光阻脱除剂和电子元件及其制造方法技术

一种光阻脱除剂，包括由式1表示的醇醚类化合物、选自式2表示的化合物、式3表示的化合物及其混合物的极性溶剂以及至少一种由式4表示的仲醇胺或叔醇胺，其中n为1～3的整数；R

【技术实现步骤摘要】
光阻脱除剂和电子元件及其制造方法本申请是申请日为2014年11月7日、中国申请号为201410625929.3、专利技术名称为“光阻脱除剂和电子元件及其制造方法”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术是有关于一种光阻脱除剂，且特别是有关于一种含有仲或叔醇胺、含有极性溶剂更含有醇醚类化合物的光阻脱除剂。先前技术一般来说，半导体积体电路的制程基本上是通过以下步骤进行：在基板上形成材料层；将光阻涂布在该材料层上；选择性地对光阻进行曝光及显影，以形成图案；以光阻图案作为遮罩，对该材料层进行蚀刻，进而将微电路图案转移至光阻下层；最后，使用光阻剥除剂，将不必要的光阻层移除。对光阻剥除剂来说，其高剥除能力和低腐蚀性是两样基本的要求。高剥除能力确保在冲洗之后没有光阻材料残留在基板上；而低腐蚀性则是避免光阻下层的金属或介电材料受损。此外，光阻剥除剂还可能额外要求高温稳定性、低挥发性、储存稳定性、低毒性等特性。
技术实现思路
本专利技术提供一种光阻脱除剂，可以在去除光阻的同时对光阻下层材料保持良好抗腐蚀效果。本专利技术另外提供使本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光阻脱除剂，包括：/n醇醚类化合物，由式1表示；/n极性溶剂，选自式2表示的化合物、式3表示的化合物及其混合物；以及/n至少一种仲醇胺或至少一种叔醇胺，由式4表示或为1-(2-羟乙基)哌嗪；/n

【技术特征摘要】
20131115 TW 1021416661.一种光阻脱除剂，包括：
醇醚类化合物，由式1表示；
极性溶剂，选自式2表示的化合物、式3表示的化合物及其混合物；以及
至少一种仲醇胺或至少一种叔醇胺，由式4表示或为1-(2-羟乙基)哌嗪；




其中
n为1～3的整数，
R1为C1-C4烷基，
R2各自独立为氢或甲基，
X1和X2分别为C1-C4亚烷基、C2-C4亚烯基、>Rx-COOH或>RyOH，其中Rx为C1-C3连结基，Ry为C1-C4连结基，
R3为H、C1-C4烷基或-RzOH，其中Rz为C1-C4连结基，
R4和R5分别为C1-C4亚烷基，且Y1和Y2分别为H或-OH，且R3、Y1和Y2中的至少一者含有-OH。


2.如权利要求1所述的光阻脱除剂，其中水的含量小于10重量％。


3.如权利要求1所述的光阻脱除剂，其包括该叔醇胺、该醇醚类化合物和该极性溶剂，且该...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱翊祯，卢厚德，
申请(专利权)人：达兴材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71