【技术实现步骤摘要】
静态电压降修复方法、装置、设备及存储介质
本专利技术涉及集成电路
，具体而言，涉及一种静态电压降修复方法、装置、设备及存储介质。
技术介绍
集成电路(IntegratedCircuit，IC)中各电路单元的电压降(Voltage(IR)-Drop，IR-Drop)过大，对整个集成电路的电路性能和功能，以及稳定性等都至关重要。在集成电路的开发设计过程中，对集成电路中的电压降修复格外重要。然而，目前的技术中，仅仅是粗暴的将存在电压降违反的电路单元直接移动至单元密度较低的区域。如此粗暴的方式进行电路单元的移动，可能会使得集成电路中电路单元所在时序路径的时序检查产生时序违例。因此，现有的方案无法兼顾电压降和电路的时序问题，从而严重影响集成电路的开发设计进度。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种静态电压降修复方法、装置、设备及存储介质，以实现电压降和电路时序问题的兼顾。为实现上述目的，本专利技术实施例采用的技术方案如下：第一方面，本专利技术实...
【技术保护点】
1.一种静态电压降修复方法，其特征在于，所述方法包括：/n获取集成电路的静态电压降分析结果，其中，所述静态电压降分析结果包括：所述集成电路中每个电路单元的静态电压降参数；/n根据所述每个电路单元的静态电压降参数，以及所述集成电路签核的静态电压降违反标准，判断所述集成电路中的电压降违反单元；/n根据所述集成电路中所述电压降违反单元的布局信息，确定所述电压降违反单元的电压降违反原因；/n根据所述电压降违反原因，采用预设的所述电压降违反原因对应的电压降修复策略，对所述集成电路进行布局布线调整，以对所述电压降违反单元的静态电压降进行修复。/n
【技术特征摘要】
1.一种静态电压降修复方法，其特征在于，所述方法包括：
获取集成电路的静态电压降分析结果，其中，所述静态电压降分析结果包括：所述集成电路中每个电路单元的静态电压降参数；
根据所述每个电路单元的静态电压降参数，以及所述集成电路签核的静态电压降违反标准，判断所述集成电路中的电压降违反单元；
根据所述集成电路中所述电压降违反单元的布局信息，确定所述电压降违反单元的电压降违反原因；
根据所述电压降违反原因，采用预设的所述电压降违反原因对应的电压降修复策略，对所述集成电路进行布局布线调整，以对所述电压降违反单元的静态电压降进行修复。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述布局信息包括：至少一种布局信息；所述根据所述集成电路中所述电压降违反单元的布局信息，确定所述电压降违反单元的电压降违反原因，包括：
根据每种布局信息，确定所述电压降违反原因是否包括：所述每种布局信息不满足预设条件。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述至少一种布局信息包括：所述电压降违反单元所在预设区域内的单元密度；
所述根据每种布局信息，确定所述电压降违反原因是否为：所述每种布局信息不满足预设条件，包括：
判断所述单元密度是否大于或等于预设的密度阈值；
若所述单元密度大于或等于所述密度阈值，则确定所述电压降违反原因包括：所述单元密度大于或等于所述密度阈值。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述电压降违反原因，采用预设的所述电压降违反原因对应的电压降修复策略，对所述集成电路进行布局布线调整，包括：
计算所述预设区域内每个电路单元所在时序路径的建立时间时序裕量；
将所述预设区域内时序路径上建立时间时序裕量为正值的电路单元，就近移动至所述集成电路中单元密度小于所述密度阈值的区域内。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述至少一种布局信息还包括：所述电压降违反单元驱动的负载电容；
所述根据每种布局信息，确定所述电压降违反原因是否为：所述每种布局信息不满足预设条件，包括：
判断所述负载电容是否大于或等于预设的电容阈值；
若所述负载电容大于或等于所述电容阈值，则确定所述电压降违反原因包括：所述负载电容大于或等于所述电容阈值。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述根据所述电压降违反原因，采用预设的所述电压降违反原因对应的电压降修复策略，对所述集成电路进行布局布线调整，包括：
确定所述负载电容大于或等于所述电容阈值的负载原因；
根据所述负载电容大于或等于所述电容阈值的负载原因，采用所述负载原因对应的调整方式，对所述集成电路进行布局布线...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭书涛，邓宇，李天丽，邹和风，曹灿，曾朵朵，邹京，黄薇，贾勤，
申请(专利权)人：天津飞腾信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：天津;12
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