【技术实现步骤摘要】
一种BCE结构TFT的制作方法及结构
本专利技术涉及氧化物半导体显示领域，尤其一种BCE结构TFT的制作方法及结构。
技术介绍
IGZO有源层是一种含有铟、镓和锌的非晶氧化物，载流子迁移率是非晶硅的20～30倍，可以大幅提高TFT对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，具备更快的面板刷新频率，可实现超高分辨率TFT-LCD。BCE结构IGZO有源层TFT具有比ESL高的电子迁移率，且减少ESL层的制作工艺，制造成本更低。背沟道刻蚀型(BCE)非晶氧化铟镓锌薄膜晶体管(a-IGZO有源层TFT)具有工艺简单、寄生电容小以及开口率高等优点，请参阅图1至图2，但BCE中IGZO有源层器件背沟道易受酸液和等离子体损伤，进而引起TFT均匀性和稳定性等方面问题。
技术实现思路
为此，需要提供一种BCE结构TFT的制作方法及结构，能够保护沟道处的IGZO有源层不受后续制程酸液和等离子体损伤，提高TFT电性均匀性和稳定性。为实现上述目的，专利技术人提供了一种BCE结构TFT的制作方法，包括步骤：
【技术保护点】
1.一种BCE结构TFT的制作方法，其特征在于，包括步骤：/n在有源层上涂布负型光阻层，并采用光罩对负型光阻层曝光、显影，保留有源层上的负型光阻层，所述光罩中间对应有源层中间上方位置为透明区域，所述光罩两侧对应源漏极位置为遮光区域；/n沉积源漏极金属层；/n涂布正型光阻层，并采用所述光罩对正型光阻层曝光、显影，去除有源层中间上方位置的正型光阻层；/n以正型光阻层为掩膜，蚀刻有源层中间上方位置源漏极金属薄膜；/n去除正型光阻层。/n
【技术特征摘要】
1.一种BCE结构TFT的制作方法，其特征在于，包括步骤：
在有源层上涂布负型光阻层，并采用光罩对负型光阻层曝光、显影，保留有源层上的负型光阻层，所述光罩中间对应有源层中间上方位置为透明区域，所述光罩两侧对应源漏极位置为遮光区域；
沉积源漏极金属层；
涂布正型光阻层，并采用所述光罩对正型光阻层曝光、显影，去除有源层中间上方位置的正型光阻层；
以正型光阻层为掩膜，蚀刻有源层中间上方位置源漏极金属薄膜；
去除正型光阻层。
2.根据权利要求1所...
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