一种半导体晶圆湿法蚀刻设备制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体晶圆湿法蚀刻设备，其结构包括池体、液体箱、控制器、电机、输水管，由于反应物漂浮在腐蚀液上层，受到液体的推力在池体内部流动而粘附在表面，通过清除装置随着池体内部的液体流动沿着隔板表面上下移动，通过刀片将隔板表面的反应物清除，有利于减少反应物附着在池体内部，加快反应物排放，减少反应物随着液体在池体内部流动，有利于处理后的晶圆取出后表面整洁，进一步减少晶圆蚀刻的时间，由于反应物进入到引流槽中后堆积在内壁，易导致引流槽内壁的直径变小，通过推板两侧的移动块与引流槽内壁活动配合，刷板将引流槽内壁的反应物清除，有利于保持引流槽畅通，加快引流槽的液体进入将清除板推动将反应物下推。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体晶圆湿法蚀刻设备
本专利技术属于晶圆蚀刻领域，更具体的说，尤其涉及到一种半导体晶圆湿法蚀刻设备。
技术介绍
由于半导体的导电性可控制，将半导体晶圆用于集成电路中，为了加强晶圆与集成电路进行集成，通过湿法蚀刻技术将晶圆进行处理，采用湿法蚀刻池加入化学腐蚀液，并将晶圆放入腐蚀液中腐蚀出纹路，腐蚀的反应物则利用液体的推力将漂浮的反应物往边界溶液扩散排放；现有技术中使用湿法蚀刻池对晶圆蚀刻处理的过程中，由于反应物漂浮在腐蚀液上层，受到液体的推力在池体内部流动而粘附在表面，当液体的流动力大时，液体再次将反应物推动掉落混在液体中，反应物随着液体在池体内部流动，致使处理后的晶圆取出后表面沾有反应物，需对晶圆再次清洗，进一步增加晶圆蚀刻的时间。
技术实现思路
为了解决上述技术使用湿法蚀刻池对晶圆蚀刻处理的过程中，由于反应物漂浮在腐蚀液上层，受到液体的推力在池体内部流动而粘附在表面，当液体的流动力大时，液体再次将反应物推动掉落混在液体中，反应物随着液体在池体内部流动，致使处理后的晶圆取出后表面沾有反应物，需对晶圆再次清洗，进一步增加本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体晶圆湿法蚀刻设备，其结构包括池体(1)、液体箱(2)、控制器(3)、电机(4)、输水管(5)，所述液体箱(2)安装在池体(1)正面底部，所述控制器(3)位于池体(1)正面中部，所述电机(4)垂直安装在液体箱(2)顶部，所述输水管(5)连接在池体(1)和液体箱(2)之间，其特征在于：/n所述池体(1)设有隔板(11)、滑轨(12)、清除装置(13)、滑块(14)、弹簧(15)，所述隔板(11)位于池体(1)内部，所述滑轨(12)凹陷在隔板(11)内侧表面，所述清除装置(13)通过滑块(14)与滑轨(12)活动配合，所述弹簧(15)安装在清除装置(13)两侧与池体(1)内壁之间。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体晶圆湿法蚀刻设备，其结构包括池体(1)、液体箱(2)、控制器(3)、电机(4)、输水管(5)，所述液体箱(2)安装在池体(1)正面底部，所述控制器(3)位于池体(1)正面中部，所述电机(4)垂直安装在液体箱(2)顶部，所述输水管(5)连接在池体(1)和液体箱(2)之间，其特征在于：
所述池体(1)设有隔板(11)、滑轨(12)、清除装置(13)、滑块(14)、弹簧(15)，所述隔板(11)位于池体(1)内部，所述滑轨(12)凹陷在隔板(11)内侧表面，所述清除装置(13)通过滑块(14)与滑轨(12)活动配合，所述弹簧(15)安装在清除装置(13)两侧与池体(1)内壁之间。


2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆湿法蚀刻设备，其特征在于：所述清除装置(13)设有引流槽(a1)、推板(a2)、弹力球(a3)、清除板(a4)、开口(a5)、推块(a6)，所述引流槽(a1)贯穿清除装置(13)顶部，所述推板(a2)位于引流槽(a1)内部，所述弹力球(a3)夹在引流槽(a1)内壁与推板(a2)底面之间，所述清除板(a4)与推板(a2)底端相连接，所述开口(a5)贯穿清除装置(13)底面，所述推块(a6)夹在清除板(a4)中间。


3.根据权利要求2所述的一种半导体晶圆湿法蚀刻设备，其特征在于：所述清除板(a4)设有侧板(s1)、积液槽(s2)、连接块(s3)、接触板(s4)，所述侧板(s1)位于清除板(a4)右侧，所述积液槽(s2)设在清除板(a4)内部...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘伟明，
申请(专利权)人：刘伟明，
类型：发明
国别省市：广东;44