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一种半导体晶圆湿法蚀刻设备制造技术
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文档序号:26795421
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本发明公开了一种半导体晶圆湿法蚀刻设备,其结构包括池体、液体箱、控制器、电机、输水管,由于反应物漂浮在腐蚀液上层,受到液体的推力在池体内部流动而粘附在表面,通过清除装置随着池体内部的液体流动沿着隔板表面上下移动,通过刀片将隔板表面的反应物清...
该专利属于刘伟明所有,仅供学习研究参考,未经过刘伟明授权不得商用。
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