一种放大器、放大电路及移相器制造技术

一种放大器、放大电路及移相器，涉及通信领域，能够实现对输出相位的灵活调整，进而实现链路的相位恒定的需求。该放大器包括：第一MOS管(M1)的栅极分别耦合至信号输入端(in)以及偏置电压输入端(Vbias)，第一MOS管(M1)的源极与电源(V1)相耦合，第一MOS管(M1)的漏极分别耦合至第二MOS管(M2)的源极以及第三MOS管(M3)的源极，第三MOS管(M3)的漏极耦合至地(GND)，第二MOS管(M2)的漏极耦合至信号输出端(out)；第二MOS管(M2)的栅极在第一栅极控制信号的控制下使第二MOS管(M2)处于导通状态；第三MOS管(M3)的栅极在第二栅极控制信号的控制下通过改变第三MOS管(M3)的截止状态或导通状态，对第一MOS管(M1)的漏极输出的交流信号进行旁路控制；偏置电压输入端接收偏置电压以调整信号输入端的输入信号与信号输出端的输出信号之间的相位差。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】一种放大器、放大电路及移相器
本申请涉及电子
，尤其涉及一种放大器、放大电路及移相器。
技术介绍
随着第五代移动通信技术(5G)的快速发展，相控阵天线技术已逐步成为5G收发机的重要研究方向。而为了保证收发机的动态范围，需要在接收/发射链路中加入可变增益放大器(variablegainamplifier，VGA)。以接收链路为例，当天线接收的信号较强时，则需降低接收链路的增益以避免其输出饱和，增大接收链路的非线性，增大误码率。同时，在相控阵系统中，当改变VGA的增益时，需要保证其相位恒定，以避免在切换增益时改变了天线的接收角度。因此，恒定相位可变增益放大器在5G通讯系统中变得越来越重要。传统的可变增益放大器主要分为两种，第一种实现方式为：DSA(digitalswitchedattenuator，数控衰减器)+固定增益放大器；其中，DSA由无源器件实现，为实现相位恒定，数控衰减器中需要设置用于补偿相位的器件，例如电感Lc，从而导致整个VGA版图面积的增加，提高了裸片die的成本，由于数控衰减器中设置的补偿相位的器件通常为硬件器件，因此对链路本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种放大器，其特征在于，包括：第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管；/n所述第一MOS管的栅极分别耦合至信号输入端以及偏置电压输入端，所述第一MOS管的源极与电源相耦合，所述第一MOS管的漏极分别耦合至所述第二MOS管的源极以及所述第三MOS管的源极，所述第三MOS管的漏极耦合至地，所述第二MOS管的漏极耦合至信号输出端；/n其中，所述第二MOS管的栅极用于在第一栅极控制信号的控制下，使所述第二MOS管处于导通状态；所述第三MOS管的栅极用于在第二栅极控制信号的控制下，通过改变所述第三MOS管的截止状态或导通状态，对所述第一MOS管的漏极输出的交流信号进行旁路控制；/n所述偏置电压输入端用...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】一种放大器，其特征在于，包括：第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管；
所述第一MOS管的栅极分别耦合至信号输入端以及偏置电压输入端，所述第一MOS管的源极与电源相耦合，所述第一MOS管的漏极分别耦合至所述第二MOS管的源极以及所述第三MOS管的源极，所述第三MOS管的漏极耦合至地，所述第二MOS管的漏极耦合至信号输出端；
其中，所述第二MOS管的栅极用于在第一栅极控制信号的控制下，使所述第二MOS管处于导通状态；所述第三MOS管的栅极用于在第二栅极控制信号的控制下，通过改变所述第三MOS管的截止状态或导通状态，对所述第一MOS管的漏极输出的交流信号进行旁路控制；
所述偏置电压输入端用于接收偏置电压，以调整所述信号输入端的输入信号与所述信号输出端的输出信号之间的相位差。


根据权利要求1所述的放大器，其特征在于，
当所述第三MOS管处于截止状态时，所述偏置电压输入端接收的所述偏置电压为第一偏置电压；当所述第三MOS管处于导通状态时，所述偏置电压输入端接收的所述偏置电压为第二偏置电压；其中，所述第一偏置电压大于所述第二偏置电压。


根据权利要求2所述的放大器，其特征在于，
所述偏置电压输入端接收所述第一偏置电压时，所述放大器处于第一增益；所述偏置电压输入端接收所述第二偏置电压时，所述放大器处于第二增益；所述第一增益大于所述第二增益。


根据权利要求3所述的放大器，其特征在于，所述第二偏置电压是根据所述第一偏置电压以及公式g
m2,max-(g
m2+g
m3)确定的；

其中，g
m2,max为所述放大器在所述第一增益的状态下，所述第二MOS管的跨导；所述g
m2为所述放大器在所述第二增益的状态下，所述第二MOS管的跨导；所述g
m3为所述第三MOS管在导通状态下的跨导。



根据权利要求1所述的放大器，其特征在于，还包括：偏置电路，所述偏置电路包括电流源和第四MOS管，所述电流源的一端耦合至地，所述电流源的另一端耦合至所述第四MOS管的漏极以及所述第四MOS管的栅极，所述第四MOS管的栅极耦合至所述偏置电压输入端，所述第四MOS管的源极耦合至所述电源。


根据权利要求1所述的放大器，其特征在于，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔科技，王永利，卢磊，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44