一种生产铸造单晶时籽晶层的保护方法技术

本发明专利技术专利公开了一种生产铸造单晶时籽晶层的保护方法，包括以下步骤：直拉单晶棒去除边皮，再经过切割后得到长方体形状的籽晶,把其铺设在坩埚底部；将制备的支撑腿和保护板放置在坩埚底部，使籽晶层与保护板之间留有一定空隙，在保护板上放置原生多晶硅料和头尾边等循环料，采用半融工艺得到铸造单晶硅锭。本发明专利技术可以防止装硅料时硅粉或小硅颗粒掉入籽晶之间的拼接缝内，可以减小铸造单晶锭中多晶产生的概率；保护板和籽晶层之间留有一定的空隙，硅料不直接压在籽晶层上，可以减小因压应力而产生位错的概率，提升了铸造单晶硅锭的质量。

【技术实现步骤摘要】
一种生产铸造单晶时籽晶层的保护方法
本专利技术涉及光伏制造领域，尤其涉及一种生产铸造单晶时籽晶层的保护方法。
技术介绍
目前生产铸造单晶的一般步骤为：在坩埚底部铺设一层单晶籽晶，在单晶籽晶上面装正常铸锭的头料、尾料、边皮和原生多晶硅料，采用半融工艺得到铸造单晶。由于籽晶层与硅料直接接触，硅粉和小硅颗粒容易落入籽晶拼接缝之间，硅粉和小硅颗粒容易形核，在籽晶之间生长出多晶；由于硅料直接压在籽晶层上，籽晶承受较大的压应力，从而导致位错产生，位错和多晶会严重影响铸造单晶的质量。本专利技术提供了一种生产铸造单晶时籽晶层的保护方法，采用此方法后，可以减小铸造单晶中位错和多晶的产生概率，提高铸造单晶硅锭的质量。
技术实现思路
本专利技术的目的是：在生产铸造单晶时，提供一种籽晶层的保护方法，包括以下步骤：步骤a制备保护板，保护板尺寸比坩埚埚口稍小。步骤b制备小长方体形状支撑腿，材质为硅。步骤c直拉单晶棒去除边皮，再经过切割后得到长方体形状的籽晶。步骤d将所述籽晶铺设在坩埚底部，形成完整的籽晶层。...

【技术保护点】
1.一种生产铸造单晶时籽晶层的方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤a 制备保护板，保护板尺寸比坩埚埚口稍小；/n步骤b 制备小长方体形状支撑腿；/n步骤c 直拉单晶棒去除边皮，再经过切割后得到长方体形状的籽晶；/n步骤d 将所述籽晶铺设在坩埚底部，形成完整的籽晶层；/n步骤e 将所述小长方体形状支撑腿放置在坩埚底部四周位置；/n步骤f 将所述保护板水平放置在所述支撑腿上，所述籽晶层与所述保护板之间留有一定空隙；/n步骤g 在所述保护板上放置原生多晶硅料和头尾边等循环料；/n步骤h 将所述装满多晶硅料的坩埚放入铸锭炉中，采用半融工艺得到铸造单晶硅锭。/n

【技术特征摘要】
1.一种生产铸造单晶时籽晶层的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤a制备保护板，保护板尺寸比坩埚埚口稍小；
步骤b制备小长方体形状支撑腿；
步骤c直拉单晶棒去除边皮，再经过切割后得到长方体形状的籽晶；
步骤d将所述籽晶铺设在坩埚底部，形成完整的籽晶层；
步骤e将所述小长方体形状支撑腿放置在坩埚底部四周位置；
步骤f将所述保护板水平放置在所述支撑腿上，所述籽晶层与所述保护板之间留有一定空隙；
步骤g在所述保护板上放置原生多晶硅料和头尾边等循环料；
步骤h将所述装满多晶硅料的坩埚放入铸...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹翠哲，王小兵，
申请(专利权)人：尹翠哲，王小兵，
类型：发明
国别省市：河北;13