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基于石英晶体微天平评估光刻胶光刻效率的方法技术

技术编号:26843497 阅读:34 留言:0更新日期:2020-12-25 13:03
本发明专利技术提供了一种基于石英晶体微天平评估光刻胶光刻效率的方法,首先将光刻胶通过QCM芯片,光刻胶黏附于芯片表面上;然后将附有光刻胶的芯片置于的透光模块中,选用照射光源对芯片表面的光刻胶进行曝光处理,同时采集QCM的信号的变化,利用信号发生变化的时刻与曝光处理之间的时间长度来确定光刻胶的敏感度;利用信号发生变化的时刻与信号变为恒定的时刻之间的时间长度来分析光刻胶的对比度。此测量方法简单便捷,可以对光刻胶的对比度以及敏感度做到实时动态评估。

【技术实现步骤摘要】
基于石英晶体微天平评估光刻胶光刻效率的方法
本专利技术涉及仪器检测
,尤其是基于石英晶体微天平评估光刻胶光刻效率的方法。
技术介绍
石英晶体微天平(Quartzcrystalmicrobalance,简称QCM)是一种利用石英晶体压电效应检测表面质量变化的仪器;当外部施加一个电场时,晶体会产生机械振动,当石英晶体的厚度为电极的机械振荡波半波长奇数倍时就会发生共振,关于真空中其共振频率变化(Δfn)与面均质量变化的关系由Sauerbrey方程可以得到。其中n=1,3,5,7,9,11,13时,fn与Δfn是n阶的频率及其变化值,c是常数,对于AT切割的5MHz的QCM芯片来说,约为17.7ngHz-1cm-2;QCM被广泛应用于化学、物理、生物、医学和表面科学等研究领域中,用以进行气体、液体的成分分析以及微质量的测量、薄膜厚度进行检测等。此外,QCM在真空镀膜领域作为在线厚度监测设备已取得巨大的成功,在表面质量检测和化学检测方面也得到了广泛的应用。光刻胶,又称光致抗蚀剂,具有光化学敏感性,在光的照射下溶解度发生变化,本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于石英晶体微天平评估光刻胶光刻效率的方法,其特征在于,/n首先将光刻胶通过QCM芯片,光刻胶黏附于芯片表面上;然后将附有光刻胶的芯片置于的透光模块中,选用照射光源对芯片表面的光刻胶进行曝光处理,同时采集QCM的信号的变化,利用信号发生变化的时刻与曝光处理之间的时间长度来确定光刻胶的敏感度;利用信号发生变化的时刻与信号变为恒定的时刻之间的时间长度来分析光刻胶的对比度。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于石英晶体微天平评估光刻胶光刻效率的方法,其特征在于,
首先将光刻胶通过QCM芯片,光刻胶黏附于芯片表面上;然后将附有光刻胶的芯片置于的透光模块中,选用照射光源对芯片表面的光刻胶进行曝光处理,同时采集QCM的信号的变化,利用信号发生变化的时刻与曝光处理之间的时间长度来确定光刻胶的敏感度;利用信号发生变化的时刻与信号变为恒定的时刻之间的时间长度来分析光刻胶的对比度。


2.根据权利要求1所述的基于石英晶体微天平评估光刻胶光刻效率的方法,其特征在于,所采集的QCM的信号为共振频率△F的信号变化,以从曝光处理起始时刻t1到QCM的共振频率曲线开始发生变化再次稳定后的时刻t3之间的时间长度△T来确定光刻胶的敏感度;
QCM的共振频率曲线开始发生变化的t2时刻的曝光能量为D0,从t2时刻起到QCM的共振频率曲线不再发生变化的时刻t3的曝光能量为D100,通过D0、D100计算光刻胶的对比度。


3.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员:汪杰刘磊董明东
申请(专利权)人:江苏大学
类型:发明
国别省市:江苏;32

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