尹翠哲专利技术

尹翠哲共有6项专利

  • 本发明专利公开了一种直拉单晶电池、铸造单晶电池、多晶电池的分档方法,包括以下步骤:将直拉单晶电池、铸造单晶电池或多晶电池整片切成半片电池或者小窄片电池;将半片或者小窄片电池按照光电转换效率分档;分别将光电转换效率在同档位的半片电池或者小...
  • 本发明提供了一种生产铸造单晶时籽晶重复利用方法,包括以下步骤:(a)直拉单晶棒去除边皮,再经过切割后得到长方体形状的籽晶;(b)将所述籽晶铺设在坩埚底部;(c)在所述籽晶层上放置原生多晶硅料和头尾边等多晶回收料;(d)采用半融工艺得到铸...
  • 本发明专利公开了一种生产铸造单晶时籽晶层的保护方法,包括以下步骤:直拉单晶棒去除边皮,再经过切割后得到长方体形状的籽晶,把其铺设在坩埚底部;将制备的支撑腿和保护板放置在坩埚底部,使籽晶层与保护板之间留有一定空隙,在保护板上放置原生多晶硅...
  • 本发明公开了一种测试多晶、单晶或铸造单晶小方锭端面少子寿命时的自动升降装置,其特征在于:包括底板、导柱、导套、顶板、挡圈、红外高度测试仪、垂直传动装置,所述底板可以通过螺栓固定在现有少子寿命测试仪基座上,也可以直接放在少子寿命测试仪基座...
  • 本实用新型提供了一种多晶硅锭或铸造单晶锭开方用多功能晶拖,包括底部(1),凸起部位(2),间隙部位(3),其特征在于,所述底部(1)上刻有三角形和圆形标记,所述间隙部位(3)尺寸固定。本实用新型涉及光伏制造领域,只需要调整线网的布局既可...
  • 本发明提供了一种单晶硅籽晶重复利用的方法,用于制备铸造单晶硅片,包括以下步骤:(1)将单晶硅籽晶拼接铺设在坩埚底部;在籽晶层上方设置熔融硅料,熔融硅料继承单晶硅籽晶的晶向结构生长,制得铸造单晶硅锭;(2)将步骤(1)得到的铸造单晶硅锭进...
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