阵列基板的制造方法技术

本申请揭露一种阵列基板的制造方法。制造方法包括：在一基材上形成图案化的一第一金属层，其中图案化的第一金属层包括至少一闸极线与至少一闸极，闸极线与闸极连接；于第一金属层上依序形成一闸极介电层与一半导体层；清洗半导体层；在半导体层上形成一第二金属层；以及图案化第二金属层，以形成至少一数据线与至少一薄膜晶体管，其中数据线与闸极线交错设置，且数据线与薄膜晶体管的一源极或一漏极连接。本申请可有效降低阵列基板的数据线断线问题，提高制程良率。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板的制造方法
本申请关于一种阵列基板的制造方法，特别关于一种利用4次光罩制作的阵列基板的制造方法。
技术介绍
随着科技的进步，平面显示装置已经广泛的被运用在各种领域，例如是液晶显示装置，因具有体型轻薄、低功率消耗及无辐射等优越特性，已经渐渐地取代传统阴极射线管显示装置，而应用至许多种类之电子产品中，例如行动电话、可携式多媒体装置、笔记型计算机、液晶电视及液晶屏幕等等。以液晶显示面板为例，液晶显示面板主要是利用电场控制液晶分子的旋转，让光线可穿过液晶分子而显示影像。液晶显示面板包括一阵列基板，阵列基板包括有交错设置的多条数据线与多条闸极线，以及多个薄膜晶体管(thinfilmtransistor,TFT)，每一个薄膜晶体管(thinfilmtransistor,TFT)分别电连接一条数据线与一条闸极线。在公知技艺中，可通过4次光罩制作阵列基板的薄膜晶体管，进而降低光罩次数、节省成本。然而，4次光罩的制程却容易发生数据线断线(datalineopen)的问题，尤其是在数据线(dataline)与闸极线(gateline)的交错处所发生的数据线爬坡断线，造成阵列基板制程良率的降低。
技术实现思路
有鉴于先前技术的不足，专利技术人经研发后得本申请。本申请的目的为提供一种阵列基板的制造方法，可有效改善数据线断线的问题，提高阵列基板的制程良率。本申请提出一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：在一基材上形成图案化的一第一金属层，其中图案化的第一金属层包括至少一闸极线与至少一闸极，闸极线与闸极连接；于第一金属层上依序形成一闸极介电层与一半导体层；清洗半导体层；在半导体层上形成一第二金属层；以及图案化第二金属层，以形成至少一数据线与至少一薄膜晶体管，其中数据线与闸极线交错设置，且数据线与薄膜晶体管的一源极或一漏极连接。在一实施例中，半导体层包括一非晶硅层与一n型半导体层，非晶硅层位于n型半导体层与闸极介电层之间，第二金属层接触n型半导体层。在一实施例中，在清洗半导体层的步骤中，清洗液包括二甲基亚砜与乙醇胺，二甲基亚砜的浓度介于60％与80％之间，乙醇胺的浓度介于20％与40％之间，清洗时间介于75秒与95秒之间。在一实施例中，在清洗半导体层的步骤中，还包括：同时以一光线照射半导体层，其中光线照射时间为40～85秒，照度为80～150勒克斯。在一实施例中，光线为极紫外线。在一实施例中，在形成第二金属层之前，半导体层的留置时间小于6小时。在一实施例中，第一金属层或第二金属层为金属或其合金所构成的单层或多层结构。在一实施例中，制造方法的特征在于，还包括：形成一钝化层覆盖于源极与漏极上；形成一通孔于钝化层，以曝露出部分的源极或漏极；及形成一电极层于钝化层上，其中电极层填入通孔而接触源极或漏极。在一实施例中，制造方法包括4道光罩。本申请另提出一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：在一基材上形成图案化的一第一金属层，其中图案化的第一金属层包括至少一闸极线与至少一闸极，闸极线与闸极连接；于第一金属层上依序形成一闸极介电层与一半导体层，其中半导体层包括一非晶硅层与一n型半导体层，非晶硅层位于n型半导体层与闸极介电层之间；清洗半导体层或清洗半导体层同时以一极紫外线照射半导体层，其中极紫外线照射时间为40～85秒，照度为80～150勒克斯；在半导体层上形成一第二金属层，其中第二金属层接触n型半导体层；以及图案化第二金属层，以形成至少一数据线与至少一薄膜晶体管，其中数据线与闸极线交错设置，且数据线与薄膜晶体管的一源极或一漏极连接。承上所述，在本申请之阵列基板的制造方法中，在形成第二金属层的步骤之前，至少可通过清洗半导体层的制程条件的控制，使之后形成的第二金属层和图案化第二金属层后形成的数据线中，有效改善数据线断线的问题，尤其是改善在数据线与闸极线的交错处所发生的数据线爬坡断线，借此提高阵列基板的制程良率。在一些实施例中，还可通过清洗半导体层同时以光线照射半导体层的制程条件控制，或是让半导体层的留置时间小于6小时的制程控制，来改善数据线断线问题，尤其是改善在数据线与闸极线的交错处所发生的数据线爬坡断线，以提高阵列基板的制程良率。附图说明所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：图1为本申请一实施例之一种阵列基板的制造方法流程步骤图。图2A至图2K分别为本申请一实施例之一种阵列基板的制造过程示意图。图3为本申请一实施例之阵列基板的像素与闸极线及数据线的电路连接示意图。图4为本申请一实施例之一种阵列基板的另一制造方法的流程步骤图。具体实施方式这里所公开的具体结构和功能细节仅仅是代表性的，并且是用于描述本申请的示例性实施例的目的。但是本申请可以通过许多替换形式来具体实现，并且不应当被解释成仅仅受限于这里所阐述的实施例。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。另外，术语“包括”及其任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。这里所使用的术语仅仅是为了描述具体实施例而不意图限制示例性实施例。除非上下文明确地另有所指，否则这里所使用的单数形式“一个”、“一项”还意图包括复数。还应当理解的是，这里所使用的术语“包括”和/或“包含”规定所陈述的特征、整数、步骤、操作、单元和/或组件的存在，而不排除存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。以下将参照相关图式，说明依本申请一实施例之阵列基板的制造方法，其中相同的组件将以相同的参照符号加以说明。显示面板之阵列基板上可具有多条闸极线与多条数据线，其中多闸极线与多数据线交错设置以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：/n在一基材上形成图案化的一第一金属层，其中图案化的所述第一金属层包括至少一闸极线与至少一闸极，所述闸极线与所述闸极连接；/n于所述第一金属层上依序形成一闸极介电层与一半导体层；/n清洗所述半导体层；/n在所述半导体层上形成一第二金属层；以及/n图案化所述第二金属层，以形成至少一数据线与至少一薄膜晶体管，其中所述数据线与所述闸极线交错设置，且所述数据线与所述薄膜晶体管的一源极或一漏极连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：
在一基材上形成图案化的一第一金属层，其中图案化的所述第一金属层包括至少一闸极线与至少一闸极，所述闸极线与所述闸极连接；
于所述第一金属层上依序形成一闸极介电层与一半导体层；
清洗所述半导体层；
在所述半导体层上形成一第二金属层；以及
图案化所述第二金属层，以形成至少一数据线与至少一薄膜晶体管，其中所述数据线与所述闸极线交错设置，且所述数据线与所述薄膜晶体管的一源极或一漏极连接。


2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述半导体层包括一非晶硅层与一n型半导体层，所述非晶硅层位于所述n型半导体层与所述闸极介电层之间，所述第二金属层接触所述n型半导体层。


3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在清洗所述半导体层的步骤中，清洗液包括二甲基亚砜与乙醇胺，二甲基亚砜的浓度介于60％与80％之间，乙醇胺的浓度介于20％与40％之间，清洗时间介于75秒与95秒之间。


4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在清洗所述半导体层的步骤中，还包括：
同时以一光线照射所述半导体层，其中所述光线照射时间为40～85秒，照度为80～150勒克斯。


5.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述光线为极紫外线。


6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在形成所述第二金属层之前，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：卓恩宗，李伟，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44