【技术实现步骤摘要】
确定晶片掰片位置的方法
本公开涉及半导体衬底制造领域,尤其涉及一种确定晶片掰片位置的方法。
技术介绍
砷化镓作为一种重要的III-V族直接带隙化合物半导体材料,因其电子迁移率高、禁带宽度大、消耗功率低等特性在微电子和光电子器件领域得到广泛的应用。砷化镓在微波器件、发光器件方面展现出了巨大的发展潜力,特别是目前红光LED和LD器件领域,砷化镓仍为主流衬底材料。在加工过程中,因为各种原因(例如客户对定位边的特殊要求;有缺陷大尺寸晶片/晶体改制加工小尺寸晶片……)需要使用掰片方法改制晶片,有些情况需要根据晶片缺陷确定合格区域,在这种状况下,需要利用晶棒头尾片确定晶片合格区域,并在其他晶片标示出来。如果要保证每片晶片合格,需要精确地确定每片晶片的掰片位置。
技术实现思路
鉴于晶片加工过程的需要,本公开的一目的在于提供一种确定晶片掰片位置的方法,其能精确地确定每片晶片的掰片位置。在一些实施例中,本公开提供了一种确定晶片掰片位置的方法,包括以下步骤:S1:设置第一晶片和模板,在第一晶片上设置定位边,在 ...
【技术保护点】
1.一种确定晶片掰片位置的方法,其特征在于,包括以下步骤:/nS1:设置第一晶片(1)和模板(2),在第一晶片(1)上设置定位边,在模板(2)上设置定位边和定位孔,利用模板(2)在第一晶片(1)上标记出掰片区域(B1)和掰制中心(C1);/nS2:设置标示图(F),使标示图(F)中的长度和宽度均大于待掰制晶片(3)的直径,标示图(F)中的最小刻度为1mm;/nS3:将第一晶片(1)放在标示图(F)上,并利用第一晶片(1)上的定位边对第一晶片(1)进行定位,利用掰制中心(C1)在标示图(F)做出用于后续待掰制晶片(3)定位的定位标记,并将第一晶片(1)从标示图(F)上取下;/ ...
【技术特征摘要】
1.一种确定晶片掰片位置的方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:设置第一晶片(1)和模板(2),在第一晶片(1)上设置定位边,在模板(2)上设置定位边和定位孔,利用模板(2)在第一晶片(1)上标记出掰片区域(B1)和掰制中心(C1);
S2:设置标示图(F),使标示图(F)中的长度和宽度均大于待掰制晶片(3)的直径,标示图(F)中的最小刻度为1mm;
S3:将第一晶片(1)放在标示图(F)上,并利用第一晶片(1)上的定位边对第一晶片(1)进行定位,利用掰制中心(C1)在标示图(F)做出用于后续待掰制晶片(3)定位的定位标记,并将第一晶片(1)从标示图(F)上取下;
S4:将待掰制晶片(3)待放在标示图(F)上,利用步骤S3中的定位标记对待掰制晶片(3)进行定位,并在待掰制晶片(3)上标示定位点;
S5:将模板(2)放在待掰制晶片(3)上,并通过模板(2)上的定位边对模板(2)进行定位,同时使待掰制晶片(3)的定位点与模板(2)的定位孔重合,沿着模板(2)的边缘在待掰制晶片(3)标记出待掰片区域(B2),得到晶片掰片位置。
2.根据权利要求1所述的确定晶片掰片位置的方法,其特征在于,第一晶片(1)与待掰制晶片(3)的尺寸相同,第一晶片(1)的掰片区域(B1)与待掰片区域(B2)尺寸相同,模板(2)与待掰片区域(B2)尺寸相同。
3.根据权利要求1所述的确定晶片掰片位置的方法,其特征在于,在步骤S1中,第一晶片(1)上有第一定位边(11)和第二定位边(12),模板(2)上有第三定位边(21)和第四定位边(22);
在模板(2)的中心挖圆孔(C2)作为定位孔。
4.根据权利要求3所述的确定晶片掰片位置的方法,其特征在于,在步骤S3中,第一定位边(11)与标示图(F)的第一坐标轴(A1)重合,第二定位边...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴春龙,马金峰,唐勇,
申请(专利权)人:广东先导先进材料股份有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。