一种三维存储器的形成方法及三维存储器技术

本申请实施例公开了一种三维存储器的形成方法及三维存储器，其中，所述方法包括：形成堆叠结构的存储叠层；选取所述存储叠层中的至少一层作为待处理层，在第一方向上，对所述待处理层进行刻蚀，以形成沿第二方向交替排列的第一刻蚀间隙和第一相变结构体，所述第一方向垂直于所述第二方向；在每一所述第一相变结构体的表面形成第一粘结层；在所述第一粘结层的表面沉积第一封装层，形成所述三维存储器。

【技术实现步骤摘要】
一种三维存储器的形成方法及三维存储器
本申请实施例涉及半导体
，涉及但不限于一种三维存储器的形成方法及三维存储器。
技术介绍
相关技术中的三维存储器，如三维相变存储器（ThreeDimensionalPhaseChangeMemory，3DPCM）的存储单元由氮化硅薄层封装，以防止三维相变存储器中相变材料的扩散。然而，3DPCM中相变材料和相变材料上方、下方的电极与封装层之间的粘附性不好，容易引起相变材料沿电极材料的侧壁界面扩散以及相变材料的成分改变。
技术实现思路
有鉴于此，本申请实施例提供一种三维存储器的形成方法及三维存储器，能够提高三维存储器中电极与封装层之间的粘附性，防止相变材料沿电极材料的侧壁扩散。本申请实施例的技术方案是这样实现的：第一方面，本申请实施例提供一种三维存储器的形成方法，所述方法包括：形成堆叠结构的存储叠层；选取所述存储叠层中的至少一层作为待处理层，在第一方向上，对所述待处理层进行刻蚀，以形成沿第二方向交替排列的第一刻蚀间隙和第一相变结构体，所述第一方向垂本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三维存储器的形成方法，其特征在于，所述方法包括：/n形成堆叠结构的存储叠层；/n选取所述存储叠层中的至少一层作为待处理层，在第一方向上，对所述待处理层进行刻蚀，以形成沿第二方向交替排列的第一刻蚀间隙和第一相变结构体，所述第一方向垂直于所述第二方向；/n在每一所述第一相变结构体的表面形成第一粘结层；/n在所述第一粘结层的表面沉积第一封装层，形成所述三维存储器。/n

【技术特征摘要】
1.一种三维存储器的形成方法，其特征在于，所述方法包括：
形成堆叠结构的存储叠层；
选取所述存储叠层中的至少一层作为待处理层，在第一方向上，对所述待处理层进行刻蚀，以形成沿第二方向交替排列的第一刻蚀间隙和第一相变结构体，所述第一方向垂直于所述第二方向；
在每一所述第一相变结构体的表面形成第一粘结层；
在所述第一粘结层的表面沉积第一封装层，形成所述三维存储器。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成堆叠结构的存储叠层包括：由下至上依次堆叠形成中间电极层、相变材料层和顶部电极层；
所述选取所述存储叠层中的至少一层作为待处理层，包括：
选取所述相变材料层和所述顶部电极层作为所述待处理层；
对应地，所述在第一方向上，对所述待处理层进行刻蚀，包括：
在所述第一方向上，由上至下依次刻蚀所述顶部电极层和所述相变材料层，直至暴露出所述中间电极层为止；其中，刻蚀所述顶部电极层和所述相变材料层的刻蚀方向，与所述第一方向和所述第二方向垂直。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在每一所述第一相变结构体的表面形成第一粘结层，包括：
将特定类型的第一气体，以第一预设参数作用于每一所述第一相变结构体的表面，以实现在每一所述第一相变结构体中的所述中间电极层和所述顶部电极层的表面形成所述第一粘结层。


4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述特定类型的第一气体包括：任意一种含氮气体或含氮气体的等离子体，所述第一预设参数的类型至少包括：气体压力、气体流量或气体能量。


5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一相变结构体的表面具有第一粗糙度；所述方法还包括：
在每一所述第一相变结构体的表面形成第一粘结层之前，对每一所述第一相变结构体的表面进行粗糙化处理，得到处理后的第一相变结构体，其中，所述处理后的第一相变结构体的表面具有第二粗糙度，所述第二粗糙度大于所述第一粗糙度；
对应地，所述在每一所述第一相变结构体的表面形成第一粘结层，包括：
在每一所述处理后的第一相变结构体的表面形成所述第一粘结层。


6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述对每一所述第一相变结构体的表面进行粗糙化处理，得到处理后的第一相变结构体，包括：
将特定类型的第二气体，以第二预设参数作用于每一所述第一相变结构体的表面，实现对每一所述第一相变结构体的表面同时进行清洁处理和刻蚀处理，得到所述处理后的第一相变结构体，其中，所述特定类型的第二气体至少包括：任意一种惰性气体或惰性气体的等离子体。


7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述形成堆叠结构的存储叠层还包括：形成位于所述中间电极层之下的选通层、底部电极层和第一地址线层；
所述在所述第一粘结层的表面沉积第一封装层，形成所述三维存储器，包括：
在沉积所述第一封装层之后，在所述第一方向上，由上至下依次刻蚀所述中间电极层、所述选通层、所述底部电极层和所述第一地址线层，直至暴露出衬底为止，以形成沿所述第二方向交替排列的第二刻蚀间隙和第二相变结构体，其中，刻蚀所述中间电极层、所述选通层、所述底部电极层和所述第一地址线层的刻蚀方向，与所述第一方向和所述第二方向垂直；
在所述第二相变结构体的周围沉积第二封装层，形成所述三维存储器。


8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述第二相变结构体的周围沉积第二封装层，形成所述三维存储器，包括：
在每一所述第二相变结构体的表面形成第二粘结层；
在所述第二粘结层的表面沉积第二封装层，以形成所述三维存储器。


9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在每一所述第二相变结构体的表面形成第二粘结层，包括：
将特定类型的第三气体，以第三预设参数作用于每一所述第二相变结构体的表面，以实现在每一所述第二相变结构体中的所述中间电极层和所述底部电极层的表面形成所述第二粘结层，其中，所述特定类型的第三气体包括任意一种含氮气体或含氮气体的等离子体。


10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述第二相变结构体的周围沉积所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘峻，
申请(专利权)人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42