单晶硅等径生长的控制方法、设备及存储介质技术

本公开提供一种单晶硅等径生长的控制方法、设备及存储介质，涉及晶体制造技术领域，能够能够自动调整晶体等径生长的控制力度，进而更好的控制晶体直径。具体技术方案为：获取第i个循环周期的PID初始值；对第i个循环周期的PID初始值进行修正，得到第i个循环周期的PID修正值；根据第i个循环周期的PID修正值控制第i个循环周期的晶体生长直径。本发明专利技术用于控制单晶硅的等径生长。

Control method, equipment and storage medium for equal diameter growth of monocrystalline silicon

【技术实现步骤摘要】
单晶硅等径生长的控制方法、设备及存储介质
本公开涉及晶体制造
，尤其涉及单晶硅等径生长的控制方法、设备及存储介质。
技术介绍
直拉单晶硅的制造，是将多晶硅料放入石英坩埚中，加热融化形成硅溶体，然后经过调温、引晶、放肩、转肩、等径、收尾等步骤，最终制备出单晶硅棒。在单晶硅等径生长过程中，现有控制方式在整个等径生长过程中的控制力度是恒定的。但是，在等径生长前期，晶体头部的直径偏差波动较大，需要较大的控制力度；而在等径生长中后期，晶体的直径波动减小，需要较小的控制力度，因此，现有控制方式已不能满足控制需求。
技术实现思路
本公开实施例提供一种单晶硅等径生长的控制方法、设备及存储介质，能够自动调整晶体等径生长的控制力度，进而更好的控制晶体直径。所述技术方案如下：根据本公开实施例的第一方面，提供一种单晶硅等径生长的控制方法，该方法包括：获取第i个循环周期的PID初始值，PID初始值包括比例分量P的初始值、积分分量I的初始值和微分分量D的初始值，i≥1；对第i个循环周期的PID初始值进行修正，得到第i个循环本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单晶硅等径生长的控制方法，其特征在于，所述方法包括：/n获取第i个循环周期的PID初始值，所述PID初始值包括比例分量P的初始值、积分分量I的初始值和微分分量D的初始值，i≥1；/n对所述第i个循环周期的PID初始值进行修正，得到所述第i个循环周期的PID修正值，所述PID修正值包括比例分量P的修正值、积分分量I的修正值和微分分量D的修正值；/n根据所述第i个循环周期的PID修正值控制所述第i个循环周期的晶体生长直径。/n

【技术特征摘要】
1.一种单晶硅等径生长的控制方法，其特征在于，所述方法包括：
获取第i个循环周期的PID初始值，所述PID初始值包括比例分量P的初始值、积分分量I的初始值和微分分量D的初始值，i≥1；
对所述第i个循环周期的PID初始值进行修正，得到所述第i个循环周期的PID修正值，所述PID修正值包括比例分量P的修正值、积分分量I的修正值和微分分量D的修正值；
根据所述第i个循环周期的PID修正值控制所述第i个循环周期的晶体生长直径。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取第i个循环周期的PID初始值包括：
将第i-1个循环周期的PID修正值确定为所述第i个循环周期的PID初始值。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述第i个循环周期的PID初始值进行修正，得到所述第i个循环周期的PID修正值包括：
设置所述第i个循环周期中比例分量P的目标阈值及对应的自适应参数、所述积分分量I的目标阈值及对应的自适应参数和微分分量D的目标阈值及对应的自适应参数；
根据所述比例分量P的目标阈值及对应的自适应参数，计算得到所述比例分量P的修正值；
根据所述积分分量I的目标阈值及对应的自适应参数，计算得到所述积分分量I的修正值；
根据所述微分分量D的目标阈值及对应的自适应参数，计算得到所述微分分量D的修正值。


4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述设置所述第i个循环周期中比例分量P的目标阈值及对应的自适应参数包括：
获取所述第i个循环周期的直径差值，所述直径差值为所述晶体目标直径与晶体实时直径的差值；
将所述第i个循环周期直径差值的绝对值的1/100～1/2设置为所述比例分量P的目标阈值；
将所述第i个循环周期中比例分量P的初始值的1/1000～1/10000设置为所述比例分量P的第一自适应参数；
将所述第i个循环周期中比例分量P的初始值的1/10000～1/100000设置为所述比例分量P的第二自适应参数。


5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据所述比例分量P的目标阈值及对应的自适应参数，计算得到所述比例分量P的修正值包括：
根据所述第i个循环周期的直径差值和所述比例分量P的目标阈值及对应的自适应参数，利用第一公式计算得到所述比例分量P的修正值，所述第一公式包括：



其中，表示所述第i个循环周期中比例分量P的修正值，表示所述第i个循环周期内比例分量P的初始值，表示所述第i个循环周期的直径差值，表示所述比例分量P的第一自适应参数，表示所述比例分量P的第二自适应参数，表示所述第i个循环周期中比例分量P的目标阈值，t表示循环周期的时长。


6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述获取所述第i个循环周期的直径差值包括：
采集所述第i个循环周期的晶体初始直径；
设置所述第i个循环周期的晶体目标直径；
根据所述第i个循环周期的晶体实时直径和所述第i个循环周期的晶体目标直径，计算得到所述第i个循环周期的直径差值。


7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述设置所述第i个循环周期中积分分量I的目标阈值及对应的自适...

【专利技术属性】
技术研发人员：王正远，李侨，徐战军，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61