单晶硅的制造方法及单晶硅的提拉装置制造方法及图纸

一种单晶硅的制造方法，使不活泼气体在腔室内流过，并且对石英坩埚内的硅熔液施加水平磁场，从而提拉单晶硅，在所述单晶硅的制造方法中实施：在热屏蔽体的下端部及石英坩埚内的硅熔液表面之间流过的不活泼气体流中，形成相对于包含提拉装置的晶体提拉轴以及水平磁场的施加方向的平面为非面对称，并且相对于晶体提拉轴为非旋转对称的流动分布的工序(S1)；直到石英坩埚内的硅原料完全熔化为止，在无磁场下维持所形成的非面对称且非旋转对称的流动分布的工序(S2)；以及在硅原料完全熔化之后，施加水平磁场而开始提拉单晶硅的工序(S3)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】单晶硅的制造方法及单晶硅的提拉装置
本专利技术涉及一种单晶硅的制造方法及单晶硅的提拉装置。
技术介绍
以往，提出了在利用提拉法进行的单晶硅的提拉中，在提拉过程中施加水平磁场时，屏蔽一部分磁场而使磁力线密度不均匀，或相对于石英坩埚的旋转中心偏离单晶硅的晶体提拉轴，从而进行单晶硅的提拉的技术(例如，参考专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2004-196655号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题然而，近年来所获知的是，在施加水平磁场的利用提拉法进行的单晶硅的提拉中，即使使用相同的提拉装置且以相同的提拉条件提拉单晶硅，所提拉的单晶硅品质，特别是单晶硅中的氧浓度也发生两极分化。但是，在所述专利文献1中记载的技术中，由于完全没有发现会产生这种问题，因此以所述专利文献1中记载的技术无法解决两极分化的问题。本专利技术的目的在于提供一种通过防止单晶硅的氧浓度发生两极分化而能够制造相同品质的单晶硅的单晶硅的制造方法及单晶硅的提拉装置。r>用于解决技术问题本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单晶硅的制造方法，使用具备腔室、在所述腔室内配置的石英坩埚及覆盖所述石英坩埚上部的热屏蔽体的提拉装置，使不活泼气体在所述腔室内流过且对所述石英坩埚内的硅熔液施加水平磁场，从而提拉单晶硅，所述单晶硅的制造方法的特征在于实施：/n在所述热屏蔽体的下端部以及所述石英坩埚内的硅熔液表面之间流过的所述不活泼气体流中，形成相对于包含所述提拉装置的晶体提拉轴以及所述水平磁场的施加方向的平面为非面对称且相对于所述晶体提拉轴为非旋转对称的流动分布的工序；/n直到所述石英坩埚内的硅原料完全熔化为止，在无磁场下维持所形成的非面对称且非旋转对称的流动分布的工序；以及/n在所述硅原料完全熔化之后，施加所述水平磁...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180228 JP 2018-0358341.一种单晶硅的制造方法，使用具备腔室、在所述腔室内配置的石英坩埚及覆盖所述石英坩埚上部的热屏蔽体的提拉装置，使不活泼气体在所述腔室内流过且对所述石英坩埚内的硅熔液施加水平磁场，从而提拉单晶硅，所述单晶硅的制造方法的特征在于实施：
在所述热屏蔽体的下端部以及所述石英坩埚内的硅熔液表面之间流过的所述不活泼气体流中，形成相对于包含所述提拉装置的晶体提拉轴以及所述水平磁场的施加方向的平面为非面对称且相对于所述晶体提拉轴为非旋转对称的流动分布的工序；
直到所述石英坩埚内的硅原料完全熔化为止，在无磁场下维持所形成的非面对称且非旋转对称的流动分布的工序；以及
在所述硅原料完全熔化之后，施加所述水平磁场而开始提拉所述单晶硅的工...

【专利技术属性】
技术研发人员：横山龙介，坂本英城，杉村涉，
申请(专利权)人：胜高股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP