【技术实现步骤摘要】
一种激光加热基座法制备CeF3单晶光纤的方法
本专利技术涉及晶体生长与器件的
，特别涉及一种激光加热基座法制备CeF3单晶光纤的方法。
技术介绍
法拉第旋转是材料最重要的磁光特性之一，有极其广泛的应用领域。自从1845年被发现以来，它已被广泛用于电流和磁场传感器，分束器，光学调制器，光隔离器等。随着高功率激光二极管和高功率光纤激光器的飞速发展，在较短波长下工作时，会提高对光学隔离器的性能要求。在放大器系统中，频率不稳定会降低光束质量以及激光源的寿命，光隔离器用于激光的单向传播，可以有效地避免光学反馈和寄生振荡。光隔离器的中央部分是法拉第旋转器，法拉第旋转器可以是单晶，玻璃，液体甚至是气体，通常是一块晶体。当一束平面偏振光通过置于磁场中的磁光晶体时，平面偏振光的偏振面就会随着平行于光线方向的磁场发生旋转，这个角度称之为法拉第旋转角。根据众所周知的方程：β＝VBL，其中晶体长度为L，磁场强度为B,V是比例因数被称为Verdet常数，其中V值代表该磁光材料的旋光性能，在一定泵浦波长下，V值越大，法拉第偏转角越大，则磁...
【技术保护点】
1.一种激光加热基座法制备CeF3单晶光纤的方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1、将CeF3单晶切割成长棒并滚圆分别作为籽晶和料棒；/nS2、将料棒固定于下进给装置上，将籽晶固定于上部提拉装置上，并控制料棒顶部截面中心置于激光加热中心使得第一料棒顶部熔融成半球状熔体；/nS3、将籽晶接触料棒顶部的半球状熔体，保温5～10分钟后，开始提拉籽晶和馈送料棒，直至籽晶直径收缩至0.8mm后进行等径生长，得到直径为0.8mm的CeF3单晶光纤。/n
【技术特征摘要】
1.一种激光加热基座法制备CeF3单晶光纤的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、将CeF3单晶切割成长棒并滚圆分别作为籽晶和料棒；
S2、将料棒固定于下进给装置上，将籽晶固定于上部提拉装置上，并控制料棒顶部截面中心置于激光加热中心使得第一料棒顶部熔融成半球状熔体；
S3、将籽晶接触料棒顶部的半球状熔体，保温5～10分钟后，开始提拉籽晶和馈送料棒，直至籽晶直径收缩至0.8mm后进行等径生长，得到直径为0.8mm的CeF3单晶光纤。
2.如权利要求1所述的一种激光加热基座法制备CeF3单晶光纤的方法，其特征在于，步骤S1中的所述圆棒长度为50mm，直径为2mm。
3.如权利要求1所述的一种激光加热基座法制备CeF3单晶光纤的方法，其特征在于，步骤S2中的所述激光加热中心的功率为45...
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