一种键合晶圆制造技术

本申请公开了一种键合晶圆，包括：相对设置的第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆具有第一凹部和与所述第一凹部底部连通的第二凹部，且所述第二凹部的宽度大于所述第一凹部的宽度，所述第二晶圆具有第一凸部和与所述第一凹部和所述第二凹部对应的第二凸部；位于所述第一晶圆与所述第二晶圆相对表面的第一金属层；位于所述第二晶圆与所述第一晶圆相对表面的第二金属层；侧壁覆盖有所述第一金属层的所述第一凹部的宽度不大于所述第二凸部远离所述第二凹部一端的宽度。第一金属层和第二金属层互融，第二凸部与第一晶圆的第一凹部和第二凹部紧密结合，从而使第一晶圆和第二晶圆不存在间隙，提升气密性。

【技术实现步骤摘要】
一种键合晶圆
本申请涉及半导体制造工艺
，特别是涉及一种键合晶圆。
技术介绍
晶圆键合技术是指通过化学和物理作用将两片晶圆紧密结合起来，这一过程可以形成器件的气密性空腔，从而提高器件的可靠性。目前，对两片晶圆进行键合时，在晶圆内在每个器件周边形成一圈密封圈，在器件的电极处形成键合点并采用硅通孔以及位于硅通孔上方的金属互连结构形成电极连接，在两片晶圆的表面形成的密封圈和键合点处沉积金属材料，然后通过键合技术，在一定条件下，两片晶圆键合点上的金属互融在一起，完成键合过程。另外，目前还有在位于上方的晶圆的键合点上做凸起结构，再进行键合的方式。对于大尺寸的晶圆，例如8寸、12寸，采用目前的键合方式使键合后器件的气密性并不好。由于晶圆尺寸比较大，键合面厚度均匀性无法做到完全一致，因此在键合过程中无法保证晶圆的整面区域都键合良好，可能存在区域性虚键合，特别边缘区域。在键合制程中，由于是平面和平面接触键合，若晶圆表面有残留或者其他掉落残留在键合面上，也会导致局部键合不良，影响键合后器件的气密性。因此，如何解决上述技术问题应是本领域技术人本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种键合晶圆，其特征在于，包括：/n相对设置的第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆具有第一凹部和与所述第一凹部底部连通的第二凹部，且所述第二凹部的宽度大于所述第一凹部的宽度，所述第二晶圆具有第一凸部和与所述第一凹部和所述第二凹部对应的第二凸部，所述第一凸部与所述第二凸部的根部相连；/n位于所述第一晶圆与所述第二晶圆相对表面的第一金属层；/n位于所述第二晶圆与所述第一晶圆相对表面的第二金属层；/n侧壁覆盖有所述第一金属层的所述第一凹部的宽度不大于所述第二凸部远离所述第二凹部一端的宽度。/n

【技术特征摘要】
1.一种键合晶圆，其特征在于，包括：
相对设置的第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆具有第一凹部和与所述第一凹部底部连通的第二凹部，且所述第二凹部的宽度大于所述第一凹部的宽度，所述第二晶圆具有第一凸部和与所述第一凹部和所述第二凹部对应的第二凸部，所述第一凸部与所述第二凸部的根部相连；
位于所述第一晶圆与所述第二晶圆相对表面的第一金属层；
位于所述第二晶圆与所述第一晶圆相对表面的第二金属层；
侧壁覆盖有所述第一金属层的所述第一凹部的宽度不大于所述第二凸部远离所述第二凹部一端的宽度。


2.如权利要求1所述的键合晶圆，其特征在于，所述第二凸部靠近所述第二凹部的一端的宽度小于远离所述第二凹部的一端的宽度。

【专利技术属性】
技术研发人员：王伟，杨金铭，胡念楚，贾斌，
申请(专利权)人：开元通信技术厦门有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35