阵列基板的制造方法技术

本申请揭露一种阵列基板的制造方法。制造方法包括：在一基材上形成图案化的一第一金属层，其中图案化的第一金属层包括至少一闸极线与至少一闸极，闸极线与闸极连接；于第一金属层上依序形成一闸极介电层与一半导体层；清洗半导体层；在半导体层上形成一第二金属层；以及图案化第二金属层，以形成至少一数据线与至少一薄膜晶体管，其中数据线与闸极线交错设置，且数据线与薄膜晶体管的一源极或一漏极连接。本申请可有效降低阵列基板的数据线断线问题，提高制程良率。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板的制造方法
本申请关于一种阵列基板的制造方法，特别关于一种利用4次光罩制作的阵列基板的制造方法。
技术介绍
随着科技的进步，平面显示装置已经广泛的被运用在各种领域，例如是液晶显示装置，因具有体型轻薄、低功率消耗及无辐射等优越特性，已经渐渐地取代传统阴极射线管显示装置，而应用至许多种类之电子产品中，例如行动电话、可携式多媒体装置、笔记型计算机、液晶电视及液晶屏幕等等。以液晶显示面板为例，液晶显示面板主要是利用电场控制液晶分子的旋转，让光线可穿过液晶分子而显示影像。液晶显示面板包括一阵列基板，阵列基板包括有交错设置的多条数据线与多条闸极线，以及多个薄膜晶体管(thinfilmtransistor,TFT)，每一个薄膜晶体管(thinfilmtransistor,TFT)分别电连接一条数据线与一条闸极线。在公知技艺中，可通过4次光罩制作阵列基板的薄膜晶体管，进而降低光罩次数、节省成本。然而，4次光罩的制程却容易发生数据线断线(datalineopen)的问题，尤其是在数据线(dataline)与闸极线(gateline)的交错处所发生本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：/n在一基材上形成图案化的一第一金属层，其中图案化的所述第一金属层包括至少一闸极线与至少一闸极，所述闸极线与所述闸极连接；/n于所述第一金属层上依序形成一闸极介电层与一半导体层；/n清洗所述半导体层；/n在所述半导体层上形成一第二金属层；以及/n图案化所述第二金属层，以形成至少一数据线与至少一薄膜晶体管，其中所述数据线与所述闸极线交错设置，且所述数据线与所述薄膜晶体管的一源极或一漏极连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：
在一基材上形成图案化的一第一金属层，其中图案化的所述第一金属层包括至少一闸极线与至少一闸极，所述闸极线与所述闸极连接；
于所述第一金属层上依序形成一闸极介电层与一半导体层；
清洗所述半导体层；
在所述半导体层上形成一第二金属层；以及
图案化所述第二金属层，以形成至少一数据线与至少一薄膜晶体管，其中所述数据线与所述闸极线交错设置，且所述数据线与所述薄膜晶体管的一源极或一漏极连接。


2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述半导体层包括一非晶硅层与一n型半导体层，所述非晶硅层位于所述n型半导体层与所述闸极介电层之间，所述第二金属层接触所述n型半导体层。


3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在清洗所述半导体层的步骤中，清洗液包括二甲基亚砜与乙醇胺，二甲基亚砜的浓度介于60％与80％之间，乙醇胺的浓度介于20％与40％之间，清洗时间介于75秒与95秒之间。


4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在清洗所述半导体层的步骤中，还包括：
同时以一光线照射所述半导体层，其中所述光线照射时间为40～85秒，照度为80～150勒克斯。


5.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述光线为极紫外线。


6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在形成所述第二金属层之前，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：卓恩宗，李伟，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44