与漏极形成的寄生二极管D1、PW与源极形成的寄生二极管D2、PSUB与DNW形成的寄生二极管D3、PW与DNW形成的寄生二极管D4，以及D1、D2、D3、D4的PN结电容，图1和图2中仅画出D4的PN结电容C0。图3为传统NMOS采样开关电路，采用PW电压选择电路控制其PW电压。NMOS采样开关栅极连接驱动信号VG、源极连接输入信号VIN、漏极连接输出信号VOUT、DNW连接偏置电压VDNW、PSUB连接参考地GND、PW连接PW电压选择电路输出，PW电压选择电路两个输入分别连接VIN和偏置电压VBU本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.深N阱电压动态控制电路，包括PW电压选择电路和NMOS采样开关，其特征在于：还设置有电荷泵电路及DNW电压选择电路，所述NMOS采样开关的PW连接PW电压选择电路的输出、NMOS采样开关的DNW连接DNW电压选择电路的输出，PW电压选择电路的两个输入分别连接输入信号VIN和偏置电压VBULK，电荷泵电路的三个输入分别连接偏置电压VTOP、偏置电压VBOT和输入信号VIN，电荷泵电路的输出连接DNW电压选择电路的一个输入；DNW电压选择电路的另一个输入连接偏置电压VNS。/n

【技术特征摘要】
1.深N阱电压动态控制电路，包括PW电压选择电路和NMOS采样开关，其特征在于：还设置有电荷泵电路及DNW电压选择电路，所述NMOS采样开关的PW连接PW电压选择电路的输出、NMOS采样开关的DNW连接DNW电压选择电路的输出，PW电压选择电路的两个输入分别连接输入信号VIN和偏置电压VBULK，电荷泵电路的三个输入分别连接偏置电压VTOP、偏置电压VBOT和输入信号VIN，电荷泵电路的输出连接DNW电压选择电路的一个输入；DNW电压选择电路的另一个输入连接偏置电压VNS。


2.根据权利要求1所述的深N阱电压动态控制电路，其特征在于：所述NMOS采样开关的栅极连接驱动信号VG、源极接输入信号VIN、漏极连接输出信号VOUT、PSUB连接参考地GND。


3.根据权利要求2所述的深N阱电压动态控制电路，其特征在于：所述参考地GND为相对于NMOS开关内部电路所形成的0V。

【专利技术属性】
技术研发人员：杜翎，李昌红，吴霜毅，
申请(专利权)人：成都铭科思微电子技术有限责任公司，
类型：发明
国别省市：四川;51