掩膜托架制造技术

本实用新型专利技术为掩膜托架，在通过向上沉积方式进行制膜时能防止半导体衬底中在应被掩膜托架遮挡的区域形成不希望的制膜。用于太阳能电池单元的制造工序中，太阳能电池单元具有矩形的半导体衬底、透明导电层和多个集电电极，透明导电层在半导体衬底中的至少一侧的主面中除了外缘区域以外的区域及除了通过与一边大致平行的直线划定多个矩形的小方框的边界线区域以外的区域通过向上沉积方式制膜形成，多个集电电极形成在透明导电层上，掩膜托架具有在进行制膜时该开口部被半导体衬底覆盖并具有在上下方向延伸的空间的开口部，开口部具有从下方对半导体衬底的外缘区域进行保持的外缘保持部；从下方对半导体衬底的边界线区域进行保持的边界线区域保持部。

【技术实现步骤摘要】
掩膜托架
本技术涉及太阳能电池单元的制造工序中所使用的掩膜托架。
技术介绍
在国际公开第2016/52046号文献中公开了一种制膜方法，即在半导体衬底的主面形成透明导电层时，通过向上沉积(Depositionup)方式进行制膜。向上沉积方式也称作面朝下(facedown)方式，该方式以将欲进行制膜的面朝向下方的方式配置半导体衬底，并使从位于半导体衬底的下方的蒸镀源向上方飞起的蒸镀粒子在半导体衬底上成膜。在向上沉积方式中，使用形成有开口部的掩膜托架，该开口部具有在厚度方向上延伸的空间，在该掩膜托架的上方载置半导体衬底，并在掩膜托架的下方配置蒸镀源来进行制膜。在国际公开第2016/52046号中，着眼于在将半导体衬底向掩膜托架进行载置时在半导体衬底上产生的挠曲，公开了在开口部中的边缘部(与半导体衬底接触的部分)上设置锥面的内容。通过这样设置锥面，使半导体衬底中被掩膜托架遮挡的区域中的、半导体衬底与掩膜托架之间的空隙减少。因此，即使当载置于掩膜托架上的半导体衬底上发生挠曲时，也能够抑制半导体衬底中在原本应被掩膜托架遮挡的区域成膜，因进行了不希本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掩膜托架，在太阳能电池单元的制造工序中使用掩膜，该太阳能电池单元具有：矩形的半导体衬底、透明导电层、和多个集电电极，其中，所述透明导电层在所述半导体衬底中的至少一侧的主面中的除了外缘区域以外的区域上及除了边界线区域以外的区域上通过向上沉积方式进行制膜而形成，其中，所述边界线区域是通过与所述主面的一边平行的直线划定多个矩形的小方框，多个所述集电电极形成在所述透明导电层上，其特征在于，/n所述掩膜托架具有开口部，在进行所述制膜时该开口部被所述半导体衬底覆盖，并具有在上下方向延伸的空间，/n所述开口部具有：从下方对所述半导体衬底的所述外缘区域进行保持的外缘保持部；从下方对所述半导体衬底的所述...

【技术特征摘要】
20190212 JP 2019-0228131.一种掩膜托架，在太阳能电池单元的制造工序中使用掩膜，该太阳能电池单元具有：矩形的半导体衬底、透明导电层、和多个集电电极，其中，所述透明导电层在所述半导体衬底中的至少一侧的主面中的除了外缘区域以外的区域上及除了边界线区域以外的区域上通过向上沉积方式进行制膜而形成，其中，所述边界线区域是通过与所述主面的一边平行的直线划定多个矩形的小方框，多个所述集电电极形成在所述透明导电层上，其特征在于，
所述掩膜托架具有开口...

【专利技术属性】
技术研发人员：福田将典，
申请(专利权)人：株式会社钟化，
类型：新型
国别省市：日本;JP