一种制备碳化硅的冶炼炉制造技术

技术编号:26761480 阅读:36 留言:0更新日期:2020-12-18 22:59
本实用新型专利技术公开了一种制备碳化硅的冶炼炉,其包括两个炉头,安装在两个炉头上的电极,设置在两个炉头两侧之间的炉墙,以及固定在炉墙外侧的炉墙支撑;在炉墙支撑外侧的地面上预埋有钢柱,在钢柱的顶端中部开设有销孔,在销孔内活动插接有定位柱,定位柱与对应的炉墙支撑的底端活动接触。优点:通过在地面预埋钢柱,并在钢柱内插入定位柱可对炉墙支撑起到固定作用,防止炉墙滑移,加强炉墙稳定性,进而降低安全隐患;同时,在炉体内底部设置块状填充层,可加强炉底热量的散失,使得炉体各个方向同时散热,可降低炉体内部温度场的偏移量,进而提高碳化硅的品质。

【技术实现步骤摘要】
一种制备碳化硅的冶炼炉
:本技术涉及碳化硅生产
,具体地说涉及一种制备碳化硅的冶炼炉。
技术介绍
:在传统工业上冶炼碳化硅时所使用的碳化硅冶炼反应炉,通常包括两个炉头,在两个炉头上的安装电极,在两个炉头两侧之间放置炉墙,在炉墙外侧固定炉墙支撑;反应过程中,将原料及炉芯放置在反应炉内,给两端的电极通电,通过炉芯来加热原料,经过原料的热传递来提升原料的温度,当原料温度上升到反应所需温度时,即可达到冶炼碳化硅的目的。上述反应炉存在以下问题:1、仅靠炉墙支撑对炉墙起支撑作用,填充原料后,炉墙承重大,容易在厂区地面滑移,反应过程中存在更大的安全隐患;2、碳化硅冶炼的反应原理是先通过加热炉芯,再由高温炉芯向低温原料进行热传递来达到冶炼效果,但是,实际反应过程中炉体两侧和上方散失的热量较多,而炉底的热量散失量较少,这就造成炉体内部温度场相对炉芯发生偏移,会直接影响碳化硅的品质。
技术实现思路
:本技术的目的在于提供一种制备碳化硅的冶炼炉,安全性高。本技术由如下技术方案实施:一种制备碳化硅的冶炼炉,其包括两个炉头,安装在两个炉头上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制备碳化硅的冶炼炉,其包括两个炉头,安装在两个所述炉头上的电极,设置在两个所述炉头两侧之间的炉墙,以及固定在所述炉墙外侧的炉墙支撑;其特征在于,在所述炉墙支撑外侧的地面上预埋有钢柱,在所述钢柱的顶端中部开设有销孔,在所述销孔内活动插接有定位柱,所述定位柱与对应的所述炉墙支撑的底端活动接触。/n

【技术特征摘要】
1.一种制备碳化硅的冶炼炉,其包括两个炉头,安装在两个所述炉头上的电极,设置在两个所述炉头两侧之间的炉墙,以及固定在所述炉墙外侧的炉墙支撑;其特征在于,在所述炉墙支撑外侧的地面上预埋有钢柱,在所述钢柱的顶端中部开设有销孔,在所述销孔内活动插接有定位柱,所述定位柱与对应的所述炉墙支撑的底端活动接触。


2.根据权利要求1所述的一种制备碳化硅的冶炼炉,其特征在于,在两个所述炉头与所...

【专利技术属性】
技术研发人员:张玉磊焦玉条
申请(专利权)人:内蒙古申弘新材料科技有限公司
类型:新型
国别省市:内蒙古;15

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