具有可调电源的射频功率放大器制造技术

一种半导体器件，包括至少一个RF功率放大器(RFPA)以及与RFPA耦合用于基于所施加的输入电压向RFPA提供内部供应电压的电压供应调节网络。该电压供应调节网络包括多个电阻器、多个齐纳二极管、电压返回连接、与RFPA耦合以将供应电压传送到RFPA的内部供应电压连接、适于接收输入电压的输入电压连接以及与电阻器和齐纳二极管耦合的可配置连接网络。电阻器和齐纳二极管的子集经由相应的导电链路在输入电压与电压返回连接之间选择性地连接在一起，以根据所施加的输入电压向内部供应电压连接提供规定的输出电压。通过将能量源施加到连接网络中的一个或更多个选定的导电链路来配置连接网络。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有可调电源的射频功率放大器
本专利技术总体上涉及电气、电子和计算机领域，并且更具体地涉及射频(RF)功率放大器。
技术介绍
RF功率放大器(RFPA)是一种电子放大器，其适于接收低功率RF信号作为输入，并产生较高功率信号作为输出。RFPA的一种常见应用是驱动发射机的天线。RFPA设计目标通常包括最大化某些性能参数，例如增益、功率输出、带宽、功率效率(powerefficiency)和线性度(额定输出时的低信号压缩)等。这些性能参数中的大多数至少在一定程度上受到RFPA输出晶体管的供应电压或漏极电压VDD的影响。RFPA可用的供应电压通常由单独的系统设计或印刷电路板(PCB)设计确定，供应电压可以取决于使用RFPA的特定应用而变化很大。由于RFPA通常被设计为在窄的供应电压范围内运行，以满足规定的性能标准，因此PCB上经常采用外部直流(DC)到DC(DC-DC)电压转换器来将各种可用的外部系统电压转换为适合RFPA使用的供应电压等级。DC-DC转换器通常使用诸如在开关模式DC-DC转换器架构中的开关技术，通过暂时存储输入能量然后本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：/n至少一个射频(RF)功率放大器；和/n与所述RF功率放大器耦合的电压供应调节网络，所述电压供应调节网络用于基于施加到所述半导体器件的输入电压向所述RF功率放大器提供内部供应电压；所述电压供应调节网络包括：/n多个电阻器；/n多个齐纳二极管；/n电压返回连接，所述电压返回连接与所述RF功率放大器的电压返回耦合；/n内部供应电压连接，所述内部供应电压连接与所述RF功率放大器耦合，用于将所述供应电压传送到所述RF功率放大器；/n输入电压连接，所述输入电压连接适于接收所述输入电压；以及/n可配置连接网络；所述可配置连接网络与所述电阻器和齐纳二极管耦合；所述电阻器和齐纳二极...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体器件，包括：
至少一个射频(RF)功率放大器；和
与所述RF功率放大器耦合的电压供应调节网络，所述电压供应调节网络用于基于施加到所述半导体器件的输入电压向所述RF功率放大器提供内部供应电压；所述电压供应调节网络包括：
多个电阻器；
多个齐纳二极管；
电压返回连接，所述电压返回连接与所述RF功率放大器的电压返回耦合；
内部供应电压连接，所述内部供应电压连接与所述RF功率放大器耦合，用于将所述供应电压传送到所述RF功率放大器；
输入电压连接，所述输入电压连接适于接收所述输入电压；以及
可配置连接网络；所述可配置连接网络与所述电阻器和齐纳二极管耦合；所述电阻器和齐纳二极管的子集经由相应的导电链路在所述输入电压连接与所述电压返回连接之间选择性地连接在一起，以根据所施加的输入电压向所述内部供应电压连接提供规定的输出电压；通过将能量源施加到所述连接网络中的一个或更多个选定的导电链路来配置所述连接网络。


2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述可配置连接网络还包括第一旁路连接以及第二旁路连接中的至少一个；所述第一旁路连接选择性地直接耦合在所述输入电压连接与所述内部供应电压连接之间；所述第二旁路连接选择性地直接耦合在所述电压返回连接与所述内部供应电压连接之间；所述第一旁路连接和第二旁路连接电旁路所述电压供应调节网络中的所述多个电阻器和所述多个齐纳二极管。


3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述可配置连接网络还包括高电阻材料层；所述高电阻材料层连接在所述多个电阻器与所述内部供应电压连接之间以及所述多个齐纳二极管与所述内部供应电压连接之间；所述高电阻材料层在第一状态下具有第一电阻率并且在第二状态下具有第二电阻率，所述第一电阻率远高于所述第二电阻率。


4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，当暴露于目标能量源时，所述高电阻材料层中的选定区域从所述第一状态改变为所述第二状态，从而形成穿过所述高电阻材料层的低电阻导电路径。


5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述目标能量源是激光束和电子束中的一个。


6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述激光束或电子束与所述半导体器件可相对于彼此选择性地移动。


7.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述高电阻材料层包括相变材料。


8.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述高电阻材料层包括非晶硅和沉积膜中的一个。


9.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述高电阻材料层包括在所述高电阻材料层的沉积期间引入的掺杂剂。


10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述掺杂剂包括硼和磷中的一种。


11.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述多个电阻器中的每一个的第一端子连接到所述输入电压连接，所述多个齐纳二极管中的每一个的阳极连接到所述电压返回连接，所述多个电阻器中的每一个的第二端子以及所述多个齐纳二极管中的每一个的阴极端子均连接至所述高电...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑毅，林晓童，
申请(专利权)人：酷星科技有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US