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本揭露实施例是有关于一种半导体结构及其制作方法。一种半导体结构包括堆叠结构。堆叠结构包括第一半导体管芯及第二半导体管芯。第一半导体管芯包括具有第一有源表面及与第一有源表面相对的第一背表面的第一半导体衬底。第二半导体管芯位于第一半导体管芯之上...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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