【技术实现步骤摘要】
一种透射电镜高分辨原位温差加压芯片及其制备方法
本专利技术涉及原位表征领域,具体是涉及一种透射电镜高分辨原位温差加压芯片及其制备方法。
技术介绍
原位透射电镜技术以其超高空间分辨率(原子级)以及超快时间分辨率(毫秒级)的优势而被广泛应用于各个科学领域中,这为研究人员对新型材料微观结构的探索提供全新的思路和研究方法。主要表现为在电镜中搭建可视化的窗口,引入比如热场、光场、电化学场等外场作用,对样品进行实时动态的原位测试。研究学者可以通过原位测试技术捕获样品对环境的动态感应,包括尺寸、形态、晶体结构、原子结构、化学健、热能变化等重要信息。外场作用下材料在原子尺度的形态变化成为了材料研究和开发的根本。可以广泛用于显微结构分析、纳米材料研究的观测等,在生物、材料、半导体电子材料方面具有极高的应用价值。目前对微米级材料实现温差功能的芯片结构有悬浮式和桥路式,桥路法是把样品放置在两加热丝之间,两端分别用于加热和测温,在加热或者受力的情况下,悬臂梁很容易受到破坏;悬浮式结构虽然精度高,可以测量尺寸为数十纳米的材料,然而两个加热单元 ...
【技术保护点】
1.一种透射电镜高分辨原位温差加压芯片,其特征在于:包括双面覆盖有绝缘层的基片,该基片的正面上设置有呈左右镜像设置的两加热加压单元;每一加热加压单元均包括两加热电极、一加压电极、一加热丝和一加压电路,其中两个加热电极和一加压电极分布在基片的同侧边缘;加热丝和加压电路布设于基片的中部,并形成一加热加压区,两加热加压单元的加热加压区之间具有一缝隙;所述加热丝通过两加热线路与两加热电极分别连接,所述加压电路通过一加压线路与加压电极连接,该基片上除用于支撑加热加压单元、两加热线路以及一加压线路外的其它区域呈镂空设置。/n
【技术特征摘要】
1.一种透射电镜高分辨原位温差加压芯片,其特征在于:包括双面覆盖有绝缘层的基片,该基片的正面上设置有呈左右镜像设置的两加热加压单元;每一加热加压单元均包括两加热电极、一加压电极、一加热丝和一加压电路,其中两个加热电极和一加压电极分布在基片的同侧边缘;加热丝和加压电路布设于基片的中部,并形成一加热加压区,两加热加压单元的加热加压区之间具有一缝隙;所述加热丝通过两加热线路与两加热电极分别连接,所述加压电路通过一加压线路与加压电极连接,该基片上除用于支撑加热加压单元、两加热线路以及一加压线路外的其它区域呈镂空设置。
2.根据权利要求1所述的透射电镜高分辨原位温差加压芯片,其特征在于:每一加热加压单元的两加热线路以及一加压线路分别位于一悬臂上,三个悬臂呈“丁”字形布设,且加热丝布设于三个悬臂的交汇处。
3.根据权利要求1所述的透射电镜高分辨原位温差加压芯片,其特征在于:所述加压电路相对于加热丝更靠近缝隙。
4.根据权利要求1所述的透射电镜高分辨原位温差加压芯片,其特征在于:所述加热丝以及与其相连接的两加热电极构成一等效电路,该等效电路可同时实现对加热丝供电加热和实时监控加热丝发热后的电阻值。
5.根据权利要求1所述的透射电镜高分辨原位温差加压芯片,其特征在于:所述基片为硅基片,所述绝缘层为氮化硅或者氧化硅绝缘层。
6.根据权利要求1所述的透射电镜高分辨原位温差加压芯片,其特征在于:该透射电镜高分辨原位温差加压芯片的芯片外形尺寸为2mm*2mm-10mm*10mm或者4mm*6mm。
7.根据权利要求1所述的透射电镜高分辨原位温差加压芯片,其特征在于:所述基片正面和背面上的绝缘层厚度为5-200nm,基片的厚度为50-500um。
8.根据权利要求1所述的透射电镜高分辨原位温差加压芯片,其特征在于:所述缝隙的尺寸为0.002mm*3.0mm-0.01mm*3.5mm。
9.根据权利要求2所述的透射电镜高分辨...
【专利技术属性】
技术研发人员:廖洪钢,何娜娜,江友红,
申请(专利权)人:厦门大学,
类型:发明
国别省市:福建;35
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