阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板技术

本发明专利技术提供了一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板。本发明专利技术提供的阵列基板的制造方法包括在衬底基板上沉积栅金属层，并通过光刻工艺形成栅极，在栅极上方沉积缓冲层，在缓冲层上形成半导体层，在半导体层上沉积并通过光刻工艺形成蚀刻阻挡层，通过离子注入方式将半导体层的部分区域导体化，以形成导体化区域，在半导体层的上方沉积源漏极金属层，并通过光刻工艺对源漏极金属层和半导体层进行蚀刻，形成源极和漏极，源极和漏极均与导体化区域相连，缩短了生产周期，降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板
本专利技术涉及显示设备
，尤其涉及一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板。
技术介绍
平面显示器件具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平面显示器件主要包括液晶显示器件(LiquidCrystalDisplay，LCD)及有机发光二极管显示器件(OrganicLightEmittingDisplay，OLED)，而平面显示器通常由上层基板和下层基板对合并形成，下层基板为薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)阵列基板，TFT包括栅极、源极、漏极与半导体有源层，其中背沟道刻蚀型(BCE)的TFT，在刻蚀源极、漏极时，蚀刻药液中的氟离子及铜离子会渗透到半导体有源层，从而对产品的电特性和可靠性造成不良影响。现有技术中，为了解决这一问题，采用在半导体有源层上增加一层蚀刻阻挡层的方式来进行阻隔，具体的，在通过光刻工艺形成半导体有源层后，在半导体有源层上形成蚀刻阻挡层，并再次通过光刻工艺使得蚀刻阻挡层仅覆盖半导体有源层的区域，在形成源极、漏极的金属层并本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：/n在衬底基板上沉积栅金属层，并通过光刻工艺形成栅极；/n在所述栅极上方沉积缓冲层；/n在所述缓冲层上形成半导体层，在所述半导体层上沉积并通过光刻工艺形成蚀刻阻挡层；/n通过离子注入方式将所述半导体层的部分区域导体化，以形成导体化区域；/n在所述半导体层的上方沉积源漏极金属层，并通过光刻工艺对所述源漏极金属层和所述半导体层进行蚀刻，形成源极和漏极，所述源极和所述漏极均与所述导体化区域相连。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上沉积栅金属层，并通过光刻工艺形成栅极；
在所述栅极上方沉积缓冲层；
在所述缓冲层上形成半导体层，在所述半导体层上沉积并通过光刻工艺形成蚀刻阻挡层；
通过离子注入方式将所述半导体层的部分区域导体化，以形成导体化区域；
在所述半导体层的上方沉积源漏极金属层，并通过光刻工艺对所述源漏极金属层和所述半导体层进行蚀刻，形成源极和漏极，所述源极和所述漏极均与所述导体化区域相连。


2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述通过离子注入方式将所述半导体层的部分区域导体化，以形成导体化区域，具体包括：用保护膜覆盖所述蚀刻阻挡层的与半导体图形区域对应的部分，并将所述半导体层的未被所述保护膜覆盖的部分导体化，以形成所述导体化区域，其中，位于所述刻蚀阻挡层边缘的边角结构未被所述保护膜覆盖。


3.根据权利要求2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述导体化区域包括第一导体化区域和所述第二导体化区域，所述第二导体化区域位于所述半导体图形和所述第一导体化区域之间，且所述第二导体化区域被所述蚀刻阻挡层的边角结构所覆盖。


4.根据权利要求3所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述边角结构的厚度小于所述蚀刻阻挡层覆盖在所述半导体图形上的部分的厚度，且从所述半导体图形至所述第一导体化区域的方向上，所述边角结构的厚度逐渐减小。


5.根据权利要求1-4任一项所述的阵列...

【专利技术属性】
技术研发人员：向舟翊，朱成顺，蒋雷，
申请(专利权)人：成都中电熊猫显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51