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一种封装结构及其制作方法,制作方法包括:提供第一承载基板和晶圆级衬底,晶圆级衬底包括半导体芯片,半导体芯片包括有源区域和输入/输出电极区域;在第一承载基板上形成介质层;在介质层或晶圆级衬底上形成粘合层,粘合层中形成有与有源区域相对应的第一开...该专利属于中芯集成电路(宁波)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯集成电路(宁波)有限公司授权不得商用。
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一种封装结构及其制作方法,制作方法包括:提供第一承载基板和晶圆级衬底,晶圆级衬底包括半导体芯片,半导体芯片包括有源区域和输入/输出电极区域;在第一承载基板上形成介质层;在介质层或晶圆级衬底上形成粘合层,粘合层中形成有与有源区域相对应的第一开...