光波导及其制造方法技术

技术编号:2682129 阅读:137 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
公开一种具有特殊的掺杂剂分布的光波导,所述掺杂剂分布能够减小光波导的变形并且减小其中存在的残留应力,从而避免双折射。还公开一种制造光波导的方法。该光波导包括:基片;用掺杂剂掺杂的下包层,该掺杂剂的含量在下包层的厚度方向上连续地变化,使得下包层呈现在其厚度方向上变化的折射率分布;以及在下包层上形成的芯层。(*该技术在2020年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光波导,更详细地说,涉及具有能够减小其变形和存在于其中的应力从而避免了双折射的特殊掺杂剂分布的光波导。本专利技术还涉及制造这种光波导的方法。光波导是一种适合于在纵方向上传播光波、同时把这些光波限制在一定的横截面范围内从而降低光波传播损耗的传输路径。通常,这种光波导包括芯子和表现出比该芯子的折射率低的折射率的包层。为了制造这种光波导,普遍使用的是火焰水解淀积法,其中,在基片上顺序地形成下包层、芯层和上包层。根据火焰水解淀积法,通过利用氧和氢火焰使诸如SiCl4,GeCl4,POCl3,BCl3等等化学物质氧化和水解,在基片上淀积粉尘。然后,在烧结炉中在高温下把淀积的粉尘烧结,以便获得透明的二氧化硅薄膜。附图说明图1图解说明这样一种状态,其中,用于按照传统方法制造光波导的硅基片由于该硅基片和在该硅基片上形成的下包层之间的热膨胀系数的差别以及所述下包层的玻璃化(glassification)温度而变形。通常,硅基片110的热膨胀系数高于在其上面形成的下包层120的热膨胀系数。由于这种热膨胀系数差异的缘故,在下包层120经高温烧结之后又冷却的工艺过程中,硅基片110和下包本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光波导,它包括:基片;用掺杂剂掺杂的下包层,所述掺杂剂的含量在所述下包层的厚度方向上连续地变化,使得所述下包层呈现在其厚度方向上变化的折射率分布;以及在所述下包层上形成的芯层。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:宋永挥金泰勋郑善太
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:KR[韩国]

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