【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】专利技术的背景提高计算机性能的需求归结于制造集成电路芯片用的制版工艺。制版包括对掩模光照，将该掩模的图案通过光学微制版系统聚焦到涂有光致抗蚀剂的晶片上。由此就将掩模的图案转移到晶片上。在给定的晶片上减小的线条宽度，就会改进性能。降低光照的波长就能够提高分辨率，而高的分辨率是达到更小线条宽度所需要的。图案制版的光正在使用波长更短的紫外光区。这样就需求能够在这些光学微制版短波长性能的光学组件性能可靠。在193nm和157nm具有高透射比，而且在强激光照射下不会损坏的材料已知很少。氟化物例如氟化钙和氟化钡的是在＜200nm波长具有高透射比的潜在材料。采用波长在193nm和更短的真空紫外光的投影光刻系统，在得到更小的特征尺寸方面可提供所要求的益处。采用波长在157nm区域的真空紫外光的微制版系统，具有改善集成电路和制造方法的可能性。波长193nm和更短的真空紫外光例如157nm的商业应用和使用，受到在波长157nm区域内的这样短波长的紫外光透过光学材料的性能的阻碍。采用短长短于175nm的VUV光，例如157nm区域的光半导体工业进展缓慢，也是因为缺乏可经济地制造坯体的透光...
【技术保护点】
一种光学制版用的氟化物晶体透镜的坯体，该坯体包含许多亚晶粒，每个所述的亚晶粒都具有亚晶粒结构，所述氟化物晶体坯体包括至少第一亚晶粒结构和第二亚晶粒结构，所述第二亚晶粒结构在由许多位错缺陷形成的第一缺陷边界处与所述第一亚晶粒结构相邻并邻接，所述边界位错缺陷具有相邻的第一亚晶粒－第二亚晶粒边界角，所述第一亚晶粒－第二亚晶粒边界角小于２分，所述晶体光学元件坯体的杂质含量为：Ｐｂ低于１ｐｐｍ（重量），Ｃｅ低于０．５ｐｐｍ（重量），Ｎａ低于２ｐｐｍ（重量），Ｋ低于２ｐｐｍ（重量），所述坯体的１５７ｎｍ对数底为１０的吸光系数小于０．００２２／ｃｍ，１９３ｎｍ对数底为１０的吸光系数小于０...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：AM马约利，MA佩尔，
申请(专利权)人：康宁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。