半导体结构及其制造方法技术

本揭露实施例是有关于一种半导体结构及其制作方法。一种半导体结构包括堆叠结构。堆叠结构包括第一半导体管芯及第二半导体管芯。第一半导体管芯包括具有第一有源表面及与第一有源表面相对的第一背表面的第一半导体衬底。第二半导体管芯位于第一半导体管芯之上，且包括具有第二有源表面及与第二有源表面相对的第二背表面的第二半导体衬底。第二半导体管芯通过沿垂直方向在第一混合接合界面处将第二有源表面结合到第一背表面而接合到第一半导体管芯。沿侧向方向，第一半导体管芯的第一尺寸大于第二半导体管芯的第二尺寸。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法
本揭露实施例是有关于一种半导体结构及其制作方法。
技术介绍
近年来，由于各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的持续提高，半导体行业已经历了快速增长。在很大程度上，集成密度的此种提高来自于最小特征大小(minimumfeaturesize)的连续减小，此使得更多组件能够集成到给定面积中。举例来说，集成组件占用的面积接近于半导体晶片的表面；然而，在二维(two-dimensional，2D)集成电路形成中可实现的密度存在实体限制。举例来说，这些限制中的一个限制来自于随着半导体器件的数目增加，半导体器件之间的内连线的数目及长度显著增大。由于现有的集成电路设计规则要求在半导体结构中减小导电配线布局的节距，因此正不断努力开发用于形成半导体结构的新机制。
技术实现思路
本揭露实施例提供一种半导体结构包括堆叠结构。所述堆叠结构包括第一半导体管芯及第二半导体管芯。所述第一半导体管芯包括具有第一有源表面及与所述第一有源表面相对的第一背表面的第一半导体衬底。所述第二半导体管芯位于所述第一半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，包括：/n堆叠结构，包括：/n第一半导体管芯，包括第一半导体衬底，所述第一半导体衬底具有第一有源表面及与所述第一有源表面相对的第一背表面；以及/n第二半导体管芯，位于所述第一半导体管芯之上，包括第二半导体衬底，所述第二半导体衬底具有第二有源表面及与所述第二有源表面相对的第二背表面，且通过沿垂直方向在第一混合接合界面处将所述第二有源表面结合到所述第一背表面而接合到所述第一半导体管芯，/n其中沿侧向方向，所述第一半导体管芯的第一尺寸大于所述第二半导体管芯的第二尺寸。/n

【技术特征摘要】
20190620 US 62/864,446;20200108 US 16/737,8691.一种半导体结构，包括：
堆叠结构，包括：
第一半导体管芯，包括第一半导体衬底，所述第一半导体衬底具有第一有源表面及与所述第一有源表面相对的第一背...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈明发，史朝文，萧闵谦，叶松峯，刘醇鸿，郑筌安，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71