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本申请实施例公开了一种三维存储器的形成方法及三维存储器，其中，所述方法包括：形成堆叠结构的存储叠层；选取所述存储叠层中的至少一层作为待处理层，在第一方向上，对所述待处理层进行刻蚀，以形成沿第二方向交替排列的第一刻蚀间隙和第一相变结构体，所述...
该专利属于长江先进存储产业创新中心有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江先进存储产业创新中心有限责任公司授权不得商用。

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