热电堆传感器的制作方法技术

一种热电堆传感器的制作方法，包括：提供热电堆结构板和电路基板，热电堆结构板包括热辐射感应区，热辐射感应区内形成有热电堆结构，电路基板包括热辐射对应区，热辐射对应区与热辐射感应区相对应；在电路基板上依次形成至少覆盖热辐射对应区的热辐射隔离板和热辐射反射板，其中，热辐射反射板位于热辐射隔离板上；在热辐射反射板上形成牺牲结构，牺牲结构至少覆盖热辐射对应区；将热电堆结构板键合在电路基板上，并使热辐射感应区与热辐射对应区垂直对应；去除牺牲结构，在热电堆结构板和电路基板之间形成隔离空腔，从而提高器件精度。

【技术实现步骤摘要】
热电堆传感器的制作方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种热电堆传感器的制作方法。
技术介绍
热电堆传感器是一种温度检测装置，通过将感应到的红外信息按一定规律变换成为对应的信号输出，以实现对温度的检测。随着微电子机械系统(MEMS)技术的迅猛发展，基于MEMS微机械加工技术制作的微型化热电堆传感器以其尺寸小、价格低等优势被广泛应用于测温、气体传感、光学成像等领域。然而，现有的热电堆传感器的器件精度有待提高。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种热电堆传感器的制作方法，以提高器件的精度。为解决上述问题，本专利技术提供一种热电堆传感器的制作方法，所述方法包括：提供热电堆结构板和电路基板，所述热电堆结构板包括热辐射感应区，所述热辐射感应区内形成有热电堆结构，所述电路基板包括热辐射对应区，所述热辐射对应区与所述热辐射感应区相对应；在所述电路基板上依次形成至少覆盖所述热辐射对应区的热辐射隔离板和热辐射反射板，其中，所述热辐射反射板位于所述热辐射隔离板上；在所述热辐射反射板上形成牺牲结构，所述牺牲本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种热电堆传感器的制作方法，其特征在于，包括：/n提供热电堆结构板和电路基板，所述热电堆结构板包括热辐射感应区，所述热辐射感应区内形成有热电堆结构，所述电路基板包括热辐射对应区，所述热辐射对应区与所述热辐射感应区相对应；/n在所述电路基板上依次形成至少覆盖所述热辐射对应区的热辐射隔离板和热辐射反射板，其中，所述热辐射反射板位于所述热辐射隔离板上；/n在所述热辐射反射板上形成牺牲结构，所述牺牲结构至少覆盖所述热辐射对应区；/n将所述热电堆结构板键合在所述电路基板上，并使所述热辐射感应区与所述热辐射对应区垂直对应；/n去除所述牺牲结构，在所述热电堆结构板和电路基板之间形成隔离空腔。/n

【技术特征摘要】
1.一种热电堆传感器的制作方法，其特征在于，包括：
提供热电堆结构板和电路基板，所述热电堆结构板包括热辐射感应区，所述热辐射感应区内形成有热电堆结构，所述电路基板包括热辐射对应区，所述热辐射对应区与所述热辐射感应区相对应；
在所述电路基板上依次形成至少覆盖所述热辐射对应区的热辐射隔离板和热辐射反射板，其中，所述热辐射反射板位于所述热辐射隔离板上；
在所述热辐射反射板上形成牺牲结构，所述牺牲结构至少覆盖所述热辐射对应区；
将所述热电堆结构板键合在所述电路基板上，并使所述热辐射感应区与所述热辐射对应区垂直对应；
去除所述牺牲结构，在所述热电堆结构板和电路基板之间形成隔离空腔。


2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述热辐射感应区中还形成有第一导电互连结构，所述第一导电互连结构电性连接所述热电堆结构；
将所述电路基板与所述热电堆结构板键合后，所述第一导电互连结构位于所述热电堆结构的上方。


3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述电路基板上依次形成至少覆盖所述热辐射对应区的热辐射隔离板和热辐射反射板，包括：
形成覆盖所述电路基板的隔离材料层；
形成覆盖所述隔离材料层的反射材料层；
去除所述热辐射对应区外的隔离材料层和反射材料层，以剩余的隔离材料层为热辐射隔离板，以剩余的反射材料层为热辐射反射板。


4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述电路基板上依次形成至少覆盖所述热辐射对应区的热辐射隔离板和热辐射反射板，包括：
形成覆盖所述电路基板的介质材料层；
去除所述热辐射对应区内的介质材料层，形成隔离沟槽，以剩余的介质材料层作为第一介质层；
依次形成保形覆盖所述第一介质层和所述隔离沟槽的隔离材料层和反射材料层，所述反射材料层位于所述隔离材料层上方；
去除所述隔离沟槽外的隔离材料层和反射材料层，以剩余的隔离材料层为热辐射隔离板，以剩余的反射材料层为热辐射反射板。


5.如权利要求1-4任一项所述的制作方法，其特征在于，所述热辐射隔离板和所述热辐射反射板之间还形成有第一钝化层。


6.如权利要求1-4任一项所述的制作方法，其特征在于，所述在所述电路基板上依次形成至少覆盖所述热辐射对应区的热辐射隔离板和热辐射反射板之后，所述在所述热辐射反射板上形成牺牲结构之前，还包括：
形成覆盖所述热辐射反射板的第二钝化层，所述第二钝化层的表面为平面。


7.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述热辐射反射板上形成牺牲结构，包括：
形成完全覆盖所述电路基板具有所述热辐射隔离板一侧的牺牲材料层；
去除所述热辐射对应区外的牺牲材料层，以剩余的所述牺牲材料层为牺牲结构。


8.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述在所述热辐射反射板上形成牺牲结构，还包括：
形成环绕所述牺牲结构的第三钝化层，所述第三钝化层的表面为平面。


9.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述热辐射反射板上形成牺牲结构，包括：
形成完全覆盖所述电路基板具有所述热辐射隔离板一侧的第三钝化材料层；
刻蚀去除所述热辐射对应区的第三钝化材料层，形成牺牲沟槽，以剩余的第三钝化材料层为第三钝化层；
形成完全填充在所述牺牲沟槽内的牺牲结构。


10.如权利要求1-4任一项所述的制作方法，其特征在于，所述将所述热电堆结构板键合在所述电路基板上之后，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄河，
申请(专利权)人：中芯集成电路宁波有限公司上海分公司，
类型：发明
国别省市：上海;31