热电堆传感器的制作方法技术

本发明专利技术实施例提供了一种热电堆传感器的制作方法，提供热电堆结构板，所述热电堆结构板包括热辐射感应区，所述热辐射感应区中形成有热电堆结构；提供电路基板，在所述电路基板上形成热辐射隔离板，并形成第一沟槽于覆盖所述电路基板的支撑层，所述热辐射隔离板位于所述第一沟槽的下方；将所述热电堆结构板与所述电路基板键合，使所述第一沟槽夹设在所述热电堆结构板和所述电路基板之间形成第一空腔，所述热辐射隔离板位于所述热电堆结构的下方。本发明专利技术实施例所提供的热电堆传感器的制作方法所得的热电堆传感器可以避免红外辐射的流失，提高测量精度。

【技术实现步骤摘要】
热电堆传感器的制作方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种热电堆传感器的制作方法。
技术介绍
热电堆传感器(英文名称：transducer/sensor)是一种检测装置，通过将感应到的被测信息按一定规律变换成为对应的信号输出，以实现对信息的检测。典型的热电堆传感器如温度热电堆传感器、压力热电堆传感器、光学热电堆传感器等，不仅促进了传统产业的改造和更新换代，还不断开拓新型工业，成为人们关注的焦点。随着微电子机械系统(MEMS)技术的迅猛发展，基于MEMS微机械加工技术制作的微型化热电堆传感器以其尺寸小、价格低等优势被广泛应用于测温、气体传感、光学成像等领域。然而，现有的热电堆传感器的器件精度有待提高。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是如何提高热电堆传感器的器件精度。为解决上述问题，本专利技术实施例提供了一种热电堆传感器的制作方法，包括：提供热电堆结构板，所述热电堆结构板包括热辐射感应区，所述热辐射感应区中形成有热电堆结构；提供电路基板，在所述电路基板上形成热辐射隔离板，并形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种热电堆传感器的制作方法，其特征在于，包括：/n提供热电堆结构板，所述热电堆结构板包括热辐射感应区，所述热辐射感应区中形成有热电堆结构；/n提供电路基板，在所述电路基板上形成热辐射隔离板，并形成第一沟槽于覆盖所述电路基板的支撑层，所述热辐射隔离板位于所述第一沟槽的下方；/n将所述热电堆结构板与所述电路基板键合，使所述第一沟槽夹设在所述热电堆结构板和所述电路基板之间形成第一空腔，所述热辐射隔离板位于所述热电堆结构的下方。/n

【技术特征摘要】
1.一种热电堆传感器的制作方法，其特征在于，包括：
提供热电堆结构板，所述热电堆结构板包括热辐射感应区，所述热辐射感应区中形成有热电堆结构；
提供电路基板，在所述电路基板上形成热辐射隔离板，并形成第一沟槽于覆盖所述电路基板的支撑层，所述热辐射隔离板位于所述第一沟槽的下方；
将所述热电堆结构板与所述电路基板键合，使所述第一沟槽夹设在所述热电堆结构板和所述电路基板之间形成第一空腔，所述热辐射隔离板位于所述热电堆结构的下方。


2.如权利要求1所述的热电堆传感器的制作方法，所述提供热电堆结构板的步骤之后包括：
形成第一互连层于所述热电堆结构板上，所述第一互连层中至少形成有第一互连结构，所述第一互连结构电性连接所述热电堆结构；
将所述电路基板与所述热电堆结构板键合后，所述第一互连结构位于所述热电堆结构的下方。


3.如权利要求1所述的热电堆传感器的制作方法，其特征在于，所述电路基板包括热辐射对应区，所述热辐射对应区与所述热辐射感应区相对应；
所述在所述电路基板上形成热辐射隔离板，并形成第一沟槽于覆盖所述电路基板的支撑层的步骤包括：
在所述电路基板上形成支撑层；
图形化所述支撑层，形成初始沟槽，所述初始沟槽位于所述热辐射对应区；
填充第一厚度的所述初始沟槽，形成热辐射隔离板，所述热辐射隔离板位于所述初始沟槽的底部，所述初始沟槽未被填充的部分为所述第一沟槽。


4.如权利要求3所述的热电堆传感器的制作方法，其特征在于，还包括：
填充第二厚度的所述初始沟槽，形成第一钝化层，所述第一钝化层至少覆盖所述热辐射隔离板。


5.如权利要求1所述的热电堆传感器的制作方法，其特征在于，所述电路基板包括热辐射对应区，所述热辐射对应区与所述热辐射感应区相对应；
所述在所述电路基板上形成热辐射隔离板，并形成第一沟槽于覆盖所述电路基板的支撑层的步骤包括：
在所述电路基板上形成热辐射隔离板，所述热辐射隔离板至少覆盖所述电路基板，所述热辐射隔离板位于所述热辐射对应区；
形成支撑层，所述支撑层至少覆盖所述热辐射隔离板露出的部分电路基板；
图形化所述支撑层，形成所述第一沟槽，所述第一沟槽位于所述热辐射对应区。


6.如权利要求5所述的热电堆传感器的制作方法，其特征在于，所述在所述电路基板上形成热辐射隔离板的步骤包括：
形成隔离材料层，所述隔离材料层至少覆盖所述电路基板；
去除所述热辐射对应区外的所述隔离材料层，以剩余的隔离材料层为热辐射隔离板。


7.如权利要求6所述的热电堆传感器的制作方法，其特征在于，所述去除所述热辐射对应区外的所述隔离材料层之前，还包括：
形成至少覆盖所述隔离材料层的第一钝化材料层；
所述去除所述热辐射对应区外的所述隔离材料层的步骤中还包括：
去除所述热辐射对应区外的第一钝化材料层，形成第一钝化层。


8.如权利要求5所述的热电堆传感器的制作方法，其特征在于，所述在所述电路基板上形成热辐射隔离板的步骤包括：
在所述电路基板上形成介质层，所述介质层具有开口，所述开口至少对应所述基板的所述热辐射对应区；
填充所述开口，形成所述热辐射隔离板。


9.如权利要求8所述的热电堆传感器的制作方法，其特征在于，所述填充所述开口，形成所述热辐射隔离板之后还包括：
填充所述开口，形成第一钝化层，所述第一钝化层至少覆盖所述热辐射隔离板。


10.如权利要求1-9任一项所述的热电堆传感器的制作方法，其特征在于，所述热电堆结构包括至少一种热感应微结构，所述热感应微结构的材料包括金...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄河，
申请(专利权)人：中芯集成电路宁波有限公司上海分公司，
类型：发明
国别省市：上海;31