温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明专利公开了一种生产铸造单晶时籽晶层的保护方法，包括以下步骤：直拉单晶棒去除边皮，再经过切割后得到长方体形状的籽晶,把其铺设在坩埚底部；将制备的支撑腿和保护板放置在坩埚底部，使籽晶层与保护板之间留有一定空隙，在保护板上放置原生多晶硅料和...
该专利属于尹翠哲;王小兵所有，仅供学习研究参考，未经过尹翠哲;王小兵授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。