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本发明公开了一种激光加热基座法制备CeF3单晶光纤的方法，包括：将CeF3单晶切割成长棒并滚圆分别作为籽晶和料棒；将料棒固定于下进给装置上，将籽晶固定于上部提拉装置上，并控制料棒顶部截面中心置于激光加热中心使得第一料棒顶部熔融成半球状熔体；...
该专利属于上海理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海理工大学授权不得商用。

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