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一种芯片巨量定位分布方法技术

技术编号:26847922 阅读:16 留言:0更新日期:2020-12-25 13:13
本发明专利技术涉及巨量转移技术领域,尤指一种芯片巨量定位分布方法。本发明专利技术芯片巨量定位分布方法是利用芯片的自磁性和L型止挡凸部,让芯片在磁性和重力作用下自动归位于定点位置,比较激光、芯片吸嘴和其他技术设备,在生产设备上的成本非常低。在生产速度上,由于是芯片自定位,生产速度也是众多技术中高速的。其中,本发明专利技术很容易做到冗余的方式,基板设计冗余的方式,只要把芯片成本做得比较低的话,在同一个功能区位准备多补充一个备位芯片,这样有坏点的时候,就能减少修复和重复转移的次数。因此,本发明专利技术可以实现低成本生产,可以快速进入手表、电视、车载屏幕量产。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片巨量定位分布方法
本专利技术涉及巨量转移
,尤指一种芯片巨量定位分布方法。
技术介绍
近年来,微型发光二极管(MicroLED,LED)的制作工艺日趋完善,相比传统显示面板,微型发光二极管具有尺寸更小、分辨率更高、亮度更高、发光效率更高、功耗更低等众多优点,因此也被认为是下一代显示技术的主流。通常发光二极管的制备流程是首先将二极管结构薄膜化、微小化、阵列化,使其尺寸仅在10~20微米左右,然后将微型发光二极管批量式转移至显示电路基板上,最后进行封装。其中,如何实现批量式转移则是此流程的关键难点,巨量转移技术也应运而生。目前在巨量转移技术上应用最多的是Micro-LED,如果定义芯片尺寸50μm以下,±1~2μm的精度差,作为MicroLED的一个标准,传统的方式才做到几千或1~2万的速度,如果要做到1~2小时组装完,则需要每小时一百万到一千万的转移速度,因此转移速度是非常重要的。所以,我们不仅要考虑巨量转移的方式,还要考虑巨量转移的成本。就组装技术来讲,现有技术不一定特别适合。在原有技术上如何进一步提高组装速度,同时保证精度,是一个问题。许多专利也在这方面做了一些探索,这里面涉及的技术很多,包括流体组装、stamp、激光转移、静电吸附、凡德瓦力、流体自组装、rolltoroll等。现在Micro-LED比较有可能实现量产的有大尺寸电视、手表屏幕、车载屏幕,如果从巨量转移来看,最先是手表,因为转移数量比较少,难度比较低。第二是电视领域,主要考虑成本,电视领域的竞争关系很微妙,一方面要跟LED小间距竞争,另一方面又要跟LCD竞争,这里面的关键就在于成本。
技术实现思路
为解决上述问题,本专利技术提供一种芯片巨量定位分布方法,可以实现低成本生产,快速进入手表、电视、车载屏幕量产。为实现上述目的,本专利技术采用的技术方案是:一种芯片巨量定位分布方法,包括以下顺序的步骤:S101,提供步骤:提供一基板以及复数个芯片,该复数个芯片各自具有一工作表面及一黏合面,该黏合面各自设有一环境感应型黏合构件,该基板的表面设有复数个止挡凸部,每个止挡凸部为挡止一个芯片而使该个芯片被置位于该个止挡凸部的一芯片置位区;S102,散布步骤;将该复数个芯片散布至该基板的表面;S103,倾斜步骤:将该基板倾斜一角度,使该复数个芯片在该基板的表面滑移而使该止挡凸部挡止该复数个芯片进而将该复数个芯片予以置位于该芯片置位区;S105,黏合步骤:使各个该复数个芯片中的该工作表面朝上的芯片黏合于该芯片置位区;S106,去除步骤:去除该基板上未黏合的该芯片;S107,重复步骤:重复执行该散布步骤、该倾斜步骤、该均匀步骤、该黏合步骤及该去除步骤;S108,修补步骤:将未黏合的该芯片黏合于该芯片置位区。进一步地,在S101提供步骤中,提供的该芯片为该工作表面的焊点图案为四重旋转对称的芯片,芯片包括焊点和芯片功能区,焊点的金属成分包含磁性元素铁、钴、镍、钕、硼、钐、镧系稀土元素和人工合成复合铁磁性材料。其中,在S101提供步骤中,提供的该基板的该止挡凸部为形状对应该复数个芯片的外轮廓。进一步地,在S101提供步骤中,提供的该基板的该止挡凸部为L型止挡凸部,L型止挡凸部材料成分包含磁性元素铁、钴、镍、钕、硼、钐、镧系稀土元素和人工合成复合铁磁性材料,可由基板的电性控制特定L型止挡凸部位置的磁性。此外,还包括S104均匀步骤,施加外力使该复数个芯片均匀散布于该基板的该表面,并且将多余芯片在施加外力时移除。进一步地,在S105黏合步骤中,还包括以下步骤:S1051,加热步骤:对该基板的表面加热,使该复数个芯片中的该工作表面朝上的芯片的该环境感应型黏合构件受热而黏合于该芯片置位区;S1052,降温步骤:对该基板的表面降温,以降温该基板上的该芯片的环境感应型黏合构件;S1053,照光步骤:对该基板照光,使该复数个芯片中的该黏合面朝向该基板的芯片的环境感应型黏合构件受光照而黏合于该芯片置位区。其中,在S1052降温步骤中,该环境感应型黏合构件为热感型黏合构件;在S1053照光步骤中,该环境感应型黏合构件为光感型黏合构件。进一步地,在S106去除步骤中,该芯片系以一吸嘴吸取未黏合的芯片。进一步地,在S107重复步骤中,达成芯片巨量定位分布100%。进一步地,在S108修补步骤中,在空缺位置将未黏合的该芯片黏合于该芯片置位区,并完成布线。本专利技术的有益效果在于:本专利技术芯片巨量定位分布方法是利用芯片的自磁性和L型止挡凸部,让芯片在磁性和重力作用下自动归位于定点位置,比较激光、芯片吸嘴和其他技术设备,在生产设备上的成本非常低。在生产速度上,由于是芯片自定位,生产速度也是众多技术中高速的。其中,本专利技术很容易做到冗余的方式,基板设计冗余的方式,只要把芯片成本做得比较低的话,在同一个功能区位准备多补充一个备位芯片,这样有坏点的时候,就能减少修复和重复转移的次数。因此,本专利技术可以实现低成本生产,可以快速进入手表、电视、车载屏幕量产。附图说明图1是本专利技术实施例芯片巨量定位分布方法的流程图。图2是本专利技术实施例芯片的工作表面示意图。图3是本专利技术实施例基板的示意图。图4是本专利技术实施例基板的L型止挡凸部示意图。图5是本专利技术实施例倾斜步骤的示意图。图6是本专利技术实施例的布线示意图。附图标号说明:1.基板;11.止挡凸部;12.芯片置位区;2.芯片;21.焊点;22.功能区。具体实施方式下面通过具体实施方式结合附图对本专利技术作进一步详细说明。本申请可以以多种不同的形式来实现,并不限于本实施例所描述的实施方式。提供以下具体实施方式的目的是便于对本申请公开内容更清楚透彻的理解,其中上、下、左、右等指示方位的字词仅是针对所示结构在对应附图中位置而言。请参阅图1-5所示,本专利技术关于一种芯片巨量定位分布方法,包括以下顺序的步骤:S101,提供步骤:提供一基板1以及复数个芯片2,该复数个芯片2各自具有一工作表面及一黏合面,该黏合面各自设有一环境感应型黏合构件,该基板1的表面设有复数个止挡凸部11,每个止挡凸部11为挡止一个芯片2而使该个芯片2被置位于该个止挡凸部11的一芯片置位区12;S102,散布步骤;将该复数个芯片2散布至该基板1的表面;S103,倾斜步骤:将该基板1倾斜一角度,使该复数个芯片2在该基板1的表面滑移而使该止挡凸部11挡止该复数个芯片2进而将该复数个芯片2予以置位于该芯片置位区12;S104,均匀步骤:施加外力使该复数个芯片2均匀散布于该基板1的该表面,并且将多余芯片2在施加外力时移除;S105,黏合步骤:使各个该复数个芯片2中的该工作表面朝上的芯片2黏合于该芯片置位区12;S106,去除步骤:去除该基板1上未黏合的该芯片2;S107,重复步骤:重复执行该散布步骤、该倾斜步骤、该均匀本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种芯片巨量定位分布方法,其特征在于:包括以下顺序的步骤:/nS101,提供步骤:提供一基板以及复数个芯片,该复数个芯片各自具有一工作表面及一黏合面,该黏合面各自设有一环境感应型黏合构件,该基板的表面设有复数个止挡凸部,每个止挡凸部为挡止一个芯片而使该个芯片被置位于该个止挡凸部的一芯片置位区;/nS102,散布步骤;将该复数个芯片散布至该基板的表面;/nS103,倾斜步骤:将该基板倾斜一角度,使该复数个芯片在该基板的表面滑移而使该止挡凸部挡止该复数个芯片进而将该复数个芯片予以置位于该芯片置位区;/nS105,黏合步骤:使各个该复数个芯片中的该工作表面朝上的芯片黏合于该芯片置位区;/nS106,去除步骤:去除该基板上未黏合的该芯片;/nS107,重复步骤:重复执行该散布步骤、该倾斜步骤、该均匀步骤、该黏合步骤及该去除步骤;/nS108,修补步骤:将未黏合的该芯片黏合于该芯片置位区。/n

【技术特征摘要】
1.一种芯片巨量定位分布方法,其特征在于:包括以下顺序的步骤:
S101,提供步骤:提供一基板以及复数个芯片,该复数个芯片各自具有一工作表面及一黏合面,该黏合面各自设有一环境感应型黏合构件,该基板的表面设有复数个止挡凸部,每个止挡凸部为挡止一个芯片而使该个芯片被置位于该个止挡凸部的一芯片置位区;
S102,散布步骤;将该复数个芯片散布至该基板的表面;
S103,倾斜步骤:将该基板倾斜一角度,使该复数个芯片在该基板的表面滑移而使该止挡凸部挡止该复数个芯片进而将该复数个芯片予以置位于该芯片置位区;
S105,黏合步骤:使各个该复数个芯片中的该工作表面朝上的芯片黏合于该芯片置位区;
S106,去除步骤:去除该基板上未黏合的该芯片;
S107,重复步骤:重复执行该散布步骤、该倾斜步骤、该均匀步骤、该黏合步骤及该去除步骤;
S108,修补步骤:将未黏合的该芯片黏合于该芯片置位区。


2.根据权利要求1所述的一种芯片巨量定位分布方法,其特征在于:在S101提供步骤中,提供的该芯片为该工作表面的焊点图案为四重旋转对称的芯片,芯片包括焊点和芯片功能区,焊点的金属成分包含磁性元素铁、钴、镍、钕、硼、钐、镧系稀土元素和人工合成复合铁磁性材料。


3.根据权利要求1所述的一种芯片巨量定位分布方法,其特征在于:在S101提供步骤中,提供的该基板的该止挡凸部为形状对应该复数个芯片的外轮廓。


4.根据权利要求1所述的一种芯片巨量定位分布方法,其特征在于:在S101提供步骤中,提供的该基板的该止挡凸部为L型止挡凸部,L型止挡凸部材料成分包含磁性元素...

【专利技术属性】
技术研发人员:林健峯
申请(专利权)人:林健峯
类型:发明
国别省市:广东;44

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