【技术实现步骤摘要】
本技术涉及光纤
，更具体的是涉及一种用于氘处理 的光纤承绕盘。技术背景光纤在拉制过程中会产生Si-0键的断裂，从而产生一些Si-O-自由基团，这些自由基团容易和H+离子生成Si-0H， 0H+离子在1350 1450nm波长范围会使光纤有很高的吸收损耗。所以低水峰光纤拉制 完成后都要经过氖处理，才能够经受得住长时间的含氢环境的侵蚀。 氘处理的原理是让氘和Si-O-自由基团形成Si-OD从而避免形成 Si-0H，这样在光纤的整个寿命期间，氢无法取代氘的位置，也就无 法形成OH+。可是，在现有进行氘处理的技术中存在一个缺陷，由于光纤是缠 绕在承绕盘上送入具有一定压力的氘处理室进行的。在经过一定时间 处理过程中，只有缠绕在外层的光纤可以充分接触到气体，而内层光 纤则通过氘气的渗透被处理，而更深处的和跟法兰接触并紧密贴合的 光纤则其处理效果与表层光纤相比是不一样的，同时效率也不高。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是，提供一种用于氘处理的光纤 承绕盘，可以使光纤在氘处理的过程中，缠绕在里层的光纤和与法兰 紧密接触的光纤也能够被处理气体充分滲透并处理。 本技术...
【技术保护点】
一种用于氘处理的光纤承绕盘，包括桶体（３）和法兰盘（１），所述桶体（３）的两端分别与法兰盘（１）固定连接，其特征在于，所述法兰盘（１）内侧上设置有通气槽（２）。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张正涛，刘文早，高虎军，任建国，杨梅，杨强，陈新建，
申请(专利权)人：成都中住光纤有限公司，
类型：实用新型
国别省市：90[中国|成都]
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