Micro-LED芯片的转移方法技术

本发明专利技术提供一种Micro‑LED芯片的转移方法，所述Micro‑LED芯片的转移方法包括以下步骤：提供第一基板，所述第一基板上设有多个第一电极；提供第二基板，所述第二基板上设有多个第一Micro‑LED芯片，多个所述第一Micro‑LED芯片与多个所述第一电极对应设置；将多个所述第一Micro‑LED芯片与多个所述第一电极进行键合；去除所述第二基板。本发明专利技术的Micro‑LED芯片的转移方法，提高了第一Micro‑LED芯片的转移效率和转移精度，从而提高了最终制造得到的Micro‑LED显示器的生产周期和良率，节省了Micro‑LED显示器的制造成本，使其适于量产。

【技术实现步骤摘要】
Micro-LED芯片的转移方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种Micro-LED芯片的转移方法。
技术介绍
微米级发光二极管(Micro-LightEmittingDiode，Micro-LED)显示器是一种以Micro-LED芯片作为像素点的自发光显示器，因其具有高亮度、高发光效率和低功耗等优点，逐渐成为了业界发展的新标杆。Micro-LED显示器在制造的过程中，通常采用巨量转移技术将巨量的Micro-LED芯片转移至基板上，其中，巨量用以表示数量巨多，例如成千上万乃至更多。但现有的巨量转移技术都存在一个较大的问题，即，巨量的Micro-LED芯片的转移效率和转移精度都比较低，因此导致最终制造得到的Micro-LED显示器的生产周期长且良率低。
技术实现思路
因此，有必要提供一种Micro-LED芯片的转移方法，用以解决在Micro-LED芯片的转移过程中转移效率和转移精度低，从而造成最终制造得到的Micro-LED显示器的生产周期长且良率低的问题。本专利技术提供一种Micro-LED芯片的转移本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Micro-LED芯片的转移方法，其特征在于，所述Micro-LED芯片的转移方法包括以下步骤：/n提供第一基板，所述第一基板上设有多个第一电极；/n提供第二基板，所述第二基板上设有多个第一Micro-LED芯片，多个所述第一Micro-LED芯片与多个所述第一电极对应设置；/n将多个所述第一Micro-LED芯片与多个所述第一电极进行键合；/n去除所述第二基板。/n

【技术特征摘要】
1.一种Micro-LED芯片的转移方法，其特征在于，所述Micro-LED芯片的转移方法包括以下步骤：
提供第一基板，所述第一基板上设有多个第一电极；
提供第二基板，所述第二基板上设有多个第一Micro-LED芯片，多个所述第一Micro-LED芯片与多个所述第一电极对应设置；
将多个所述第一Micro-LED芯片与多个所述第一电极进行键合；
去除所述第二基板。


2.如权利要求1所述的Micro-LED芯片的转移方法，其特征在于，在所述步骤“将多个所述第一Micro-LED芯片与多个所述第一电极进行键合”之前，所述Micro-LED芯片的转移方法还包括：
采用吸附技术，将多个所述第一Micro-LED芯片置于多个所述第一电极上。


3.如权利要求2所述的Micro-LED芯片的转移方法，其特征在于，所述吸附技术为真空吸附、静电力吸附、范德华力吸附、磁力吸附或自组装吸附。


4.如权利要求1所述的Micro-LED芯片的转移方法，其特征在于，所述步骤“将多个所述第一Micro-LED芯片与多个所述第一电极进行键合”具体为：
采用倒装芯片焊技术将多个所述第一Micro-LED芯片与多个所述第一电极进行键合。


5.如权利要求1所述的Micro-LED芯片的转移方法，其特征在于，所述第一基板为阵列基板。


6.如权利要求1所述的Micro-LED芯片的转移方法，其特征在于，所述第一电极为铜垫。


7.如权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆骅俊，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44