初始阵列基板及其制作方法、检测方法技术

本公开实施例提供一种初始阵列基板的制作方法，包括：提供初始基板，所述初始基板包括显示区、开孔区、隔离区和检测区，检测区位于显示区的外围，隔离区围绕开孔区设置；在隔离区形成隔离柱过渡图形层，隔离柱过渡图形层包括至少一个过渡隔离柱；在检测区形成测试导电层，测试导电层包括第一测试导电图形和第二测试导电图形，第一测试导电图形的形状与第二测试导电图形的形状相同；形成绝缘遮挡层，绝缘遮挡层覆盖第二测试导电图形；对形成有绝缘遮挡层的初始基板进行刻蚀，以使得过渡隔离柱被刻蚀形成为隔离柱，隔离柱中部的横截面积小于隔离柱顶部和底部的横截面积。本公开实施例还提供一种初始阵列基板、一种初始阵列基板的检测方法。

【技术实现步骤摘要】
初始阵列基板及其制作方法、检测方法
本公开实施例涉及显示
，特别涉及一种初始阵列基板的制作方法、一种初始阵列基板、一种初始阵列基板的检测方法。
技术介绍
全面屏是指具有超高屏占比的显示屏，理想的全面屏的屏占比为100％。为了实现全面屏，需要在屏幕内的一定位置打孔，以安装摄像头、听筒、传感器等部件。但是，在屏幕内打孔，会使得氧气、水汽等被吸水性较好的有机膜层吸收而导致显示面板的寿命缩短。现有技术中，常在开孔位置与显示面板的显示区之间设置隔离柱，从而阻止氧气、水汽等被有机膜层的吸收后进一步扩散到显示区。如何确认显示面板上已经形成了符合要求的隔离柱成为本领域亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本公开实施例提供一种初始阵列基板的制作方法、一种初始阵列基板、一种初始阵列基板的检测方法。第一方面，本公开实施例提供一种初始阵列基板的制作方法，所述制作方法包括：提供初始基板，所述初始基板包括显示区、开孔区、隔离区和检测区，所述检测区位于所述显示区的外围，所述隔离区围绕所述开孔区设置；在所述隔离区形成隔离柱过渡图形层，所述隔离柱过渡图形层包括至少一个过渡隔离柱，每一个所述过渡隔离柱围绕所述开孔区一周设置；在所述检测区形成测试导电层，所述测试导电层包括第一测试导电图形和第二测试导电图形，所述第一测试导电图形的形状与所述第二测试导电图形的形状相同；形成绝缘遮挡层，所述绝缘遮挡层覆盖所述第二测试导电图形；对形成有所述绝缘遮挡层的初始基板进行刻蚀，以使得所述过渡隔离柱被刻蚀形成为隔离柱，所述隔离柱中部的横截面积小于所述隔离柱顶部的横截面积，也小于所述隔离柱底部的横截面积。在一些实施例中，所述第一测试导电图形包括多个主体部和多个连接部，多个主体部排列为多行多列，每行中的多个所述主体部间隔设置，不同行的主体部电连接；所述主体部包括相对设置的两个纵向导电条和在所述纵向导电条的一端连接两个纵向导电条的横向导电条，所述连接部连接在相邻两个主体部之间，且将两个主体部的纵向导电条电连接。在一些实施例中，所述测试导电层还包括第一接触图形和第二接触图形，所述第一接触图形与所述第一测试导电图形电连接；所述第二接触图形与所述第二测试导电图形电连接。在一些实施例中，在所述隔离区形成隔离柱过渡图形层的步骤和在所述检测区形成测试导电层的步骤同步进行，以使得所述隔离柱过渡层和所述测试导电层同层设置。在一些实施例中，所述制作方法还包括与形成隔离柱过渡层同步进行的形成源漏图形层的步骤。在一些实施例中，在所述隔离区形成隔离柱过渡图形层的步骤和在所述检测区形成测试导电层的步骤包括：形成第一金属过渡层；形成第二金属过渡层；形成第三金属过渡层，以获得组合层结构；对所述组合层结构进行图形化，以获得所述隔离柱过渡图形层和所述测试导电层；其中，所述第一金属过渡层和所述第三金属过渡层由相同材料制成。在一些实施例中，所述绝缘遮挡层由有机材料制成。第二方面，本公开实施例提供一种初始阵列基板，所述初始阵列基板由本公开实施例第一方面所述的初始阵列基板的制作方法制成，包括：显示区、开孔区、隔离区和检测区，所述检测区位于所述显示区的外围，所述隔离区围绕所述开孔区设置；所述隔离区包括至少一个所述隔离柱，每一个所述隔离柱围绕所述开孔区一周设置；所述检测区包括所述测试导电层，所述测试导电层包括所述第一测试导电图形和所述第二测试导电图形；所述初始阵列基板还包括所述绝缘遮挡层，所述绝缘遮挡层覆盖所述第二测试导电图形。第三方面，本公开实施例提供一种初始阵列基板的检测方法，所述初始阵列基板由本公开实施例第一方面所述的初始阵列基板的制作方法制成，所述检测方法包括：测量所述初始阵列基板的检测区中第一测试导电图形和第二测试导电图形的电阻值；判断所述第一测试导电图形的电阻值和所述第二测试导电图形的电阻值的差是否超过预定阈值；当所述第一测试导电图形的电阻值和所述第二测试导电图形的电阻值的差超过所述预定阈值时，判定所述初始阵列基板的隔离区中的隔离柱存在底切结构；当所述第一测试导电图形的电阻值和所述第二测试导电图形的电阻值未超过所述预定阈值时，判定所述初始阵列基板的隔离区中的隔离柱不存在底切结构。在一些实施例中，当判定所述初始阵列基板的隔离区中存在隔离柱时，所述检测方法还包括：根据所述第一测试导电图形的电阻值确定所述初始阵列基板的隔离区中隔离柱的底切结构的尺寸。附图说明附图用来提供对本公开实施例的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开，并不构成对本公开的限制。通过参考附图对详细示例实施例进行描述，以上和其它特征和优点对本领域技术人员将变得更加显而易见，在附图中：图1为一种隔离柱的结构示意图；图2为本公开实施例提供的一种初始阵列基板的制作方法的流程图；图3为本公开实施例中一种初始阵列基板的结构示意图；图4为本公开实施例提供的一种第一测试导电图形和第二测试导电的结构示意图；图5为本公开实施例提供的另一种初始阵列基板的制作方法中部分步骤的流程图；图6为图3中A-A’方向隔离柱的截面示意图；图7为本公开实施例提供的一种初始阵列基板的结构示意图；图8为本公开实施例提供的一种初始阵列基板的检测方法的流程图；图9位本公开实施例中检测区导线绕线的一种位置分布的示意图；图10为本公开实施例中测试导电图形的电阻值的曲线图。具体实施方式为使本领域的技术人员更好地理解本公开的技术方案，下面结合附图对本公开提供的初始阵列基板的制作方法、初始阵列基板、初始阵列基板的检测方法进行详细描述。在下文中将参考附图更充分地描述示例实施例，但是所述示例实施例可以以不同形式来体现且不应当被解释为限于本文阐述的实施例。反之，提供这些实施例的目的在于使本公开透彻和完整，并将使本领域技术人员充分理解本公开的范围。在不冲突的情况下，本公开各实施例及实施例中的各特征可相互组合。如本文所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列举条目的任何和所有组合。本文所使用的术语仅用于描述特定实施例，且不意欲限制本公开。如本文所使用的，单数形式“一个”和“该”也意欲包括复数形式，除非上下文另外清楚指出。还将理解的是，当本说明书中使用术语“包括”和/或“由……制成”时，指定存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其群组。本文所述实施例可借助本公开的理想示意图而参考平面图和/或截面图进行描述。因此，可根据制造技术和/或容限来修改示例图示。因此，实施例不限于附图中所示的实施例，而是包括基于制造工艺而形成的配置的修改。因此，附图中例示的区具有示意性属性，并且图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种初始阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：/n提供初始基板，所述初始基板包括显示区、开孔区、隔离区和检测区，所述检测区位于所述显示区的外围，所述隔离区围绕所述开孔区设置；/n在所述隔离区形成隔离柱过渡图形层，所述隔离柱过渡图形层包括至少一个过渡隔离柱，每一个所述过渡隔离柱围绕所述开孔区一周设置；/n在所述检测区形成测试导电层，所述测试导电层包括第一测试导电图形和第二测试导电图形，所述第一测试导电图形的形状与所述第二测试导电图形的形状相同；/n形成绝缘遮挡层，所述绝缘遮挡层覆盖所述第二测试导电图形；/n对形成有所述绝缘遮挡层的初始基板进行刻蚀，以使得所述过渡隔离柱被刻蚀形成为隔离柱，所述隔离柱中部的横截面积小于所述隔离柱顶部的横截面积，也小于所述隔离柱底部的横截面积。/n

【技术特征摘要】
1.一种初始阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
提供初始基板，所述初始基板包括显示区、开孔区、隔离区和检测区，所述检测区位于所述显示区的外围，所述隔离区围绕所述开孔区设置；
在所述隔离区形成隔离柱过渡图形层，所述隔离柱过渡图形层包括至少一个过渡隔离柱，每一个所述过渡隔离柱围绕所述开孔区一周设置；
在所述检测区形成测试导电层，所述测试导电层包括第一测试导电图形和第二测试导电图形，所述第一测试导电图形的形状与所述第二测试导电图形的形状相同；
形成绝缘遮挡层，所述绝缘遮挡层覆盖所述第二测试导电图形；
对形成有所述绝缘遮挡层的初始基板进行刻蚀，以使得所述过渡隔离柱被刻蚀形成为隔离柱，所述隔离柱中部的横截面积小于所述隔离柱顶部的横截面积，也小于所述隔离柱底部的横截面积。


2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一测试导电图形包括多个主体部和多个连接部，多个主体部排列为多行多列，每行中的多个所述主体部间隔设置，不同行的主体部电连接；
所述主体部包括相对设置的两个纵向导电条和在所述纵向导电条的一端连接两个纵向导电条的横向导电条，
所述连接部连接在相邻两个主体部之间，且将两个主体部的纵向导电条电连接。


3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述测试导电层还包括第一接触图形和第二接触图形，
所述第一接触图形与所述第一测试导电图形电连接；
所述第二接触图形与所述第二测试导电图形电连接。


4.根据权利要求1至3中任意一项所述的制作方法，其特征在于，在所述隔离区形成隔离柱过渡图形层的步骤和在所述检测区形成测试导电层的步骤同步进行，以使得所述隔离柱过渡层和所述测试导电层同层设置。


5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括与形成隔离柱过渡层同步进行的形成源漏图形层的步骤。


6.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，在所述隔离区形成隔离柱过渡图形...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘文慧，闫娟，李保生，吴军，李凯鑫，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，绵阳京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11