一种BCE结构TFT的制作方法及结构技术

本发明专利技术公开了一种BCE结构TFT的制作方法及结构，在有源层上涂布负型光阻层，对负型光阻层曝光显影，保留有源层上的负型光阻层，光罩中间对应有源层中间上方位置为透明区域，光罩两侧对应源漏极位置为遮光区域；沉积源漏极金属层；涂布正型光阻层，对正型光阻层曝光显影，去除部分正型光阻层；以正型光阻层为掩膜，蚀刻源漏极金属薄膜；去除正型光阻层。本方法通过2次曝光显影，采用负型光阻在有源层上方沟道区留下光阻，保护有源层在源漏极金属层蚀刻中不受酸液或等离子体的损伤，先沉积SD金属层，再用正型光阻，并形成SD。在不增加光罩兼容现有工艺流程下，就能够保护有源层在沟道处不受SD蚀刻影响，而提高TFT电性均匀性和稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种BCE结构TFT的制作方法及结构
本专利技术涉及氧化物半导体显示领域，尤其一种BCE结构TFT的制作方法及结构。
技术介绍
IGZO有源层是一种含有铟、镓和锌的非晶氧化物，载流子迁移率是非晶硅的20～30倍，可以大幅提高TFT对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，具备更快的面板刷新频率，可实现超高分辨率TFT-LCD。BCE结构IGZO有源层TFT具有比ESL高的电子迁移率，且减少ESL层的制作工艺，制造成本更低。背沟道刻蚀型(BCE)非晶氧化铟镓锌薄膜晶体管(a-IGZO有源层TFT)具有工艺简单、寄生电容小以及开口率高等优点，请参阅图1至图2，但BCE中IGZO有源层器件背沟道易受酸液和等离子体损伤，进而引起TFT均匀性和稳定性等方面问题。
技术实现思路
为此，需要提供一种BCE结构TFT的制作方法及结构，能够保护沟道处的IGZO有源层不受后续制程酸液和等离子体损伤，提高TFT电性均匀性和稳定性。为实现上述目的，专利技术人提供了一种BCE结构TFT的制作方法，包括步骤：在有源层上涂布负型光阻层，并采用光罩对负型光阻层曝光、显影，保留有源层上的负型光阻层，所述光罩中间对应有源层中间上方位置为透明区域，所述光罩两侧对应源漏极位置为遮光区域；沉积源漏极金属层；涂布正型光阻层，并采用所述光罩对正型光阻层曝光、显影，去除有源层中间上方位置的正型光阻层；以正型光阻层为掩膜，蚀刻有源层中间上方位置源漏极金属薄膜；去除正型光阻层。进一步地，在所述“在有源层上涂布负型光阻层，并采用光罩对负型光阻层曝光、显影，保留有源层上的负型光阻层”前还包括步骤：在基板上通过曝光显影，蚀刻形成栅极金属层；沉积栅极绝缘层；在栅极绝缘层上制作有源层。进一步地，所述有源层为IGZO有源层。专利技术人还提供了一种TFT结构，所述TFT结构由上述任意实施例所述的制作方法制得。区别于现有技术，上述技术方案一种BCE结构TFT的制作方法，包括步骤：在有源层上涂布负型光阻层，并于有源层上方曝光、显影负型光阻层，保留有源层上的负型光阻层；沉积源漏极金属薄膜；涂布正型光阻层，并于对负型光阻层上方的正型光阻层曝光、显影，去除负型光阻层上方的正型光阻层；以正型光阻层为掩膜，蚀刻源漏极金属薄膜；去除正型光阻层。本技术提案通过2次曝光、显影制程，先采用负型光阻在上方沟道区留下光阻，保护在源漏极金属层(SD)蚀刻中不受酸液或等离子体的损伤，先沉积SD金属薄膜，再用正型光阻，光刻源漏极金属层后形成SD。在不额外增加光罩兼容现有工艺流程下，增加一次曝光、显影制程，就能够保护在沟道处不受SD蚀刻影响，而提高TFT电性均匀性和稳定性。附图说明图1为
技术介绍
BCE结构TFT的制作工艺流程图；图2为
技术介绍
源漏极金属层制作工艺流程图；图3具体实施方式所述栅极金属层结构图；图4具体实施方式所述栅极绝缘层结构图；图5具体实施方式所述IGZO有源层结构图；图6具体实施方式所述光罩、负型光阻层结构图；图7具体实施方式曝光、显影后所述负型光阻层结构图；图8具体实施方式所述源漏极金属层结构图；图9具体实施方式所述光罩、正型光阻层结构图；图10具体实施方式曝光、显影后所述正型光阻层结构图；图11具体实施方式蚀刻源漏极金属层后所述负型光阻层结构图。附图标记说明：1、负型光阻层；2、正型光阻层；3、有源层；4、源漏极金属层；5、栅极金属层；6、栅极绝缘层；7、基板；8、光罩。具体实施方式为详细说明技术方案的
技术实现思路
、构造特征、所实现目的及效果，以下结合具体实施例并配合附图详予说明。请参阅图1至图11，本实施例提供了一种BCE结构TFT的制作方法，包括步骤：在有源层上涂布负型光阻层，并采用光罩对负型光阻层曝光、显影，保留有源层上的负型光阻层，所述光罩中间对应有源层中间上方位置为透明区域，所述光罩两侧对应源漏极位置为遮光区域；沉积源漏极金属层；涂布正型光阻层，并采用所述光罩对正型光阻层曝光、显影，去除有源层中间上方位置的正型光阻层；以正型光阻层为掩膜，蚀刻有源层中间上方位置源漏极金属薄膜；去除正型光阻层。需要说明的是，所述有源层为IGZO有源层。本技术提案通过2次曝光、显影制程，先采用负型光阻在所述有源层3上方沟道区留下光阻，保护所述有源层3在所述源漏极金属层4(SD)蚀刻中不受酸液或等离子体的损伤，先沉积所述源漏极金属层4，再用正型光阻，光刻所述源漏极金属层4后形成所述源漏极金属层4。在不额外增加所述光罩8兼容现有工艺流程下，即，采用同一个光罩，增加一次曝光、显影制程，就能够保护所述有源层3在沟道处不受所述源漏极金属层4蚀刻影响，而提高TFT电性均匀性和稳定性。请参阅图3、图4、图5，在所述“在有源层上涂布负型光阻层，并采用光罩对负型光阻层曝光、显影，保留有源层上的负型光阻层”前还包括步骤：在基板7上通过曝光显影，蚀刻形成所述栅极金属层5；沉积所述栅极绝缘层6；在所述栅极绝缘层6上制作所述有源层3。请参阅图3至图11，在所述有源层3上，先涂布一层负型光阻，通过曝光工艺，负型光阻感光部分保留，未感光部分显影，在所述有源层3的沟道区留下一层负型光阻作为保护层。接着沉积所述源漏极金属层4，再涂布正型光阻，通过同一所述光罩8进行曝光，由于正型光阻感光部分显影出去，未感光部分保留形成源漏极图案，正型光阻与负型光阻的图形互补。源漏极未覆盖的沟道区用负型光阻保护，在所述源漏极金属层4(SD)蚀刻制程中就不会受到酸液和等离子体的损伤。蚀刻后先用正型光阻剥离液去除未感光的光刻胶，保留负型光刻胶在沟道区域保护背沟道不受后制程影响。请参阅图6、图9，为了进一步防止在所述有源层3器件背沟道易受酸液和等离子体损伤，在本实施中，对所述正型光阻层2、所述负型光阻层1进行曝光的所述光罩8的通孔大小相同，即，在对所述正型光阻层2、所述负型光阻层1曝光、显影时所采用的光罩是相同的。光线照射于所述正型光阻层2、所述负型光阻层1上的面积是相同的。但因不同型性的光阻，导致显影时显影的位置有所不同。需要说明的，在图11中，所述负型光阻层1与所述源漏极金属层4是互补的，防止在后续工艺中损坏所述有源层3。同时为了使所述负型光阻层1与所述源漏极金属层4互补必然涉及以下工艺，请参阅图9，制作所述负型光阻层1后，使所述负型光阻层1位于所述有源层3上；随后制作所述源漏极金属层4，并去除位于所述源漏极金属层4上的所述负型光阻层1；涂布所述正型光阻层2，并进行曝光显影，此时就需要在制作所述正型光阻层2时，使用与制作所述负型光阻层1相同的所述光罩8，使所述正型光阻层2中显影出的通光孔大小与所述负型光阻层1大小相同，即，所述正型光阻层2、所述负型光阻层1使用同一所述光罩8经曝光显影，形成相互互补的两个图形。需要说明的是，在本实施例中，正、负型光阻层可以相互替换涂布顺序，即也可以先涂布所述正型光阻层2，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种BCE结构TFT的制作方法，其特征在于，包括步骤：/n在有源层上涂布负型光阻层，并采用光罩对负型光阻层曝光、显影，保留有源层上的负型光阻层，所述光罩中间对应有源层中间上方位置为透明区域，所述光罩两侧对应源漏极位置为遮光区域；/n沉积源漏极金属层；/n涂布正型光阻层，并采用所述光罩对正型光阻层曝光、显影，去除有源层中间上方位置的正型光阻层；/n以正型光阻层为掩膜，蚀刻有源层中间上方位置源漏极金属薄膜；/n去除正型光阻层。/n

【技术特征摘要】
1.一种BCE结构TFT的制作方法，其特征在于，包括步骤：
在有源层上涂布负型光阻层，并采用光罩对负型光阻层曝光、显影，保留有源层上的负型光阻层，所述光罩中间对应有源层中间上方位置为透明区域，所述光罩两侧对应源漏极位置为遮光区域；
沉积源漏极金属层；
涂布正型光阻层，并采用所述光罩对正型光阻层曝光、显影，去除有源层中间上方位置的正型光阻层；
以正型光阻层为掩膜，蚀刻有源层中间上方位置源漏极金属薄膜；
去除正型光阻层。


2.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：阮桑桑，
申请(专利权)人：福建华佳彩有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35