一种用于氘处理的光纤承绕盘制造技术

一种用于氘处理的光纤承绕盘，涉及光纤技术领域，本实用新型专利技术包括桶体和法兰盘，所述桶体的两端分别与法兰盘固定连接，所述法兰盘内侧设置有通气槽。本实用新型专利技术的有益效果是当光纤在进行氘处理时，气体可以通过设置在法兰盘上的通气槽与法兰盘附近的光纤接触，并进行处理，提高了处理的效率和效果，降低了成本。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及光纤
，更具体的是涉及一种用于氘处理 的光纤承绕盘。技术背景光纤在拉制过程中会产生Si-0键的断裂，从而产生一些Si-O-自由基团，这些自由基团容易和H+离子生成Si-0H， 0H+离子在1350 1450nm波长范围会使光纤有很高的吸收损耗。所以低水峰光纤拉制 完成后都要经过氖处理，才能够经受得住长时间的含氢环境的侵蚀。 氘处理的原理是让氘和Si-O-自由基团形成Si-OD从而避免形成 Si-0H，这样在光纤的整个寿命期间，氢无法取代氘的位置，也就无 法形成OH+。可是，在现有进行氘处理的技术中存在一个缺陷，由于光纤是缠 绕在承绕盘上送入具有一定压力的氘处理室进行的。在经过一定时间 处理过程中，只有缠绕在外层的光纤可以充分接触到气体，而内层光 纤则通过氘气的渗透被处理，而更深处的和跟法兰接触并紧密贴合的 光纤则其处理效果与表层光纤相比是不一样的，同时效率也不高。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是，提供一种用于氘处理的光纤 承绕盘，可以使光纤在氘处理的过程中，缠绕在里层的光纤和与法兰 紧密接触的光纤也能够被处理气体充分滲透并处理。 本技术所述技术问题所采用的技术方案是， 一种用于氖处理 的光纤承绕盘，包括桶体和法兰盘，所述桶体的两端分别与法兰盘固 定连接，所述法兰盘内侧上设置有通气槽。进一步的，所述通气槽的一端延伸至法兰盘的边缘，另一端向法 兰盘的中心延伸至桶体。或者通气槽一端位于法兰盘的边缘内，另一 端向法兰盘的中心延伸至桶体。更进一步的，所述通气槽上设置有至少一个通孔，且在法兰盘上 为放射状设置。本技术的有益效果是，由于分别在法兰盘的内侧上设置有通 气槽或通孔，当光纤在进行氘处理的时候，可以使得外界处理气体通 过通气槽与跟法兰接触的光纤接触，克服了现有技术的缺点，提高了 一定时间内处理的光纤的数量和质量，降低了生产成本。以下结合附图说明和具体实施方式对本技术作进一步说明。附图说明图1是本技术实施例1的结构示意图。图2是本技术实施例1的主视图。 图3是图2中A-A向剖视图。 图4是本技术实施例2的结构示意图。 图5是本技术实施例2的主视图。 图6是图5中A-A向剖视图。图7是缠绕在本技术用于氘处理的光纤承绕盘上的光纤在 进行氘气处理时的原理图。具体实施方式实施例1参见图1 一 3 ，本技术用于氘处理的光纤承绕盘，包括桶体 3和法兰盘1，所述法兰盘1分别与桶体3的两端固定连接，在法兰 盘1的内侧面设置有通气槽2，所述通气槽2的一端延伸至法兰盘1 的边缘，另一端向法兰盘1的中心延伸。且通气槽2在法兰盘1上呈 均匀放射状分布，这样，在光纤巻绕在承绕盘上进行氖处理的时候， 处理气体可以通过法兰盘1上设置的通气槽2，从法兰盘l边缘处进 入到通气槽2内，对与法兰盘1接触的光纤进行渗透并处理。实施例2参见图4 — 6 ，本技术用于氘处理的光纤承绕盘，包括桶体 3和法兰盘1，所述法兰盘1分别与桶体3的两端固定连接，在法兰 盘1内侧面设置有通气槽2，所述通气槽2的一端位于法兰盘1边缘 内，另一端延伸至桶体，这样可以保证在承绕盘收线时光纤有良好的 排线状态；所述通气槽2上设置有与法兰盘1外侧面贯通的通孔4。 这样，当光纤巻绕在承绕盘上进行氘处理的时候，处理气体可以通过 法兰盘1上设置的通孔4进入到通气槽2内，对与法兰盘接触的光纤 进行渗透并处理。图7是缠绕在本技术用于氘处理的光纤承绕盘上的光纤在 进行氘气处理时的原理图。其中l为法兰盘，2为通气槽，4为通孔， 5为缠绕在用于氘处理的光纤承绕盘上的光纤，处理气体6可以通过 法兰盘1上的通气槽2或法兰边缘内的通气槽2上的通孔4进入对 与法兰盘1内侧附近的光纤5进行处理。结合本实施例的思路，所述通气槽2的作用在于将法兰盘1外的 处理气体导入，使处理气体更有效的对原来很难处理的跟法兰盘1紧 密接触的光纤进行处理。所以通气槽2还可以设置成其它形状，只要 达到使法兰盘1内侧附近光纤与外界处理气体相通的目的，任何基于 此思路的技术创造均属于本技术的保护范围。权利要求1、一种用于氘处理的光纤承绕盘，包括桶体(3)和法兰盘(1)，所述桶体(3)的两端分别与法兰盘(1)固定连接，其特征在于，所述法兰盘(1)内侧上设置有通气槽(2)。2、 如权利要求1所述的用于氖处理的光纤承绕盘，其特征在于， 所述通气槽(2) —端延伸至法兰盘(1)的边缘，另一端向法兰盘(1)的 中心延伸。3、 如权利要求l所述的用于氘处理的光纤承绕盘，其特征在于， 所述通气槽(2) —端位于法兰盘(1)的边缘内，另一端向法兰盘(1)的 中心延伸。4、 如权利要求3所述的用于氘处理的光纤承绕盘，其特征在于， 所述通气槽(2)上至少有一个通孔(4)。5、 如权利要求2或3所述的用于氘处理的光纤承绕盘，其特征 在于，所述通气槽(2)的另一端延伸至桶体(3)。6、 如权利要求1所述的用于氘处理的光纤承绕盘，其特征在于， 所述通气槽(2)在法兰盘(1)上呈放射状设置。专利摘要一种用于氘处理的光纤承绕盘，涉及光纤
，本技术包括桶体和法兰盘，所述桶体的两端分别与法兰盘固定连接，所述法兰盘内侧设置有通气槽。本技术的有益效果是当光纤在进行氘处理时，气体可以通过设置在法兰盘上的通气槽与法兰盘附近的光纤接触，并进行处理，提高了处理的效率和效果，降低了成本。文档编号G02B6/36GK201017070SQ20072007865公开日2008年2月6日 申请日期2007年3月1日 优先权日2007年3月1日专利技术者任建国, 刘文早, 张正涛, 强 杨, 梅 杨, 陈新建, 高虎军 申请人:成都中住光纤有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于氘处理的光纤承绕盘，包括桶体（３）和法兰盘（１），所述桶体（３）的两端分别与法兰盘（１）固定连接，其特征在于，所述法兰盘（１）内侧上设置有通气槽（２）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张正涛，刘文早，高虎军，任建国，杨梅，杨强，陈新建，
申请(专利权)人：成都中住光纤有限公司，
类型：实用新型
国别省市：90[中国|成都]