可自动调节放肩工艺参数的单晶炉及控制方法技术

本发明专利技术提供一种可自动调节放肩工艺参数的单晶炉，包括：晶体提拉模块、机器视觉直径测量模块和温度控制模块；所述提拉系统包括：转轴、连接在转轴上的绕线轮和一端连接在绕线轮上的软轴；所述软轴的另一端与晶体连接，在拉制单晶的工作过程中，转轴带动绕线轮旋转，使所述软轴与绕线轮相连的一端缠绕在绕线轮上，进而使软轴与晶体相连的一端对晶体进行提拉；所述提拉系统通过驱动电机穿过减速器，进而通过有齿轮齿条机构带动。本发明专利技术能使晶体放肩生长过程在整个生长过程中始终保持放肩形状一致，在不同单晶炉内部生长环境下，有效调整放肩生长的工艺参数。

【技术实现步骤摘要】
可自动调节放肩工艺参数的单晶炉及控制方法
本专利技术涉及可自动调节放肩工艺
，具体而言，尤其涉及可自动调节放肩工艺参数的单晶炉及控制方法。
技术介绍
目前，单晶炉是应用最广泛的晶体生长设备，提拉法(CZ)也是研究历史悠久，工艺最成熟，使用最广泛的一种晶体生长方法。但是晶体生长过程中存在着很多因素仍然影响着晶体的成晶率、品质和产量，所以，研究晶体生长控制，以及晶体生长的各个子生长过程，提高晶体成活率，意义就显得十分重大。在提拉法生长晶体时，晶体生长控制的工艺参数是晶体生长的重要一环。根据各种单晶炉的参数设置不同，晶体的成晶品质和产量等也会有很大的不同。本专利技术提到的晶体放肩生长过程是晶体生长成晶的一个关键过程。晶体放肩生长的好坏直接影响到整个晶体生长的成败。可自动调节放肩参数控制方法(AutomaticControlCrownParameter，简称ACCP)是在单晶炉控制系统中进行的控制系统晶体放肩算法的改进活动。以控制算法计算，并自动产生的控制参数，与控制系统进行交互，来控制放肩生长过程，改良放肩工艺参数的获取方法与控制技术。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可自动调节放肩工艺参数的单晶炉，其特征在于，包括：晶体提拉模块、机器视觉直径测量模块和温度控制模块；/n所述提拉系统包括：转轴、连接在转轴上的绕线轮和一端连接在绕线轮上的软轴；所述软轴的另一端与晶体连接，在拉制单晶的工作过程中，转轴带动绕线轮旋转，使所述软轴与绕线轮相连的一端缠绕在绕线轮上，进而使软轴与晶体相连的一端对晶体进行提拉；所述提拉系统通过驱动电机穿过减速器，进而通过有齿轮齿条机构带动；所述提拉系统通过电动机实现升降运动并同时通过涡轮减速机带动滚动花键轴，滚动花键轴副驱动卷轮旋转并承担起支撑；/n所述机器视觉直径测量模块通过工业摄像机捕获单晶生长图像，所述工业摄像机采集的图像将...

【技术特征摘要】
1.一种可自动调节放肩工艺参数的单晶炉，其特征在于，包括：晶体提拉模块、机器视觉直径测量模块和温度控制模块；
所述提拉系统包括：转轴、连接在转轴上的绕线轮和一端连接在绕线轮上的软轴；所述软轴的另一端与晶体连接，在拉制单晶的工作过程中，转轴带动绕线轮旋转，使所述软轴与绕线轮相连的一端缠绕在绕线轮上，进而使软轴与晶体相连的一端对晶体进行提拉；所述提拉系统通过驱动电机穿过减速器，进而通过有齿轮齿条机构带动；所述提拉系统通过电动机实现升降运动并同时通过涡轮减速机带动滚动花键轴，滚动花键轴副驱动卷轮旋转并承担起支撑；
所述机器视觉直径测量模块通过工业摄像机捕获单晶生长图像，所述工业摄像机采集的图像将进行图像信号和数字信号的转换，实时传送给上位计算机并获取单晶体的边缘位置。


2.应用权利要求1所述的可自动调节放肩工艺参数的单晶炉的一种可自动调节放肩工艺参数的单晶炉的控制方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：在晶体放肩生长过程，从SOP标准作业指导参数表中获取一组生长控制的参数的SP值；
S2：输入PID的自动调节产生参数组，修正OP值并获取；所述OP值设置于晶体放肩生长的控制模块中，来控制晶体的放肩生长；
S3：获取直径测量模块测得的直径值，温度控制模块测得功率值，以及警惕提拉系统产生的拉速值进行采集；
S4：通过数据的分类抽象和分析处理统一处理生成自动调节放肩工艺参数的信息库，进而通过神经网络算法产生一个知识库；
S5：从而把实际产生的生长数据，通过所述知识库的规则和...

【专利技术属性】
技术研发人员：逯占文，邢治国，徐永胜，王学卫，王胜军，张靖，
申请(专利权)人：连城凯克斯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32