一种低附加相移阵列型可变增益放大器制造技术

本发明专利技术涉及集成电路技术等领域，公开了一种低附加相移阵列型可变增益放大器，包括输入匹配结构、VGA核和输出匹配结构，所述VGA核包括至少两层阵列型Cascode放大器结构，且当为两层时：第一层阵列型Cascode放大器结构的第二端作为VGA核的射频信号输入端口，第一层阵列型Cascode放大器结构的第三端连接第二层阵列型Cascode放大器结构的第一端，第二层阵列型Cascode放大器结构的第二端通过单刀双掷开关连接电压源Von或电压源Voff，第二层阵列型Cascode放大器结构的第三端作为供电端口和VGA核的输出端口；解决了原单端结构存在的放大器的输出节点处的输出电容会随着该放大器增益的变化而变化的问题，最终实现了放大器在不同增益下输出相位恒定的技术效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路技术、电子电路设计技术等领域，具体的说，是一种低附加相移阵列型可变增益放大器。

技术介绍

1、雷达、卫星通信和5g通信技术的发展需要越来越多的无线设备采用相控阵体制。相控阵体制的天线各通道需要进行增益调节，调节通道增益的方案主要包括衰减器和可变增益放大器两种。衰减器一般采用无源结构，有更好的线性度和工作带宽，但插入损耗需要额外的增益级进行补偿并且版图面积较大。相比于无源结构，有源放大器具有正增益、能同时作为电路的信号放大单元、可调增益范围更大的特点，因此在某些场景下，有源结构比无源结构更受青睐。

2、目前，业内常采用以下三种放大器结构来实现放大器增益的有效控制：

3、第一种，电流舵(current steering)型可变增益放大器。如图1所示，其中，i表示电流源，r为上拉电阻，q0~q2、q1n~q2n表示晶体管(如三极管或者mos管等)，vout（为输出电压）。该放大器的工作原理可为：通过控制该放大器电路中的各共栅管(如q0~q2、q1n～q2n)的导通与截止，实现信号的分流，进而实现对放大器增益的有效控制本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种低附加相移阵列型可变增益放大器，包括输入匹配结构、VGA核和输出匹配结构，其特征在于：所述VGA核包括至少两层阵列型Cascode放大器结构，且当为两层时：第一层阵列型Cascode放大器结构的第二端作为VGA核的射频信号输入端口，第一层阵列型Cascode放大器结构的第三端连接第二层阵列型Cascode放大器结构的第一端，第二层阵列型Cascode放大器结构的第二端通过单刀双掷开关连接电压源Von或电压源Voff，第二层阵列型Cascode放大器结构的第三端作为供电端口和VGA核的输出端口。

2.根据权利要求1所述的一种低附加相移阵列型可变增益放大器，其特征在于：所...

【技术特征摘要】

1.一种低附加相移阵列型可变增益放大器，包括输入匹配结构、vga核和输出匹配结构，其特征在于：所述vga核包括至少两层阵列型cascode放大器结构，且当为两层时：第一层阵列型cascode放大器结构的第二端作为vga核的射频信号输入端口，第一层阵列型cascode放大器结构的第三端连接第二层阵列型cascode放大器结构的第一端，第二层阵列型cascode放大器结构的第二端通过单刀双掷开关连接电压源von或电压源voff，第二层阵列型cascode放大器结构的第三端作为供电端口和vga核的输出端口。

2.根据权利要求1所述的一种低附加相移阵列型可变增益放大器，其特征在于：所述第二层阵列型cascode放大器结构包括结构相同的输出阵列和镜像互补阵列，所述输出阵列的第三端作为vga核的输出端口，镜像互补阵列的第三端作为供电端口，输出阵列和镜像互补阵列的第二端通过单刀双掷开关连接电压源von或电压源voff，输出阵列和镜像互补阵列的第一端连接第一层阵列型cascode放大器结构的第三端；输出阵列的第二端通过去耦电容接地，输出阵列的第三端和第二端之间跨接了与输出阵列内晶体管管子尺寸成比例的可变电容管。

3.根据权利要求2所述的一种低附加相移阵列型可变增益放大器，其特征在于：所述输出阵列和镜像互补阵列皆包括至少2组尺寸成至少1倍比例变大的晶体管，输出阵列的各组晶体管第三极连接在一起作为vga核的输出端口，镜像互补阵列的各组晶体管第三极连接在一起作为供电端口连接电源vdd；输出阵列和镜像互补阵列中所有晶体管的第二极构成第二层阵列型cascode放大器结构的第二端，输出阵列和镜像互补阵列中所有的第一极构成第二层阵列型cascode放大器结构的第一端。

4.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘超，隆锐，熊荣，梁毅，
申请(专利权)人：成都铭科思微电子技术有限责任公司，
类型：发明
国别省市：