封装结构及其制作方法技术

一种封装结构及其制作方法，制作方法包括：提供第一承载基板和晶圆级衬底，晶圆级衬底包括半导体芯片，半导体芯片包括有源区域和输入/输出电极区域；在第一承载基板上形成介质层；在介质层或晶圆级衬底上形成粘合层，粘合层中形成有与有源区域相对应的第一开口；形成至少包覆晶圆级衬底侧壁的支撑结构，支撑结构和晶圆级衬底构成成型件；利用粘合层使介质层和晶圆级衬底相结合，半导体芯片与介质层在第一开口的位置处围成第一空腔；去除第一承载基板；在输入/输出电极区域位置处的介质层和粘合层中形成互连结构，电连接输入/输出电极区域的输入/输出电极。本发明专利技术简化封装工艺、减小封装体积、降低制作成本和提高封装过程中的机台兼容性。

【技术实现步骤摘要】
封装结构及其制作方法
本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种封装结构及其制作方法。
技术介绍
在半导体器件中，部分器件的有源区域需要提供空腔环境以保证正常工作，因此，器件制备或封装过程中，相应需要在器件的有源区域形成空气隙，例如滤波器、MEMS器件等。以滤波器中的声表面波(surfaceacousticwave，SAW)滤波器为例，SAW滤波器是利用压电效应和声表面波传播的物理特性制成的滤波专用器件。在SAW谐振器中，信号经过电-声-电的两次转换，从而实现选频特性。SAW滤波器具有工作频率高、制作工艺简单、制作成本低、频率特性一致性高等优点，因此，广泛应用于各种电子设备中。目前SAW滤波器的封装技术主要包括金属封装、塑料封装或表贴封装。在上述封装过程中至少要用到底座和上盖，即将SAW滤波器芯片粘贴在底座上再用上盖封住，从而在SAW滤波器的有源区域形成空气隙。
技术实现思路
本专利技术实施例解决的问题是提供一种封装结构及其制作方法，在减小封装体积的同时，提高制作效率、降低制作成本，且提高封装过程中的机本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装结构的制作方法，其特征在于，包括：/n提供第一承载基板和晶圆级衬底，所述晶圆级衬底包括多个半导体芯片，所述半导体芯片包括有源区域和输入/输出电极区域；/n在所述第一承载基板上形成介质层；/n在所述介质层或晶圆级衬底上形成粘合层，所述粘合层中形成有第一开口，所述第一开口适于与所述有源区域相对应；/n形成至少包覆所述晶圆级衬底的侧壁的支撑结构，所述支撑结构和所述晶圆级衬底构成成型件，所述支撑结构适于使所述成型件的平面尺寸与所述第一承载基板的平面尺寸相同；/n利用所述粘合层使所述介质层和晶圆级衬底相结合，所述半导体芯片与所述介质层在所述第一开口的位置处围成第一空腔，所述第一空腔至少露出部...

【技术特征摘要】
1.一种封装结构的制作方法，其特征在于，包括：
提供第一承载基板和晶圆级衬底，所述晶圆级衬底包括多个半导体芯片，所述半导体芯片包括有源区域和输入/输出电极区域；
在所述第一承载基板上形成介质层；
在所述介质层或晶圆级衬底上形成粘合层，所述粘合层中形成有第一开口，所述第一开口适于与所述有源区域相对应；
形成至少包覆所述晶圆级衬底的侧壁的支撑结构，所述支撑结构和所述晶圆级衬底构成成型件，所述支撑结构适于使所述成型件的平面尺寸与所述第一承载基板的平面尺寸相同；
利用所述粘合层使所述介质层和晶圆级衬底相结合，所述半导体芯片与所述介质层在所述第一开口的位置处围成第一空腔，所述第一空腔至少露出部分的所述有源区域；
利用所述粘合层使所述介质层和晶圆级衬底相结合后，去除所述第一承载基板；
去除所述第一承载基板后，在所述输入/输出电极区域位置处的所述介质层和粘合层中形成互连结构，所述互连结构电连接所述输入/输出电极区域的输入/输出电极。


2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述粘合层中还形成有第二开口，所述第二开口适于与所述输入/输出电极区域相对应；
利用所述粘合层使所述介质层和晶圆级衬底相结合后，所述半导体芯片与所述介质层在所述第二开口的位置处围成第二空腔，所述第二空腔至少露出部分的所述输入/输出电极区域。


3.如权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，形成所述粘合层的步骤包括：在所述介质层或晶圆级衬底上形成粘合材料层；
利用光刻工艺图形化所述粘合材料层，图形化后的所述粘合材料层作为所述粘合层。


4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述介质层上形成粘合层；
利用所述粘合层使所述介质层和晶圆级衬底相结合的步骤包括：将所述晶圆级衬底置于所述粘合层上。


5.如权利要求1或4所述的制作方法，其特征在于，利用所述粘合层使所述介质层和晶圆级衬底相结合之前，形成至少包覆所述晶圆级衬底侧壁的支撑结构；
或者，利用所述粘合层使所述介质层和晶圆级衬底相结合之后，去除所述第一承载基板之前，形成至少包覆所述晶圆级衬底侧壁的支撑结构。


6.如权利要求1或4所述的制作方法，其特征在于，所述晶圆级衬底包括露出所述有源区域和输入/输出电极区域的晶圆正面、以及与所述晶圆正面相对的晶圆背面；
形成至少包覆所述晶圆级衬底侧壁的支撑结构的步骤包括：利用所述粘合层使所述介质层和晶圆级衬底相结合之前，将所述晶圆级衬底的晶圆正面临时键合于第二承载基板上；采用塑封工艺在所述第二承载基板上形成包覆所述晶圆级衬底的塑封层，所述塑封层用于作为所述支撑结构；利用解键合工艺去除所述第二承载基板。


7.如权利要求1或4所述的制作方法，其特征在于，所述晶圆级衬底包括露出所述有源区域和输入/输出电极区域的晶圆正面、以及与所述晶圆正面相对的晶圆背面；
形成至少包覆所述晶圆级衬底侧壁的支撑结构的步骤包括：利用所述粘合层使所述介质层和晶圆级衬底相结合之前，提供第二承载基板，所述第二承载基板中形成有凹槽，所述第二承载基板用于作为所述支撑结构；使所述晶圆背面朝向所述凹槽，并将所述晶圆级衬底固定于所述凹...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄河，向阳辉，刘孟彬，王琛，李萍，
申请(专利权)人：中芯集成电路宁波有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33